全文获取类型
收费全文 | 31298篇 |
免费 | 3189篇 |
国内免费 | 2153篇 |
专业分类
电工技术 | 1471篇 |
综合类 | 2096篇 |
化学工业 | 6865篇 |
金属工艺 | 3401篇 |
机械仪表 | 1062篇 |
建筑科学 | 2023篇 |
矿业工程 | 1046篇 |
能源动力 | 944篇 |
轻工业 | 1401篇 |
水利工程 | 786篇 |
石油天然气 | 677篇 |
武器工业 | 107篇 |
无线电 | 2343篇 |
一般工业技术 | 4429篇 |
冶金工业 | 6179篇 |
原子能技术 | 1349篇 |
自动化技术 | 461篇 |
出版年
2024年 | 94篇 |
2023年 | 471篇 |
2022年 | 743篇 |
2021年 | 915篇 |
2020年 | 1038篇 |
2019年 | 976篇 |
2018年 | 964篇 |
2017年 | 1045篇 |
2016年 | 1037篇 |
2015年 | 991篇 |
2014年 | 1534篇 |
2013年 | 1664篇 |
2012年 | 2035篇 |
2011年 | 2178篇 |
2010年 | 1679篇 |
2009年 | 1737篇 |
2008年 | 1568篇 |
2007年 | 1894篇 |
2006年 | 2065篇 |
2005年 | 1711篇 |
2004年 | 1623篇 |
2003年 | 1431篇 |
2002年 | 1222篇 |
2001年 | 1052篇 |
2000年 | 923篇 |
1999年 | 659篇 |
1998年 | 533篇 |
1997年 | 455篇 |
1996年 | 442篇 |
1995年 | 358篇 |
1994年 | 322篇 |
1993年 | 238篇 |
1992年 | 229篇 |
1991年 | 175篇 |
1990年 | 157篇 |
1989年 | 116篇 |
1988年 | 77篇 |
1987年 | 65篇 |
1986年 | 66篇 |
1985年 | 36篇 |
1984年 | 32篇 |
1983年 | 15篇 |
1982年 | 16篇 |
1981年 | 14篇 |
1980年 | 13篇 |
1979年 | 6篇 |
1978年 | 6篇 |
1974年 | 4篇 |
1959年 | 5篇 |
1951年 | 6篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
41.
采用辐照接枝的方法,在高密度聚乙烯(HDPE)上接枝丙烯酸(AA)和对苯乙烯磺酸钠(SSS),从而削备出了一种含羧酸基团和磺酸基团的阳离子交换膜。详细研究了接枝体系中引入添加剂醋酸钠或氯化钠对接枝率的变化规律.实验表明,在预辐照接枝和共辐照接枝中,当AA接技PE或AA与SSS共同接枝PE时,强碱弱酸盐醋酸钠通过pH效应同离子效应对接枝率呈现复杂的影响,而中性盐氯化钠经离子对效应显著提高接枝率。 相似文献
42.
发射尖是液态金属离子源(LMIS)的关键部件之一,其性能的优劣直接影响到整个离子源的工作稳定性。通过对系统软件和硬件的设计,开发了一套发射尖自动腐蚀装置,该装置可以对发射尖腐蚀过程中的速度和深度以及腐蚀电压进行控制,实现发射尖腐蚀工艺的重复性、可靠性,从而为液态金属离子源以及聚焦离子束系统的研制、开发提供了一个有效的辅助工具。 相似文献
43.
土石过水围堰过水期最不利工况及其流量确定 总被引:7,自引:0,他引:7
本文系统分析了影响土石过水围堰溢流工况的主要因素,提出衡量最不利工况的指标和确定员不利流量的方法,为土石过水围堰堰体下游护坡结构及消能防冲设施设计提供了理论依据。通过理论计算结果与模型试验现场观测资料数据对比分析,说明提出的过水期最不利流量判别方法是符合实际情况的。 相似文献
44.
H. W. Brinks V. A. Yartys B. C. Hauback H. Fjellvg B. Ouladdiaf 《Journal of Alloys and Compounds》2002,340(1-2):62-66
TbNiSiD1.78 has been studied by powder neutron diffraction below 100 K. The compound takes the hexagonal room temperature structure at 100 and 50 K (P63/mmc). At 2 K, below the antiferromagnetic ordering temperature of 10 K, there is a small orthorhombic distortion of the lattice. The refined unit-cell dimensions at 2 K (space group Pnma) are a=7.9505(2), b=4.02502(14), c=6.9823(2) Å. The magnetic moments of Tb are 8.71(6) μB, and are ordered antiferromagnetically along a. 相似文献
45.
K. P. Lee S. J. Pearton M. E. Overberg C. R. Abernathy R. G. Wilson S. N. G. Chu N. Theodoropolou A. F. Hebard J. M. Zavada 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):411-415
In p-GaN implanted with Mn (3×1016 cm−2 at 250 keV), the material after annealing shows ferromagnetic properties below 250 K. Cross-sectional transmission electron
microscopy (TEM) revealed the presence of platelet structures with hexagonal symmetry. These regions are most likely GaxMn1−xN, which produce the ferromagnetic contribution to the magnetization. In p-GaN implanted with Fe, the material after annealing
showed ferromagnetic properties at temperatures that were dependent on the Fe dose, but were below 200 K in all cases. In
these samples, TEM and diffraction analysis did not reveal any secondary phase formation. The results for the Fe implantation
are similar to those reported for Fe doping during epitaxial growth of GaN. 相似文献
46.
真空微电子荧光平板显示器件的实验研究刘杰明,李志能,陈秀峰(浙江大学信息与电子工程学系)关键词:真空微电子,反应离子刻蚀一、引言近十年来,随着真空微电子学的崛起,利用微细加工技术,使真空元器件集成化和高性能化已成为可能,一种新型场致发射阵列真空荧光平... 相似文献
47.
本文概述了离子注入过程中污染产生的原因和防止污染的措施,特别强调了对微粒污染和金属污染的防护以满足ULSI加工对离子注入的要求。 相似文献
48.
Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献
49.
从测得的竞聚率计算了单体链节在聚[苯乙烯-甲基丙烯酸β(甲基亚硫酰基)乙酯](PSM)中的序列分布。苯乙烯(S)或甲基丙烯酸β(甲基亚硫酰基)乙酯(M)的长序列的概率随着PSM中相应单体含量的增加而增加。对于S和M摩尔分数大致相等的PSM,单体链节的长序列分布函数值相接近。用与此结构相近的PSM合成的稀土金属络合物,其催化活性不佳。在M短序列分布和S长序列分布较高的情况下,络合物的催化活性最好。所得聚丁二烯的微观结构与PSM中单体单元的分布无关。 相似文献
50.
氧化锌压敏电阻的老化机理 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了ZnO压敏电阻的老化现象,提出了一种新的老化机理-线性链理论。该理论认为,在外电场作用下,压敏电阻势垒高度降低;当降低到一定值时,晶界可变电阻转化为线性晶界电阻,从而压敏链转化为线性链。线性链是稳定的,因而压敏电阻老化到一定程度后其电性能将不能完全恢复。 相似文献