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81.
针对目前铜线封装对芯片压焊块的铝层厚度要求较高的问题,通过改进芯片制造工艺流程,对芯片内部压焊块的铝层进行单独地加厚。以便同时满足芯片封装厂采用铜线打线和芯片制造厂金属刻蚀工艺难易的要求。做法为,在钝化层刻蚀完成后,再生长一层足够厚的金属层,进行钝化层反版的光刻以及湿法刻蚀,只保留下压焊块区域的金属层,此时压焊块区域就... 相似文献
82.
83.
84.
取样光栅周期中等效啁啾的实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在Moire取样Bragg光纤光栅(SBG)的理论基础上,首次通过用相位模板旋转和2次曝光的方法,得出了带有取样啁啾的SBG的各个Fourier级数的等效啁啾率。实验数据和理论值的误差小于9%。 相似文献
85.
连续40 W 808 nm量子阱线阵二极管激光封装技术 总被引:4,自引:4,他引:4
研究了高功率二极管激光 (LD)封装中的铟焊料蒸镀工艺和回流焊工艺对芯片焊接状态的影响。在数值模拟和实验研究的基础上 ,优化了冷却器结构设计 ,研制出具有热阻低、压降小的铜微通道液体冷却器 ,可以满足热耗散功率大于 6 0W的二极管激光器散热冷却需要。通过封装实验得到输出功率 40W ,波长 80 8nm ,谱线半高宽<2nm ,电光效率近 40 %的连续线阵二极管激光器。用该激光器进行了抽运Nd∶YAG固体激光实验 ,在抽运功率为 40W时 ,获得 11 8W单横模固体激光输出 ,光 光效率约为 30 %。 相似文献
86.
The In-Sn-Ni alloys of various compositions were prepared and annealed at 160°C and 240°C. No ternary compounds were found;
however, most of the binary compounds had extensive ternary solubility. There was a continuous solid solution between the
Ni3Sn phase and Ni3In phase. The Sn-In/Ni couples, made of Sn-In alloys with various compositions, were reacted at 160°C and 240°C and formed
only one compound for all the Sn-In alloys/Ni couples reacted up to 8 h. At 240°C, Ni28In72 phase formed in the couples made with pure indium, In-10at.%Sn and In-11at.%Sn alloys, while Ni3Sn4 phase formed in the couples made of alloys with compositions varied from pure Sn to In-12at.%Sn. At 160°C, except in the
In/Ni couple, Ni3Sn4 formed by interfacial reaction. 相似文献
87.
数字掩模技术是一种很有发展前途的衍射微光学元件制作技术。实际制作时,由于感光材料具有感光非线性,实际可利用的灰度数目将小于256。即使256级灰度全部可用,也无法实现曝光量的精细控制以达到一般的加工要求。文中提出了2种灰度细分的方法,即多SLM组合调制和彩色等效灰度技术。从理论上分析了2种方法均能实现灰度的细分,从而达到曝光量的精细控制。 相似文献
88.
While extensive research on the lead-free solder has been conducted, the high melting temperature of the lead-free solder
has detrimental effects on the packages. Thermosonic bonding between metal bumps and lead-free solder using the longitudinal
ultrasonic is investigated through numerical analysis and experiments for low-temperature soldering. The results of numerical
calculation and measured viscoelastic properties show that a substantial amount of heat is generated in the solder bump due
to viscoelastic heating. When the Au bump is thermosonically bonded to the lead-free solder bump (Sn-3%Ag-0.5%Cu), the entire
Au bump is dissolved rapidly into the solder within 1 sec, which is caused by the scrubbing action of the ultrasonic. More
reliable solder joints are obtained using the Cu/Ni/Au bump, which can be applied to flip-chip bonding. 相似文献
89.
用荧光厚度分析仪、X光透视、扫描电子显微镜/能谱仪及切片分析等手段研究了不同镀镍壳体的烧结性能。结果表明,不同镀镍类型的镀层可焊性不同,电镀暗镍可焊性最差,电镀氨基磺酸镍和化学镀NiP的可焊性相对较好。SnAgCu焊料与镀镍壳体润湿较好,基片烧结空洞率较低,烧结界面与壳体及基片和玻璃绝缘子结合致密,玻璃绝缘子烧结的密封检漏通过率达90%。温度冲击后,烧结界面无明显分层和裂纹出现,镀镍壳体试制样品的电性能满足设计要求。 相似文献
90.
Chaosuan Kanchanomai Yukio Miyashita Yoshiharu Mutoh 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):456-465
Low-cycle fatigue (LCF) tests on as-cast Sn-3.5Ag, Sn-3Ag-0.5Cu, Sn-3Ag-0.5Cu-1Bi, and Sn-3Ag-0.5Cu-3Bi solders was carried
out using a noncontact strain-controlled system at 20°C with a constant frequency of 0.1 Hz. The addition of Cu does not significantly
affect the fatigue life of eutectic Sn-Ag solder. However, the fatigue life was significantly reduced with the addition of
Bi. The LCF behavior of all solders followed the Coffin-Manson relationship. The fatigue life of the present solders is dominated
by the fracture ductility and can be described by the ductility-modified Coffin-Manson’s relationship. Steps at the boundaries
of dendrite phases were the initiation sites for microcracks for Sn-3.5Ag, Sn-3Ag-0.5Cu, and Sn-3Ag-0.5Cu-1Bi solders, while
for Sn-3Ag-0.5Cu-3Bi solder, cracks initiated along both the dendrite boundaries and subgrain boundaries in the dendrite phases.
The linking of these cracks and the propagation of cracks inside the specimen occurred both transgranularly through eutectic
phases and intergranularly along dendrite boundaries or subgrain boundaries. 相似文献