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31.
32.
SOI材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径,从实验的角度提出了一种SOI材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。 相似文献
33.
研究添加不同含量的Ag对CP276合金的拉伸性能和时效组织的影响。对拉伸强度、延伸率测试及透射电镜观察表明:0.11wt%加入可促进T1相析出,使合金强度值升高;0.35wt%Ag的加入可在时效前期生成富Ag、Mg的稳定的GP区,从而降低合金中Cu的固溶度,阻碍T1相析出,时效后期,GP区分解,生成大量T1相,使合金强度值显著升高。 相似文献
34.
浅谈水泥基渗透结晶型防水材料标准及性能指标 总被引:1,自引:1,他引:0
针对GB18445-2001《水泥基渗透结晶型防水材料》标准在使用过程中发现的一些问题,对标准中的部分性能指标的确定及试验方法提出修改意见。 相似文献
35.
As IC devices scale down to the submicron level, the resistance-capacitance (RC) time delays are the limitation to circuit
speed. A solution is to use low dielectric constant materials and low resistivity materials. In this work, the influence of
underlying barrier Ta on the electromigration (EM) of Cu on hydrogen silsesquioxane (HSQ) and SiO2 substrates was investigated. The presence of a Ta barrier not only improves the adhesion between Cu and dielectrics, but
also enhances the crystallinity of Cu film and improves the Cu electromigration resistance. The activation energy obtained
suggests a grain boundary migration mechanism and the current exponent calculated indicates the Joule heating effect. 相似文献
36.
37.
在聚全氟乙丙烯(FEP)中添加 TiO_2和 Al_2O_3,通过热压成型的方法制备了 FEP/TiO_2复合材料和 FEP/Al_2O_3复合材料,研究了氧化物添加量对复合材料介电常数、介电损耗和高频击穿性能的影响。结果表明,随氧化物含量的增加,复合材料的介电常数和介电损耗均增加;在同一添加量下,TiO_2对复合体系的介电性能影响较大。FEP/TiO_2复合材料的高频击穿性能随 TiO_2含量的增加而下降,在 TiO_2含量为4.0%(质量分数,下同)时,复合材料的损伤阈值已降为 FEP 材料损伤阈值的48.9 %。而 FEP/Al_2O_3复合材料的高频击穿性能随 Al_2O_3含量的增加而升高,当 Al_2O_3含量为1.2%时,复合材料的损伤阈值已增大到 FEP 材料损伤阈值的2倍,达到313 J/m~2。 相似文献
38.
因为价格机制不能正常运行和不能正常发挥作用,或者因为社会经济活动的相关性,传媒产品的生产出现外在性现象,社会成本问题不可避免.选择合适的产权制度安排,不仅能够消除传媒产品生产的外在性,而且有利于传媒资源的有效利用和传媒经济的不断发展. 相似文献
39.
Herbert S. Bennett 《Journal of research of the National Institute of Standards and Technology》2007,112(4):209-221
In this paper, we present the theory for calculating Raman line shapes as functions of the Fermi energy and finite temperatures in zinc blende, n-type GaAs for donor densities between 1016 cm−3 and 1019 cm−3. Compared to other theories, this theory is unique in two respects: 1) the many-body effects are treated self-consistently and 2) the theory is valid at room temperature for arbitrary values of the ratio R = (Q2/α), where Q is the magnitude of the normalized wave vector and α is the normalized frequency used in the Raman measurements. These calculations solve the charge neutrality equation self-consistently for a two-band model of GaAs at 300 K that includes the effects of high carrier concentrations and dopant densities on the perturbed densities of states used to calculate the Fermi energy as a function of temperature. The results are then applied to obtain the carrier concentrations from Fermi energies in the context of line shapes in Raman spectra due to the coupling between longitudinal optical phonons and plasmons. Raman measurements have been proposed as a non-destructive method for wafer acceptance tests of carrier density in semiconductor epilayers. The interpretation of Raman spectra to determine the majority electron density in n-type semiconductors requires an interdisciplinary effort involving experiments, theory, and computer-based simulations and visualizations of the theoretical calculations. 相似文献
40.
研究了(Ba1-xSrx)(Zn1/3Nb2/3)O3微波介质陶瓷温度系数的非线性变化以及异常的原因。根据CM公式,随着系统中Sr(Zn1/3Nb2/3)O3的增多,τc的异常是由于氧八面体的畸变导致的相转变(对称性降低)所造成的(晶体结构由无序立方相向有序赝立方相的连续变化)。相转变的发生相应影响了极化以及极化模式,这是造成τc异常的根本原因。 相似文献