304L不锈钢钝化膜半导体性能研究

利用极化曲线、电容测量法和X射线光电子能谱(XPS)研究了304L不锈钢在0.5 mol/L NaHCO3溶液中所形成的钝化膜的半导体性能,同时对影响钝化膜半导体性能的因素进行了讨论.结果表明：在电位小于-0.4 V范围内,膜呈p型半导体特性;当电位处于-0.4 V至0.26 V范围内膜呈n型半导体特性.随着测试频率的降低及成膜电位的负移,Mott-Schottky曲线的斜率减小,表明膜内的杂质密度增加。氯离子的加入使得M S直线的斜率减小,增加膜内的杂质密度,容易造成点蚀的发生.XPS测试结果表明钝化膜主要由内层的铬氧化物和外层的铁氧化物组成,这与以前的研究结果相一致.     

铜精炼过程中砷、锑的脱除研究现状

由冰铜吹炼而成的粗铜中含有一定的杂质,这些杂质会对铜的工业性能产生不同程度的影响,因此需要对粗铜进行精炼处理.为了进一步提高阴极铜质量,生产满足市场需求的铜产品,在火法、电解精炼等方面对有害杂质进行有效处理成为了国内外专家学者研究的热点.其中火法精炼处理砷、锑的方法有:氧化挥发法、碱性造渣法、真空精炼法、FRHC技术等...     

氟气中氮气和四氟化碳的快速分析

电解法制得的氟气含有氮气、氟化氢和四氟化碳等杂质。利用氯化钠与氟气反应生成氯气,经NaOH溶液吸收氯气后用普通的气相色谱测定其中四氟化碳含量,操作简单、快速。     

第十九讲——电镀的安全生产与清洁生产(一)

介绍了氯化物镀锌液中硝酸根、铬酸根等阴离子,以及油污、光亮剂分解产物、表面活性剂等有机杂质的影响和去除方法。提出了减少有机杂质积累的若干措施,如坚持添加剂少加勤加的原则,控制好溶液组分(尤其是氯化钾和硼酸)和液温、pH等工艺条件,采用增溶性好的载体,以及研发新型光亮剂。     

一种制备细胞色素C的方法

为了保证细胞色素Ｃ药用的安全性，需要高纯度的细胞色素Ｃ。对新鲜猪心采取提取、吸附、洗脱、去杂、沉淀、树脂纯化等一系列方法，从而制得了纯度较高的细胞色素Ｃ。     

湿法磷酸中F^—,Al^3＋和SiF6^2—对石膏结晶形态的影响

在间歇试验装置中采用二次回归正交组合设计方法,研究了湿法磷酸生产中Ｆ－、Ａｌ３＋和ＳｉＦ６２－对石膏晶体平均尺寸和结晶形态的影响,发现只有Ｆ－或Ａｌ３＋和或ＳｉＦ６２－存在时,石膏晶体的形态均呈现为针状,在不同含量的Ｆ－、Ａｌ３＋和ＳｉＦ６２－共存时,得到了不同形态的石膏晶体,如针状、片状、棱形、聚晶等。     

碲化镉溶液中无机痕量杂质成分分析标准物质研制

本文研制了2 mg/g碲化镉(CdTe)溶液中无机痕量杂质成分分析的5种标准物质,每种包含21种杂质元素,浓度分别为0、1、2、4、8 ng/g。通过辉光放电质谱(GD-MS)法对CdTe原料纯度进行测量,筛选得到纯度>99.999%的高纯原料;使用HCl-HNO₃混酸将其溶解,再根据成分设计定量添加杂质元素,制备得到标准物质候选物。建立了基体匹配-内标校正-电感耦合等离子体质谱法用于标准物质定值与均匀性、稳定性检验,采用标准物质EB507验证方法可靠性。对包装容器溶出进行考察,以高密度聚乙烯(HDPE)作为包装容器可满足要求。采用建立的方法对全部元素进行检验,结果表明,标准物质均匀性以及长、短期稳定性良好,有效期12个月。通过8家实验室联合定值的方式,对标准物质中21种元素进行定值,以算数平均值作为标准值,并对不确定度进行全面、系统地评估。该系列基体标准物质填补了国内外空白,对于验证测量方法的可靠性、确保测量结果的一致性与溯源性具有重要作用。     

周期反向电流法高电流密度电解精炼铜的研究

模拟铜电解精炼工业生产条件,在小型电解中研究周期反向电流法高流密度电解精炼铜的可行性。并用XRD、SEM及离子体发射光谱研究杂质对铜沉积的结构和组成的影响。研究表明：当电流密度为400A.m^2－,电流周期阴极沉积时间75s溶解时间1．5s,添加剂用量（g.dm^-3）;硫脲0．010、骨胶0．010、Cl^-0．050,有害杂质含量（g.dm^-3):As(V)≤3．0、Sb（Ⅲ）≤0．14、Bi（Ⅲ）≤0．1时能获得表面光滑平整纯度为99．99％的电解铜。以400A.m^-2的周期反向电流电解时,铜沉积的电结晶生长形态为脊状＋块状,晶面择优取向为（220）,少量杂质存在对铜沉积结构有一定影响。     

创新和循环经济是磷化工发展的必由之路：Ⅵ．磷矿品位对WPA生产和技术经济指标的影响

通过计算阐述磷矿品位(优质矿、一等矿、合格矿和标矿)对湿法磷酸产量及技术经济指标的影响;磷矿中杂质对WPA生产及其深加工的危害。为了稳定WPA生产,获得好的经济效益,必须使用品位高、杂质含量低的磷矿作原料,认为合格品磷矿应通过选矿除去杂质方可用于湿法磷酸生产。     

Preparation of Cu(In,Ga)(S,Se)2 thin films by sequential evaporation and annealing in sulfur atmosphere

Cu(In,Ga)(S,Se)₂ thin films with high Ga/III ratio (around 0.8) were prepared by sequential evaporation from CuGaSe₂, CuInSe₂, In₂Se₃ and Ga₂Se₃ compounds and then annealing in H₂S gas atmosphere. The annealing temperature was varied from 400 to 500 °C. These samples were characterized by means of XRF, EPMA, XRD and SEM. The S/(S+Se) mole ratio in the thin films increased with increase in the annealing temperature, keeping the Cu, In and Ga contents nearly constant. The open circuit voltage increased and the short circuit current density decreased with increase in the annealing temperature. The best solar cell using Cu(In,Ga)(S,Se)₂ thin film with Ga/(In+Ga)=0.79 and S/(S+Se)=0.11 annealed at 400 °C demonstrated V_oc=535 mV, I_sc=13.3 mA/cm², FF=0.61 and efficiency=4.34% without AR-coating.