全文获取类型
收费全文 | 4491篇 |
免费 | 753篇 |
国内免费 | 520篇 |
专业分类
电工技术 | 943篇 |
综合类 | 423篇 |
化学工业 | 395篇 |
金属工艺 | 189篇 |
机械仪表 | 211篇 |
建筑科学 | 432篇 |
矿业工程 | 139篇 |
能源动力 | 273篇 |
轻工业 | 167篇 |
水利工程 | 298篇 |
石油天然气 | 137篇 |
武器工业 | 49篇 |
无线电 | 904篇 |
一般工业技术 | 550篇 |
冶金工业 | 102篇 |
原子能技术 | 166篇 |
自动化技术 | 386篇 |
出版年
2024年 | 27篇 |
2023年 | 107篇 |
2022年 | 241篇 |
2021年 | 240篇 |
2020年 | 211篇 |
2019年 | 184篇 |
2018年 | 181篇 |
2017年 | 230篇 |
2016年 | 246篇 |
2015年 | 233篇 |
2014年 | 332篇 |
2013年 | 336篇 |
2012年 | 377篇 |
2011年 | 371篇 |
2010年 | 257篇 |
2009年 | 257篇 |
2008年 | 213篇 |
2007年 | 290篇 |
2006年 | 214篇 |
2005年 | 199篇 |
2004年 | 153篇 |
2003年 | 136篇 |
2002年 | 105篇 |
2001年 | 109篇 |
2000年 | 88篇 |
1999年 | 80篇 |
1998年 | 50篇 |
1997年 | 46篇 |
1996年 | 51篇 |
1995年 | 38篇 |
1994年 | 27篇 |
1993年 | 28篇 |
1992年 | 27篇 |
1991年 | 13篇 |
1990年 | 14篇 |
1989年 | 8篇 |
1988年 | 11篇 |
1987年 | 6篇 |
1986年 | 10篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 2篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 3篇 |
1976年 | 2篇 |
1975年 | 1篇 |
1959年 | 2篇 |
排序方式: 共有5764条查询结果,搜索用时 31 毫秒
61.
62.
用射频磁控溅射技术制备了高度择优取向的Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,并对薄膜在纯氩气中进行了400~600℃的退火处理.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、光谱仪和四探针测试仪等对退火前后薄膜进行了表征和光学、电学性能研究.研究表明,纯氩气中退火处理对ZAO薄膜的晶体、光学和电学性能有影响.原位沉积的薄膜电阻率2.59Ωcm,可见光区透过率约70%.500℃纯Ar气氛中退火1h后,ZAO薄膜的平均晶粒有所长大,薄膜内应力达到最小,接近于松弛状态;薄膜可见光区平均透过率从70%提高到80%左右;而薄膜的电阻率变化不明显,从2.59Ωcm降低到1.13Ωcm. 相似文献
63.
在研究不同奥氏体化温度下40Cr钢的淬透性时,发现其淬透性曲线上硬度不是单调下降,而出现了一硬化峰,该峰值硬度为32±2HRC,峰位距端面的距离随淬火温度提高而后移,与奥氏体化温度无关.TEM等分析表明,峰值出现的原因是在特定的冷速条件下,铬的碳化物析出强化了珠光体以及Fe4N型有序相形成强化了铁素体而引起的.硬度峰出现的冷速为2~4℃/S。 相似文献
64.
65.
66.
试样表面镀一薄层Ti,消除内耗测最过程中氧吸附的影响.在镀Ti的Ta—O试样中详细研究了Snoek—Koster弛豫.观察到了两个内耗峰(较低温度的SK1峰和较高温度的SK2峰).考查之退火温度和氧含量对内耗峰的形状和稳定性的影响.SK1峰和SK2峰的激活能分别为1.4和2.1eV.用Seeger的螺位错上的双弯结成核和迁移以及几何弯结的迁移理论解释了实验结果.通过理论和实验比较,得到的螺位错上双弯结形成能约为0.9eV,螺位错与氧原子的结合能约为0.3eV实验还发现,进一步冷加工对Snoek峰的影响在实验误差范围内,可以略去不计. 相似文献
67.
目的研究磁控溅射工艺对ITO薄膜光电性能的影响,为制备高性能ITO薄膜提供数据和理论支撑。方法采用磁控溅射在PET基材上制备ITO薄膜,利用扫描电镜、X射线衍射仪、分光光度计、四探针、红外发射率测仪、Hall效应测试系统等,分析工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响。结果随着氧气流量的增加,ITO薄膜在可见光区的透过率先增加,然后变缓,薄膜方块电阻先降低后升高;随着工作气压的增加,ITO薄膜的可见光透过率增加,薄膜方块电阻先下降后上升,电阻率先变小再增大,载流子浓度先增大后减小,红外发射率先减小后增大,晶体结构逐渐由晶态转变为非晶态;随着氩氧比的降低,薄膜红外发射率先降低,然后缓慢升高;随溅射时间的增加,薄膜的厚度逐渐增大,方块电阻、红外发射率和可见光透过率迅速下降,晶体结构逐渐由非晶结构转变为晶体结构。综合对比研究发现,当氧气流量为0.6 mL/min、工作气压为0.4 Pa、氩氧比为19.8∶0.2、溅射时间为80 min时,可获得综合性能优异的ITO薄膜,其可见光透过率大于80%,在8~14μm红外波段的辐射率小于0.2。结论磁控溅射工艺参数是决定薄膜综合质量的重要因素,通过严格控制工艺参数,可获得透明性高、发射率低的ITO薄膜。 相似文献
68.
《稀有金属材料与工程》2005,22(2):34-37
运用H型双面电解槽,采用双面电解充氢法对海水中自然表面钛片进行恒电流电解充氢,研究了钛在海水中的阴极充氢过程。用X-射线衍射法对充氢后碎裂钛片进行检测,同时探讨了试样厚度、充氢电流密度和阳极氧化电位对于氢渗过程的影响。结果表明,表面膜是氢渗过程的控制因素:试样厚度增加,氢氧化峰值电流和峰值电流出现时间增加:峰值电流随充氢电流密度和B面氧化电位升高而增大,而峰值电流出现时间随充氢电流密度和B面氧化电位升高而减小。 相似文献
69.
详细介绍了一种基于PLC的混凝剂投加控制系统的原理、控制策略、硬件构成和软件设计。该控制系统以透光率脉动检测值作为控制因子,采用双PID控制器的串级控制方式实现了混凝剂最佳投加量的控制,并引入流量比例前馈控制,保证了系统出水浊度的稳定。 相似文献
70.