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131.
随着SOC的发展,单个芯片上集成的内核越来越多,片上系统的复杂化对片上互连线的传输带宽以及可靠性提出了更高的要求.基于传输均衡原理的pre-emphasis技术通过在数据的发送端加强信号高频分量,衰减低频分量,能够有效地提高互连带宽,消除码间干扰.Pre-emphasis电路结构中的延时对电路性能有着很大的影响.通过对传输函数进行拉普拉斯变换,从理论上分析出存在使电路性能最佳的最优延时,该延时与信道的RC参数有关.基于SPICE的电路仿真表明,经过优化的pre-emphasis电路能够更有效地提高传输带宽,实现片上互连的高速传输. 相似文献
132.
介绍了IDT70261的结构特点和基本功能,详细阐述了IDT70261的忙仲裁逻辑、双边中断逻辑和标识器逻辑,给出了一种基于IDT70261的TMS320LF240X和TMS320C54X之间高速实时通信接口设计以及软件实现方案。 相似文献
133.
134.
135.
本文主要阐述印制电路板生产中图形电镀铜常见缺陷及成因,查找影响其品质的因素和工序并结合相关生产制定相应的预防措施,有效提高产品质量。 相似文献
136.
137.
高测速双频激光干涉仪的若干关键问题研究 总被引:2,自引:1,他引:2
新型的塞曼-双折射双频激光(DFL)器可连续输出频差3~40MHz的DFL,以这种激光器为光源的干涉仪允许的最高测速可达4m/s或更高。激光器输出的是两正交的线偏振光,针对这一特性设计装词了系统光路,观察到理想的频移现象。已有外差信号处理方法均不能移植用于处理中频差,改进大数对减法使之适合于处理中频差外差信号,得到50MHz以内无累积误差的计数结果。 相似文献
138.
简要叙述了高精度位置环系统的组成方法,详细阐述了光电编码器在位置环中的应用原理和速度修正方法。概述了单片机及串行D/A的应用。 相似文献
139.
140.
研究开发了一种准2μm高速BiCMOS工艺,采用自对准双埋双阱及外延结构.外延层厚度为2.0~2.5μm,器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化(简称PBLOCOS)隔离,双极器件采用多晶硅发射极(简称PSE)晶体管.利用此工艺已试制出BiCMOS25级环振电路,在负载电容CL=0.8pF条件下,平均门延迟时间tpd=0.84ns,功耗为0.35mW/门,驱动能力为0.62ns/pF.明显优于CMOS门. 相似文献