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951.
通过使用印刷电路板预电离小TEACO2激光器,研究了预电离过程中两种照射模式-照射阳极模式和照射阴极模式下,激光器注入能量和输出能量的关系,实验得出,在印刷电路板预电离小TEACO2激光器中,两种照射模式的注入与输出曲线基本吻合,而照射阳极模式下印刷电路板预电离小TEACO2激光器更具有潜力。 相似文献
952.
953.
分别介绍了以Mn^2+和Tb^3+作为激活中心的PDP用硅酸盐体系、铝酸盐体系、硼酸盐体系和磷酸盐等体系绿色荧光粉的研究现状。在以Mn^2+作为发光中心的绿粉中,目前研究主要集中在通过调整Mn^2+的离子浓度、添加其他杂质,探索使用新的基质材料,或是使用不同的合成技术等方法来改进其余辉时间过长、易时效劣化以及形貌上的不足。在以Tb^3+作为激活中心的绿粉中,为了获取在真空紫外激发条件下高的发光效率,则主要围绕寻找在VUV区域内有强吸收的基质和能够有效进行能量传递的稀土敏化剂,以及利用量子剪裁效应来使得荧光粉发光量子效率大于1等方面进行。 相似文献
954.
955.
报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,金属Ni薄膜在快速热退火(RTA)作用下形成了平均直径和高度大约分别为325 nm和70 nm的纳米岛状结构。通过电子扫描显微镜(SEM)照片看出,以GaN表面所形成的Ni纳米岛作为模板图形,通过控制ICP刻蚀时间,在一定的刻蚀时间内(2 min)获得有序的并拥有半极性晶面的GaN纳米柱阵列。这种新颖的半极性GaN纳米柱作为氮化物量子阱或者超晶格结构的生长模板,可以有效减小甚至消除极化效应,提高光电子器件的效率和性能。 相似文献
956.
957.
958.
层流等离子体材料表面改性工艺研究 总被引:2,自引:0,他引:2
针对热物理性能明显不同的3种金属,研究层流等离子体技术在材料表面改性工程应用的可行性.结果表明,重熔工艺适用于热导率适中和微结构稀疏的铸铁类材料;熔覆工艺则适用于低热导率的不锈钢.两种处理工艺均可以明显改变热影响区的材料微结构并提高材料表面硬度.研究表明改性层微结构的改善与材料热物理性能和凝固过程瞬态特性密切相关. 相似文献
959.
960.
等离子体稀土渗氮化合物层中ε相电子结构计算 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了稀土对42CrMo钢等离子体渗氮表面相结构、渗层增厚动力学及渗层显微硬度分布的影响;基于密度泛函理论,采用第一性原理赝势平面波方法计算了化合物层ε-Fe2-3N相的电子结构.XRD结果表明,稀土添加并未改变表面相结构;显微硬度结果表明,稀土添加使试样表面硬度和层渗均有所增加;态密度计算结果表明,稀土添加降低了晶胞中Fe、N的稳定性,提高了原子间的交互作用,起到了催化和强化的双重作用. 相似文献