VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质

研究了垂直梯度凝固法（VGF法）生长的掺Si低阻GaAs单晶材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较. 利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉积缺陷,对其形成原因进行了分析. 利用荧光光谱研究了掺Si-GaAs单晶中Si原子和B原子的占位情况和复合体缺陷. Hall测量结果表明,掺Si低阻VGF-GaAs单晶中存在很强的Si自补偿效应,造成掺杂效率降低. VGF-GaAs单晶生长过程中高的Si掺杂浓度造成晶体中产生大量杂质沉积,而杂质B的存在加重了这种现象. 对降低缺陷密度,提高掺杂效率的途径进行了分析.     

利用强化磁激励场提高磁记忆检测灵敏度的可行性分析

金属磁记忆检测是一种弱磁场激励下的磁性检测方法,磁记忆检测易受干扰磁场的影响,因而其检测灵敏度和可靠性较低,至今仍难以在实际工程中推广应用。针对该问题,提出了通过强化磁激励场,提高磁记忆检测灵敏度和可靠性的方法。分析了该方法的原理,得出了利用该方法可以有效抑制干扰场,提高检测灵敏度的结论。     

Failure behavior of protective organic coatings under corrosive conditions

Recent research activities on the formation of micro-defects and porosity in organic coatings were reviewed. The mechanisms of aggressive ionic conduction through organic coatings were analyzed. The micro-mechanisms for the failure behavior of coatings under corrosive environments were discussed in detail. These mechanisms included blistering (i. e. osmotic blistering, anodic blistering and cathodic blistering) in the coating, wet-adhesion loss at the substrate/coating interface, cathodic delamination of coating from the substrate. Based on these researches, it was found that the failure behavior of organic coatings is closely related to the micro-defects in coatings, regardless of the failure mode. Additionally, the general failure mode of a coating system was proposed to interpret the failure behavior of organic in corrosion environments. The topics discussed can provide some insights into the development of a methodology for designing fail-safe coating systems.     

影响碳/金属复合材料导热性能的主要因素探讨

碳/金属复合材料在充分发挥增强体高导热、低热膨胀等优异性能的同时,还结合了金属材料易成形性等特点,成为近年来新型热管理材料的研究热点之一。目前,高性能导热复合材料仍存在一些关键问题亟待解决,如:碳材料与金属基体之间的界面调控、材料在制备过程中易产生微观裂纹等缺陷以及增强体空间排布的优化设计等。本文介绍常用高导热碳/金属复合材料的制备方法,并对影响金属基复合材料导热性能的因素及相应的改进措施进行了深入探讨。     

船用脱硫系统废水超滤膜性能对比试验

构建管式错流过滤装置和孔径检测装置,通过敞开式冲压法进行船用废水超滤膜的纯水通量研究,通过泡压法测定不同膜的最大孔径和最可几孔径,并结合电镜表征进一步验证不同膜的微观结构对滤膜性能的影响。结果表明：虽然碳化硅膜的纯水通量大,有利于增大船舶废水处理能力,但其孔径大、缺陷多,难以满足日趋严格的船舶排放法规要求;相比之下,陶瓷膜由于微观孔径小,纯水通量较小,但得益于较少的微观缺陷,其对船舶废水中的杂质甚至是溶解油有较高的截留率。     

垂直Bridgman法生长Cr^3^＋：LiCaAlF6的研究

用垂直Ｂｒｉｄｇｍａｎ法从化学计量比组份的熔体中长出Ｃｒ＾３＾＋：ＬｉＣａＡｌＦ６单晶。采用封闭式坩埚和液封技术有效地抑制了熔体的挥发和环境中微量氧的污染。生长参数为：生长速度０．７ｍｍ／ｈ，生长温度８７０℃，气氛Ａｒ。同时借助于光学湿微镜，扫描电镜，Ｘ射线能谱及波谱对晶体中的显微缺陷进行了观察和分析。对Ｃｒ＾３＾＋：ＬｉＣａＡｌＦ６晶体的吸收光谱和发射光谱进行了测试。此外，通过红外吸收光谱发...     

石墨电极在SEM下的特征

利用SEM（扫描电子显微镜）对石墨电极的显微结构及断口形貌进行了观察分析,探讨了石墨电极的微观结构与其性能的关系,以及微缺陷及其与断裂特性的关系,提出了生产过程中控制和减少微缺陷、提高产品质量的建议措施。