晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状

晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不同，晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了目前国外晶体硅薄膜电池制备技术的最新进展，最新实验室研究结果。报导了晶体硅薄膜电池商业化进展状况，指出了晶体硅薄膜电池实现产业化必须解决的问题。     

无铬钝化技术研究的进展

评述了文献报道和各种不同的无铬钝化工艺的特点及其发展现状。目前还没有一种无铬钝化工艺能够完全代替铬酸盐钝化工艺，某些无铬钝化工艺在某些方面已经与铬酸盐钝化相当，但其市场前景、应用范围及用户环保效果还需要进一步研究。     

主电机轴瓦异常情况分析解决办法

介绍南钢中板厂四辊轧机主电机轴瓦一种非典型故障现象，原因分析及解决办法，提出了对类似问题个人见解。     

聚氨酯-聚丙烯酸酯共聚乳液的成膜和性能

通过XPS和接触角测试研究了聚氨酯-聚丙烯酸酯共聚乳液在不同基材上的成膜情况，并对共聚胶膜的耐水性和附着力进行了考察．由于该共聚乳液同时存在着亲水组分和疏水组分，所以它在不同的基材上成膜可导致其膜表面的组成成分不同，因而导致其耐水性和附着力也随基材而异。结果表明，亲水性的聚氨酯组分均富集于胶膜内部，但胶膜底层聚氨酯组分的含量却随基材的不同而不同。在憎水且表面张力较高的基材上，共聚胶膜的耐水性良好；共聚胶膜的附着力在表面张力较高的基材上也良好。     

掺硼非晶硅薄膜的微结构和电学性能研究

以硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气相反应先驱体，采用等离子体增强化学气相沉积法，(PECVD)制备出能应用于液晶光阀光导层的硼掺杂非晶氢硅薄膜。X射线衍射、原子力显微镜和光、暗电导测试表明，一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率、降低了非晶氢硅薄膜的光、暗电导比；硼掺杂促进薄膜晶态率的增加和硅晶粒尺寸的增大，薄膜的结晶状态将逐渐从非晶硅过渡到纳米硅，最后发展为多晶硅。红外吸收谱研究表明了大量的硼原子与硅、氢原子之间能形成某些形式的复合体，仅有少量硼元素对受主掺杂有贡献。     

钌基厚膜电阻传导模型初探

介绍钌基厚膜电阻的三种传导模型。三种模型都可以得到较满意的R—V曲线，不足处是链模型得出电阻率和导电相粒子形状及尺寸的关系和实验事实不符；有效介质模型不能反映厚膜电阻形成过程中众多因素的影响；渗透模型很多参数的获得有赖经验公式。渗透模型能反映烧结过程中更多因素的影响，并可解释方阻与导电相粒度及峰值温度的变化关系。     

Kinetics of DyNi2 film growth by electrochemical implantation

Electrochemical implantation was performed at Ni electrodes to form DyNi₂ films at 0.55 V (vs. Li⁺/Li), 0.62 V, and 0.70 V for 0.5-5.0 h in a molten LiCl-KCl-DyCl₃ (0.50 mol%) system at 700 K. It was found that the DyNi₂ films grew linearly with time with coulomb efficiency of about 100%. The obtained growth rates were higher at more negative potentials, i.e., 0.47 μm min⁻¹ at 0.55 V, 0.32 μm min⁻¹ at 0.62 V, and 0.14 μm min⁻¹ at 0.70 V. On the analogy of the metal oxide growth, the observed rapid and linear growth of DyNi₂ films may be explained by the existence of the outer and inner DyNi₂ layers.     

基于SPM技术的纳米信息存储薄膜的研究进展

扫描探针显微技术SPM可以在原子或分子尺度上对表面进行表征和修饰，应用SPM技术可以在薄膜表面形成纳米级的信息点阵，特别适合发展超高密度的信息存储，是一种非常有希望代替传统磁存储，光存储的纳米级存储技术，本文介绍了纳米信息存储薄膜的研究进展，并对其制备技术和读写机制进行了初步的探讨。     

Electron transport in InGaO3(ZnO)m (m=integer) studied using single-crystalline thin films and transparent MISFETs

We have investigated the characteristics of transparent metal-insulator-semiconductor field-effect transistors (MISFETs) fabricated using InGaO₃(ZnO)_m (m=integer) single-crystalline thin films as n-channel layers and amorphous alumina as gate insulator films. The MISFETs exhibit good characteristics such as insensitivity to visible light illumination, off-current as low as ∼1 nA with a positive threshold voltage of ∼3 V and on/off current ratio of 10⁵. The field-effect mobility increased from ∼1 to ∼10 cm² (V s)⁻¹ as the m-value increased. Room temperature Hall mobility also increased. However, unexpectedly these values were lower than the field-effect mobility. It is explained by existence of shallow localized state in the homologous compounds.