双平面掺杂和单平面掺杂PHEMT器件的性能比较

研制了Al0.24Ga0.76As/In0.22Ga0.78As单平面掺杂PHEMT器件(SH-PHEMT)和双平面掺杂PHEMT器件(DH-PHEMT),并对其特性进行了比较.由于采用了双异质结、双平面掺杂的设计,DH-PHEMT能将载流子更好地限制在沟道中,得到更大的二维电子气浓度和更均匀的二维电子气分布,这些都有利于提高器件的性能.因此,DH-PHEMT器件具有更好的线性度,在较大的栅压范围内具有高的跨导和更大的电流驱动能力.这说明DH-PHEMT器件更加适用于高线性度应用的微波功率器件.     

掺杂二维三角圆柱光子晶体传输特性研究

为了研究掺杂对二维光子晶体传输特性的影响,应用时域有限差分方法数值模拟了各种掺杂情况下二维三角圆柱光子晶体的透射率即光传输函数随频率的变化。数值结果表明,对于一定的入射方向,光子晶体中的带隙的宽度、中心位置都受到掺杂所处的位置、掺杂物的折射率、掺杂柱的粗细不同程度的影响。该结论为该类光子晶体的应用提供了理论依据。     

掺杂和碳包覆对锂离子电池负极材料Li4Ti5O12性能的影响

采用固相法首次合成了碳包覆的掺杂不同金属离子的锂离子电池负极材料Li3.9M0.1Ti5O12/C(M=Mn、Cu、Mg),对材料进行了循环伏安测试及恒电流充放电测试。结果表明:金属掺杂未改变材料的晶体尖晶石结构,由于金属离子对Li4Ti5O12的晶胞内部的掺杂和C对其外部的包覆,使复合材料的锂离子扩散速率、大电流循环稳定性和可逆容量都明显提高。在1C充放电循环时,Li3.9Mn0.1Ti5O12/C、Li3.9Cu0.1Ti5O12/C、Li3.9Mg0.1Ti5O12/C首次放电容量分别达到156.6,162.4和169.8 mAh/g;50次循环后,容量分别保持在155.4,159.6和169.7 mAh/g,展示了优良的电化学特性。     

芳纶废浆液的回收利用

研究了PPTA纺丝废液回收的工艺路线,采用蒸馏水洗,干燥,粉碎,回收聚合体或用NaHCO_3中和,自来水洗,蒸馏水洗,干燥,粉碎,回收聚合体的工艺路线最佳,粘度降小于0.6.采用蒸馏水洗,可使回收聚合体的灰分小于800ppm。回收聚合作(ηinh=3.67)可纺性能好,其纤维的力学性能为纤度2.22dtex,强度129.4 cN/tex,模量2815.6 cN/tex,伸长5.42%。     

高电导率聚乙炔的结构特征

本文报导了用改进的Naarmann方法合成新型的独立聚乙炔膜[简记为H-(CH)_x]的详细过程。该膜致密,有很好的空气稳定性,制膜工艺重复性极好。拉伸掺杂后,电导率大干10~4S·cm~(-1)。借助扫描电镜、红外光谱、喇曼光谱和穆斯堡尔谱研究了膜的结构特征,并与其它类型的(CH)_x作了比较。对碘掺杂的H-(CH)_x的电导率进行研究,发现电导率随掺杂浓度分步上升,有新的突变点,分析了突变原因。     

稀磁性半导体研究进展

由磁性离子部分地代替非磁性阳离子所形成的稀磁性半导体,因其具有很多独特的性质而受到人们的广泛关注.本文主要介绍了稀磁性半导体的研究背景、研究过程、现状及其发展前景,并以Y.Matsumoto等所做的研究为例,介绍了此类材料的制备、研究方法以及技术中存在的缺陷.     

化学汽相沉积制作氧化锡电热薄膜研究

利用化学汽相沉积原理，使用简单设备制作氧化锡半导体薄膜，并对其在电热领域的应用及工艺条件进行了探讨     

新型光纤掺杂聚合物体系的研究

采用聚甲基丙烯酸甲酯作为基体材料 ,进行掺杂稀土离子 (La3 + 、Nd3 + )的研究。在制备稀土辛酸盐的基础上 ,得到了掺杂稀土离子的聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)固体薄膜试样 ,测得固体薄膜试样的吸收曲线。结果证明 ,稀土离子可以成功地掺杂到聚甲基丙烯酸甲酯基体材料中 ,并得到透明良好的复合材料。     

水喷雾系统在化工钢结构主动防火保护中的应用

论述了化工企业中钢结构的主动保护和被动保护的异同及特点,并对钢结构管架的主动防火保护进行详细描述,提出水喷雾系统在主动防火保护中的应用及其相应的设置原理、选型参数、喷头布置原则和操作控制系统.