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以长链烷基季铵盐、带有羟基或苄基的有机季铵盐为插层剂,对钠基蒙脱土进行改性后得到了有机蒙脱土。在100份(质量,下同)EPDM中加入15份有机蒙脱土或40份高耐磨炭黑制备了二者的纳米复合材料。X射线衍射和透射电镜分析表明,由带有羟基插层剂改性的钠基蒙脱土制备的纳米复合材料为剥离型,而其他2种为插层型。有机蒙脱土填充的纳米复合材料的力学性能与高耐磨炭黑填充者相当。与EPDM相比,剥离型纳米复合材料的拉伸强度提高了3.4倍,透气率降低了近40%。 相似文献
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超声波法制备高岭石插层复合物 总被引:2,自引:1,他引:2
用超声波法制备了高岭石插层复合物.利用红外光谱、X射线衍射和透射电子显微镜分析了不同产地高岭石结构的差异、插层效果以及它们之间的关系.比较了不同类型插层剂与高岭石的插层产物、插层效果及插层机理.结果表明:相同条件下,多水高岭石(埃洛石)和结构压力大的管状高岭石比普通高岭石更易于插层.在60℃,3 h,超声波条件下,将高岭石/二甲基亚砜(dimethylsulphoxide,DMSO)作为媒介,采用两步插层法快速制备高岭石/乙醇前驱体,但DMSO的插层率优于乙醇的.甲醇钠与苏州高岭石作用后,使部分苏州土片层间剥离. 相似文献
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Five ternary additions, Cr, Ti, Mn, V, and Al were studied at equi-atomicpercent levels (17 a/o) for their effect on the sulfidation behavior of Ni-19a/o Mo (28–30 w/o) over the range of 600–800°C in 0.01 atm S2. Al was by far the most effective addition. A linear decrease in log kp vs. Al content was observed up to 7.5w/o Al, beyond which no further change was observed. All alloys followed the parabolic rate law. Arrhenius plots gave activation energies of 36.9–41.2 Kcal/mol for alloys containing Ti, Cr, Mn, and V, whereas the activation energies for Al-containing alloys were 47.2 Kcal/mol, indicating that a different diffusion process was involved. Complex scales were formed on all alloys, consisting of an outer layer of Nis1+x and complex inner layers which depended upon alloy composition. Two alloys, those with Cr and Mn, formed intermediate layers of Cr2S3 and MnS, respectively, but these layers had little effect on the kinetics. MoS2 was a constituent of the inner scales except for the alloys with Al. A ternary sulfide, Al0.55Mo2S4 and Al2S3 were observed. The presence of the mixed sulfide was always associated with the low sulfidation rates. The formation of MoS2 on alloys results in a different, less-protective behavior than for MoS2 formed on pure Mo. This effect is due to the intercalation of Ni into MoS2 in octahedral positions between the weakly bonded layers of covalently bonded sheets of trigonal prisms. The size of Al+3 is too small to be intercalated, and thus MoS2 is destabilized by Al. 相似文献
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