pMOSFET中栅控产生电流的衬底偏压影响研究

研究了pMOSFET中栅控产生电流(GD)的衬底偏压特性。衬底施加负偏压后,GD电流峰值变小;衬底加正向偏压后,GD电流峰值增大。这归因于衬底偏压VB调制了MOSFET的栅控产生电流中最大产生率,并求出了衬底偏压作用系数为0.3。考虑VB对漏PN结的作用,建立了包含衬底偏压的产生电流模型。基于该模型的深入分析,很好地解释了衬底负偏压比衬底正偏压对产生电流的影响大的实验结果。     

Si基GaN薄膜的制备方法及结构表征

分别采用射频磁控溅射、热壁化学气相沉积(CVD)、电泳沉积法制备GaN薄膜。利用扫描电镜(SEM)、荧光光谱仪对样品进行结构、形貌和发光特性的分析比较。射频磁控溅射方法中,把SiC中间层沉淀到Si衬底上,目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力。结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量。热壁化学气相沉积法制备GaN晶体膜时,选择H2作反应气体兼载体,有利于GaN膜的形成。电泳沉积法显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜。结果表明:溅射法制备的GaN薄膜结晶效果好;CVD法制备时GaN薄膜应用范围广;电泳沉积法操作方便、简单易行。     

Layout Design and Optimization of RF Spiral Inductors on Silicon Substrate

使用三维电磁场模拟的方法对相同硅衬底结构下不同布图结构的螺旋电感进行了模拟和分析.通过改变电感匝数、电感金属的宽度和间隔以及电感的内径,模拟和分析了电感性能的变化.给出了引起电感性能变化的原因.结果表明优化电感的几何参数可以有效地改善电感性能.得出了一些实用的设计原则,可有效地指导射频集成电路中集成电感的设计.     

Low ohmic contact AIN/GaN HEMTs grown by MOCVD

AlN/GaN high-electron-mobility transistors （HEMTs） on SiC substrates were fabricated by metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD） and then characterized. An Si/Ti/Al/Ni/Au stack was used to reduce ohmic contact resistance （0.33 g2.mm） at a low annealing temperature. The fabricated devices exhibited a maximum drain current density of 1.07 A/mm （Vows = I V） and a maximum peak extrinsic transconductance of 340 mS/mm. The off-state breakdown voltage of the device was 64 V with a gate-drain distance of 1.9 μm. The current gain extrinsic cutoff frequency fT and the maximum oscillation frequency fmax were 36 and 80 GHz with a 0.25 μm gate length, respectively.     

Fabrication of extremely thermal-stable GaN template on Mo substrate using double bonding and step annealing process

A new layer transfer technique which comprised double bonding and a step annealing process was utilized to transfer the GaN epilayer from a sapphire substrate to a Mo substrate. Combined with the application of the thermal-stable bonding medium, the resulting two-inch-diameter GaN template showed extremely good stability under high temperature and low stress state. Moreover, no cracks and winkles were observed. The transferred GaN template was suitable for homogeneous epitaxial, thus could be used for the direct fabrication of vertical LED chips as well as power electron devices. It has been confirmed that the double bonding and step annealing technique together with the thermal-stable bonding layer could significantly improve the bonding strength and stress relief, finally enhancing the thermal stability of the transferred GaN template.     

一种毫米波BGA封装低成本测试方法

提出一种可应用于毫米波BGA(Ball Grid Array)封装器件的低成本无损测试方法.该测试方案主要由毛纽扣及两块单层基板组成.其中,毛纽扣作为封装焊球与基板之间的垂直互联媒介,实现信号传输.同时,毛纽扣具有较小的弹性接触力,在测试过程中能够保护焊球不受损伤.毛纽扣与基板形成的介质填充类同轴结构和基板上的高低阻抗...     

世界覆铜板新品种新技术赏析（3）——斗山电子无卤无磷DS-7409HG

无卤无磷覆铜板将成为覆铜板绿色化的新阶段,文章介绍了斗山电子的无卤无磷覆铜板DS-7409HG系列型号的特点。     

预拉伸光纤光栅应变传感器传感性能研究

为了提高光纤光栅测量应变的测量范围与测量精度,该文对基片式光纤光栅传感器应变传递理论及其有限元分析应力分布进行了阐述,并对光纤光栅应变传感器的制作工艺进行了探索。封装工艺与普通基片式光纤光栅传感器的不同是在制作时加载确定的预紧力,用等强度梁对预应力基片式光纤光栅传感器进行测试并标定,得到传感器灵敏度为0.88pm/με,线性度为0.996,传递效率为74%。并在MTS拉伸试验机上进行预紧力基片式光纤光栅传感器、裸光纤光栅传感器与电阻应变计压缩对比实验研究,实验表明,预拉伸制作工艺提高了光纤光栅测量压缩应变的线性度与测量范围。     

Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构

用透射电子显微镜(TEM)和X射线双晶衍射仪(DCXRD)对在Si(111)衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)LED外延材料的微结构进行了观察和分析.从TEM高分辨像观察到,在Si和AlN界面处未形成SixNy非晶层,在GaN/AlN界面附近的GaN上有堆垛层错存在,多量子阱的阱(InGaN)和垒(GaN)界面明锐、厚度均匀;TEM和DCXRD进一步分析表明MQW附近n型GaN的位错密度为10acm-2量级,其中多数为b=1/3〈112-0〉的刃位错.     

导电相和固化剂对铜系导电涂料性能的影响

利用IR、SEM等手段,较详细地研究了铜粉–环氧树脂体系中固化剂与铜粉的相互作用,并探讨了铜粉用量、形状对涂料导电性能的影响规律。结果表明:固化剂(最佳用量为20%左右)可以通过形成配合物的反应,有效除去铜粉表面的氧化物,极大改善涂料导电性,使填充75%铜粉的体系具有约0.2×104Ω·m的体积电阻率。应用渗流模型和导电通道理论分析铜粉的用量、形状对涂料导电性能的影响规律。