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51.
使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3/C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加,成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大,而刻蚀基团F的密度也会增加,从而使得a—C:F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明,在高CHF3流量下沉积的a—C:F薄膜中含有更高的C—F键成分。可见在a—C:F薄膜的制备中CHF3/(CHF3 C6H6)流量比是重要的控制参量。 相似文献
52.
53.
高抗挤厚壁套管的性能及应用效果评价 总被引:1,自引:1,他引:0
中原油田套管损坏的主要原因是现有套管强度不够,无法抵抗盐膏层段的巨大外挤力。开发了TP130TT型高抗挤厚壁套管,其强度能很好地抵抗盐膏层巨大外挤力。实验室试验表明,各项性能指标达到了设计要求,现场使用取得了很好的效果,解决了中原油田盐膏层段套管强度不足的难题。 相似文献
54.
55.
用溶胶-凝胶技术在Bi(100)衬底上制备了单层和渐变型多层的BaxSr(1-X)TiO3薄膜,其膜层组分分别为:Ba0.7Sr0.3TiO3,Ba0.8Sr0.2TiO,Ba0.9Sr0.1TiO3,BaTiO3,对生长制备出的多层BaxSr(1-X)TiO3薄膜进行了变角度椭偏光谱测量,通过椭偏光谱解谱分析研究,首次得到了BaxSr(1-X)TiO3多层膜结构不同膜层的膜厚和光学常数,其结果显示:椭偏光谱分析得到的不同膜层的膜厚与卢瑟福背向散射测量得到的结果基本相符;渐变型多层膜中BaTiO3薄膜的折射率比单层BaTiO3薄膜折射率大许多,与体BaTiO3的折射率相接近,这说明渐变型多层膜中BaTiO3薄膜的光学性质与体材料的光学性质接近。 相似文献
56.
吐哈油田部分区块地层压力系数小于0.9,常规水基压井液对储层伤害大,若使用油基压井液成本高,环境污染严重。通过实验优选出了一种低密度水基微泡沫压井液。该压井液具有密度低、泡沫强度高、稳定性好、携砂能力强等优点。现场应用表明,低密度微泡沫压井液稳定时间大于48 h,密度在0.70~0.99 g/cm3之间可调,抗油污染能力强,抗油大于8%,抗温在100℃以上,岩心污染后渗透率恢复值大于80%;并且施工方便,成本低,具有储层保护能力,使用微泡沫压井液的井表皮系数在0.20~2.34之间。 相似文献
57.
A three-dimensional model was developed to investigate the influence of various hot filaments parameters on substrate temperature fields that significantly affect the nucleation and growth of diamond films over large area by hot-filament chemical vapordeposition (HFCVD). Numerical simulated results indicated that substrate temperature varies as a function of hot filamentsnumber, radius, temperature, emissivity, the distance between filaments, and the distance between substrate and filamentsarrangement plane. When these filaments parameters were maintained at the optimal values, the homogeneous substrate temperature region of 76 mm×76 mm with the temperature fluctuation no more than 5% could be obtained by a 80 mm×80 mmhot filaments arrangement plane. Furthermore, the homogeneous region could be enlarged to 100 mm×100 mm under thecondition of supplementary hot filaments with appropriate parameters. All of these calculations provided the basis for speciallyoptimizing the hot filaments parameters to dep 相似文献
58.
59.
Investigation into polishing process of CVD diamond films 总被引:1,自引:0,他引:1
A new technique used for polishing chemical vapor deposition (CVD) diamond films has been investigated, by which rough polishing of the CVD diamond films can be achieved efficiently. A CVD diamond film is coated with a thin layer of electrically conductive material in advance, and then electro-discharge machining (EDM) is used to machine the coated surface. As a result, peaks on the surface of the diamond film are removed rapidly. During machining, graphitization of diamond enables the EDM process to continue. The single pulse discharge shows that the material of the coated layer evidently affects removal behavior of the CVD diamond films. Compared with the machining of ordinary metal materials, the process of EDM CVD diamond films possesses a quite different characteristic. The removal mechanism of the CVD diamond films is discussed. 相似文献
60.
本文用计算机数字模拟方法研究了电活性分子多层Z型L-B膜修饰电极的循环伏安行为。计算了电极与修饰L-B膜分子第一层之间的电荷转移速度常数K_o,L-B膜分子层间的电荷转移速度常数k_i;对峰电位差△E_p及阳极峰面积Q的影响,以及在不同条件下各层分子的氧化态分数随扫描时间的变化。为研究和设计电活性分子修饰电极的实际体系提供了大量数据和信息。 相似文献