1 000 t/d湿磨干烧生产线工艺特点和调试

湿法生产线的技术更新改造有异地新建新型干法生产线和原地改成湿磨干法生产线二种。浙江虎山集团(?)3.0 m×88.68 m湿法线的改造,经方案比较和生产原料的状况,采用了湿磨干烧方案。其中,料浆脱水采用了真空吸滤法,浇成系统采用了南京院专有技术。改造投产后,获得了优质、高产、低耗和安全生产的技改效果。     

直接纺大批量POY260dtex/144f生产工艺探讨

研究了熔体直接纺长丝装置大批量生产差别化纤维 2 60dtex/14 4fPOY品种的工艺 ,并且对影响POY质量的因素进行了探讨     

铝型材推弯工艺

通过铝型材圆环的推弯实验,研究了推弯工艺原理、变形过程,结合有限元模拟得到了和实验结果相吻合的型材厚度分布、成形零件卸载回弹后的曲率半径及型材截面畸变.结果表明:推弯零件曲率及截面畸变一致性高,成形模具结构简单且便于调整,数值模拟可以用于推弯工艺的优化分析.     

优化工艺指标提高盐水质量

介绍了通过优化工艺指标，如精确控制化盐温度、增加粗盐水的过碱量、减少助沉剂的投加量等提高了盐水质量并降低了生产成本。     

电子直线加速器中计入纵向与横向耦合效应的束流包络线方程组

一、引言从束流动力学的观点出发,对于粒子束在直线加速器中的运动,有两种主要的分析方法,也即粒子轨迹跟踪法及考察束流包络运动的方法。前者是通过解单粒子运动方程,跟踪大量的单粒子运动轨迹而后进行分析;后者则是通过解束流的包络线方程,根据束流包络的变化来进     

32位实时操作系统FCCRTOS的设计与实现

介绍了自行设计的，不依赖其他软件支持而存在，可直接运行在Ｉｎｔｅｌ８０３７６、８０３８６、８０４８６和８０５８６处理器的计算机上，便于移植的一个完全独立的实时操作系统—ＦＣＣＲＴＯＳ。其特点为：３２位寻址、内存保护模式的段式管理、多任务并发处理、实时事件线程管理、支持多总线通信协议、模块化设计及目标程序完全ＲＯＭ化等。     

球化退火态钢脱碳层深度的金相法测定

论述了国内外金相测定球化退火钢脱碳层深度的标准方法和常用方法存在的不准确性和不适用性问题,提出了解决问题的途径——定量金相法。     

热浸镀铝护栏的生产工艺研究

热浸镀铝护栏的生产通过除油→除锈→烘干→热浸镀→精整等过程完成，最佳热浸镀温度为７３０～７５０℃，保温时间３～８ｍｉｎ，护栏提升速度１ｍ／ｓ     

扩展有限递归进程模型

主要讨论离散事件动态系统的建模问题。由ＫＩｎａｎ和ＰＶａｒａｉｙａ提出的有限递归进程（ＦＲＰ）是描述并发离散事件动态系统的有力工具，但在其ＦＲＰ中，没有定义对数据变量的操作和条件转移算子。本文扩展ＦＲＰ包括这两方面内容。最后举例说明扩展ＦＲＰ的描述能力。     

A theory for the formation of tetrahedral amorphous carbon including deposition rate effects

A theoretical model is presented to describe the effect of ion beam bombardment rate on the formation of tetrahedral amorphous carbon (ta-C) films. The critical ion energy, E_c, corresponding to a 50% sp³ content in the films, is found to be dependent on both the effective thermal resistance and the ion beam bombardment rate. In the model, the ‘window’ width in the ion energy scale for the formation of ta-C material increases with decreasing deposition rate and with a reduction in the effective thermal resistance, until limited by lower and upper boundary thresholds. Experimental data are reproduced by the model. The plasmon energy, which correlates with sp³ fraction, is found experimentally of be higher for lower deposition rate and smaller effective thermal resistance. Data points for high sp³ content ta-C films deposited on silicon substrates at room temperature occupy a region in the ion energy-deposition rate (E-r) diagram similar to that predicated from the theory.