基于运动矢量多级分析的视频全局运动估计

基于运动矢量场的视频全局运动估计相较于基于像素的估计方法具有较低的计算复杂度,因而广泛应用于视频分割及视频压缩等领域中。然而噪声和前景目标等外点区域的存在,降低了全局运动估计的准确性。为了提高全局运动估计的准确度,该文提出一种基于运动矢量多级分析的全局运动估计算法,该算法根据局部运动与全局运动的运动特性差异自适应地滤除前景目标区域,由邻域矢量间相似性度量检测出纹理平滑周期区域,最后滤除孤立的噪声区域,由滤波得到的内点区域求解全局运动参数。实验结果表明,该方法能有效地滤除外点区域,提高全局运动估计的准确性。     

微透镜阵列的制作及其在光场成像中应用的研究进展

文章综述了微透镜阵列制备技术的最新研究进展,并将这些制备方法分为直接法和间接法进行了对比分析。回顾了微透镜在光场成像应用中的研究进展,指出目前该领域的研究重点是光场相机设计的新思路及提高分辨率的相应模型算法。     

室内MIMO ACO-OFDM可见光通信系统接收机设计

设计了一种在室内可见光MIMO通信系统(MIMO-VLC)中使用具有两个不同视场角(FOV)的光电二极管(PD)的角度分集光接收机(2FOV-ADR),其兼具两个不同视场角的接收机(2-FOV)和传统角度分集接收机(ADR)的优点,实现了更优的接收性能。对将LED灯用作数据发射器的典型室内可见光通信场景进行仿真,结果表明,2FOV-ADR均衡器输出端的最小信噪比(minSNR)要高于2-FOV接收机和传统ADR,实现了室内97%的位置的minSNR在45 dB以上,相比于前两种接收机,这一比例分别提高了96%和32%。最后,对使用非对称限幅光正交频分复用(ACO-OFDM)作为调制方案的系统,计算总误码率(BER),给出了迫零和最小均方误差均衡器的结果。结果表明,对于所考虑的室内位置,2FOV-ADR都具有最低的误码率。     

A Novel UWB Pulse Shape Modulation System

In this paper novel modified Hermite polynomial functions for use in impulse radio (ultra-wideband) communications are proposed. With these functions pulse shapes which are orthogonal and have nearly constant pulse width regardless of the pulse order are generated. These properties hold under the effects of differentiation. An M-ary communication system is constructed using these pulse shapes. A Matlab model for generating the pulses is designed and the effect of timing jitter on the performance of the system is investigated by computer simulation.     

近场EMC测试技术

随着电探头、磁探头和电磁算法的不断完善,近场扫描技术有望与电磁兼容暗室、微波混响室等一起构成近场、远场一体化的电磁兼容测试系统。总结了近场测试技术的一些进展,主要包括利用感应区的电磁场重构等效辐射源,测量弱辐射体的屏蔽效能,以及多分量电磁探头的设计。     

大视场角1/4对称膜系偏光分束镜的研究

为了增大薄膜偏光分束镜(PBS)的视场角,从对称膜系等效折射率公式和截止带理论出发,设计了对称膜系结构的大视场角PBS。利用电子枪蒸镀法制备了低高低折射率(LHL)膜系结构的PBS,利用UV3101-PC分光光度计测量了PBS在不同入射角下的透射分光光谱,通过消光比测试系统测量了PBS反射光和透射光的消光比。结果表明,偏光分光光谱随入射角变化不明显,在视场角范围内具有较好的消光比(10-3量级),实验结果与理论设计一致。由此可见,利用周期性对称膜系设计大视场角薄膜PBS是完全可行的,为研制大视场角薄膜PBS提供了新的设计方法。     

The Influence of Film Morphology in High‐Mobility Small‐Molecule:Polymer Blend Organic Transistors

Organic field‐effect transistors (OFETs) based upon blends of small molecular semiconductors and polymers show promise for high performance organic electronics applications. Here the charge transport characteristics of high mobility p‐channel organic transistors based on 2,8‐difluoro‐5,11‐bis(triethylsilylethynyl) anthradithiophene:poly(triarylamine) blend films are investigated. By simple alteration of the film processing conditions two distinct film microstructures can be obtained: one characterized by small spherulitic grains (SG) and one by large grains (LG). Charge transport measurements reveal thermally activated hole transport in both SG and LG film microstructures with two distinct temperature regimes. For temperatures >115 K, gate voltage dependent activation energies (E_A) in the range of 25–60 meV are derived. At temperatures <115 K, the activation energies are smaller and typically in the range 5–30 meV. For both film microstructures hole transport appears to be dominated by trapping at the grain boundaries. Estimates of the trap densities suggests that LG films with fewer grain boundaries are characterized by a reduced number of traps that are less energetically disordered but deeper in energy than for small SG films. The effects of source and drain electrode treatment with self‐assembled monolayers (SAMs) on current injection is also investigated. Fluorinated thiol SAMs were found to alter the work function of gold electrodes by up to ～1 eV leading to a lower contact resistance. However, charge transport analysis suggests that electrode work function is not the only parameter to consider for efficient charge injection.     

激光辐照下金属圆板温升的数值模拟研究

根据实验测量得到的钢靶表面能量耦合系数随温度的变化规律,使用两种不同的数值计算方法计算了连续激光辐照下45#钢靶的温升过程。结果表明,在ANSYS有限元软件中可以使用生热率载荷来模拟材料表面能量耦合系数随温度变化的问题,实际应用中必须考虑能量耦合系数随温度的变化才能准确估计目标的温度场演化规律,本文的计算方法可以推广至三维情形。     

仿晶体生长快速算法用于加速2D 静磁场设计中的参量扫描

为了加速二维静磁场设计中参量扫描的速度,本文提出仿晶体生长快速算法：网格空间不变,结构在网格空间中微动,利用前一次计算出来的结果,构造新的初解,以提高下一次有限差分法计算矢量磁位的迭代速率。该方法可以将扫描时间平均减少一半以上,并且计算结果与普通计算结果偏离很小。与同类软件相比,采用该方法的参量扫描和优化过程速度更快,也有潜力应用于其他复杂结构的优化过程。     

扫描隧道显微镜钨针尖的制备与表征

采用直流电化学刻蚀方法制备扫描隧道显微镜钨针尖,研究了电化学刻蚀过程中NaOH溶液浓度、钨丝浸入长度和刻蚀电压对针尖形貌的影响。通过扫描电子显微镜(SEM)测量针尖曲率半径和针尖纵横比值,以表征针尖的尺寸和形状;通过能谱仪(EDS)分析针尖表面成分,以表征表面清洁度;通过场发射显微镜(FEM)得到Fowler-Nordheim (F-N)曲线来检测针尖发射性能。实验结果表明,当溶液浓度为2 mol/L、钨丝浸入长度为4 mm、刻蚀电压为3 V时,可以得到曲率半径约为100 nm、纵横比值为13的针尖,且表面无钨的氧化层。FEM结果显示当对针尖施加500 V的负偏压时,针尖可以稳定发射50 nA量级的电流,且针尖性能具有良好的一致性。