铽镓石榴石晶体多晶合成与单晶生长研究

以(99.99%)Ga2O3和Tb4O7为原料,按照化学计量比并适当富镓配料,采用固相反应法(分段升温工艺)合成高纯、单相的铽镓石榴石(Tb3Ga5O12,简称TGG)多晶料。使用提拉法(CZ)成功生长出44mm×70mm,外观完整无开裂、无螺旋的TGG晶体。经X线衍射分析、密度测试、晶体成分测试表明,生长的晶体结构完整,结晶性好;晶体的密度为7.14g/cm3,与理论值接近;晶体中Tb与Ga摩尔比为66%,可能存在少量Ga空位。     

Enhanced/suppressed interdiffusion of InGaAs-GaAs-AlGaAs strained layers by controlling impurities and gallium vacancies

The interdiffusion of In and Ga at an InGaAs-GaAs interface subjected to different annealing temperatures, times, and environments is demonstrated. The interdiffusion coefficients and activation energies are determined by correlating the shift in the photoluminescence peaks with the calculated quantum well transition energies based on an error function composition profile. The results indicate that a higher In composition In_xGa_1-xGaAs single quantum well (SQW) leads to a higher interdiffusion coefficient of In and Ga in an As overpressure annealing condition. Also, As overpressure increases the interdiffusion, whereas Ga overpressure reduces the interdiffusion. The thermal activation energies for different In composition InGaAs-GaAs SQW’s (x = 0.057, 0.10, 0.15) range from 3.3 to 2.6 eV for an As overpressure environment and from 3 to 2.23 eV for the Ga overpressure situation. With respect to impurity induced disordering by Zn using a Ga or As overpressure significantly effects the depth of the Zn diffusion front but significant mixing does occur in either case when the impurity front reaches the quantum well.     

复合效应对掺杂氧化物透明导电薄膜的影响

首次引入复合效应对不同价态差的掺杂氧化物透明导电（TCO）薄膜的载流子浓度及其迁移率进行了分析。对于较高温下制备的TCO薄膜,对载流子迁移率起主要作用的散射机制是带电离子散射和电中性复合粒子散射。带电离子散射迁移率与带电离子的有效电荷数大致呈反比关系,在载流子浓度相同的情况下,随着复合几率增大,价态差分别为3和4的TCO薄膜中的带电离子的平均有效电荷分别趋于1和2,因此带电离子散射迁移率也随之增大,分别趋于价态差为1和2的TCO薄膜的带电离子散射迁移率。而对于价态差为3的TCD薄膜,由于电中性复合粒子的数量较少,对载流子的散射最弱,因此在复合几率较大的情况下,价态差为3的TCO薄膜有可能获得比价态差为1的TCO薄膜更高的载流子迁移率。     

USTER TESTER 5-S400-OI纱线检测系统对纺织生产中原棉杂质和灰尘的控制与减少

纺织厂为进一步提高棉纱、棉布的质量,纺高支纱时除了要排除一般的杂质及短绒外,还要排除微细杂质及灰尘,以免磨损机器的有关零部件并影响纱线及织物的品质。乌斯特公司生产的USTER TESTER 5-S400-OI纱线检测系统采用了新的光电传感器———OI,可检测纱线中的杂质及灰尘,为纺纱工艺的技术进一步改进,控制与减少杂质及灰尘,提供了可靠的信息。     

煤炭产品装运过程中除杂方式的研究和应用

介绍了选煤厂煤炭产品在装车运输过程中和产品交付前的杂物清除方式,通过分析研究、技术创新、过程控制、监督管理、统计技术应用等方面精细管理,有针对性的采取有效方式,降低产品杂物含量。     

高纯氨中金属颗粒杂质检测方法

通过蒸发捕集法与溶液吸收法两种前处理方法,利用高分辨电感耦合等离子体质谱对高纯氨中痕量金属杂质进行上机检测。实验表明,双聚焦磁质谱对稀氨水中金属杂质方法检出限低达10-12级,对高纯氨中金属杂质方法检测限低于1×10-9 m/m。方法便捷、准确,容易避免前处理污染,可以作为高纯氨中金属杂质检测的有效手段。     

金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究

通过气相外延技术生长了Au掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料。利用傅里叶光谱仪和金相显微镜对外延材料进行了表征。通过二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy, SIMS)技术分析了Au在Hg1-xCdxTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分布趋势。利用SIMS技术还分析了I、II族和VI、VII族杂质在Hg1-xCdxTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分布趋势,发现衬底和外延层的过渡区具有吸杂作用。研究结果对提高探测器的性能具有指导意义。     

从乳酸蒸馏残液中回收精制乳酸的膜分离工艺研究

采用膜分离技术回收乳酸蒸馏残液中的乳酸,探索了对聚乳酸经过水解-纳滤脱色(脱糖)的工艺流程及工艺参数.结果表明,该工艺可有效去除残液中的还原糖、色素、聚合物等杂质;精制乳酸的收率可达95%以上;膜通量衰减幅度较小且清洗后恢复效果好;运行成本低;产品中还原糖含量、色度均可达GB 2023-2003要求.     

CT-FSC醇胺脱硫溶液复活技术研究

胺液复活对于维持胺液清洁从而实现天然气脱硫装置的长周期平稳运行具有重要意义。国内外现有的胺液复活技术对天然气净化厂胺液中致泡性杂质的脱除率低,胺液受污染后发泡的问题得不到解决。此外,采用进口装置复活后的胺液对H_2S的选吸性变差。为此,中国石油西南油气田公司天然气研究院研发了一种可同时深度脱除胺液中50余种致泡性杂质和7种热稳定盐的胺液复活新技术。现场放大试验结果表明,该技术同时成功地解决了胺液受污染后发泡及进口装置脱除无机热稳定盐后胺液对H2S选吸性变差的问题,能使严重受污染胺液的脱硫脱碳性能恢复至新鲜胺液水平。该技术还具有操作条件温和、能耗低、胺损失小的特点,其技术水平优于国内外同类技术,处于国际领先水平。     

Mn1?2 Fe0?8 P0?74 Ge0?26化合物的微观形貌及性能研究

MnFePGe系列化合物是一种新型的室温磁制冷材料,它绿色环保,且主要原材料锰铁磷价格低廉,因而得到了广泛的关注。本文采用机械合金化和放电等离子烧结技术制备了Mn1?2 Fe0?8 P0?74 Ge0?26化合物,并通过SEM、X?射线能谱仪（ EDS）和DSC等手段对其微观形貌、杂相分布以及磁热性能进行了研究。结果表明：该化合物存在组成元素的不均匀分布,并且在晶界处析出Fe3 Mn4 Ge6和MnO杂相。通过对Mn1?2 Fe0?8 P0?74 Ge0?26化合物进行均匀化退火处理明显改善了其晶界偏析,磁热性能得到显著提高。