浅谈水闸安全检测

通过对华东沿海地区80年代以前修建的一些在役水闸工程的系统安全检测和分析,发现了水闸工程存在的安全隐患,同时也了解水闸工程尚有的潜在能力。提醒水闸管理部门,在役水闸满足目前社会发展需要的同时,还必须高度重视水闸的安全生产运行和管理。水闸安全检测就是利用先进的检测手段,为业主及时、高效、经济和高质量地解决水闸工程存在的实际问题。     

混凝土骨料二维分布的模拟和应用

通过在一个矩形截面上模拟混凝土骨料的实际分布，获得了该截面上任一点的骨料分布密度和骨料分布的统计特性。模拟结果表明，当模拟次数趋向于无穷大时，截面上任一点的骨料分布密度趋向于定值，对于不同的骨料面积百分数，骨料分布密度曲线的形状十分相似，均由上升段和水平段两部分组成。基于这些模拟结果，利用数学拟合获得了骨料分布密度的解析表达式，并被混凝土实验所初步证实。作为一个应用，本文计算了混凝土截面上各点的氯离子扩散系数。     

全新设计的光缆钢丝铠装高速成缆机

主要介绍新型光缆钢丝铠装高速成缆机的总体设计、布局、参数、结构特点。     

焊接方法对双相不锈钢焊接接头力学性能的影响

研究了不同焊接方法对SAF2205双相不锈钢板焊接接头金相组织和力学性能的影响,结果表明,采用不同焊接方法得到的焊接接头的铁素体与奥氏体两相比例不同,使焊接接头的力学性能存在较大差异,对实际生产中SAF2205双相不锈钢的焊接具有一定的指导意义。     

汽车发动机电机铁芯用钢(ADW2)的研制开发

鞍钢研制开发的汽车发动机启动电机用钢是针对汽车电机铁芯用钢（定、转子）而开发的电机钢类产品。介绍了该产品的研制过程及规格、特点。通过批量试制及装机试验，产品巳满足用户的使用要求。     

COM组件接口方法参数的数据类型的选择

论述了在用 Visual C+ +建造 COM组件时 ,如何选择接口方法参数的数据类型的问题。结合客户程序是 ASP应用程序的情景 ,讨论利用 Visual C+ +和 ATL ,如何在组件程序的一端选择相应的数据类型。     

弹簧钢棒线材质量投诉的分析研究

为分析研究某特钢厂用户投诉的原因及存在的问题，统计了其两年间的弹簧钢棒线材用户质量投诉，从缺陷类型及生产过程控制进行了分析，重点对多起断裂原因不明的投诉进行了深入的失效研究。结果表明，弹簧钢生产厂在设备工艺、过程控制和管理中存在很多不足，加上用户的使用工艺、材料的内外质量和规格等综合因素导致了材料的断裂失效。     

地震复合波地质属性的研究方法

在地震资料解释中,地震复合波的地质属性问题一直没有得到很好地解决。本文针对松辽盆地砂泥岩薄互层的地质特点,提出了用波形合成追踪法研究地震复合波地质属性的方法。该方法在地震复合波正演合成过程中有五个可以识别的特征界面,其中 C 界面是地震复合波形成的主导界面;C 至 D 界面间的地层为形成地震复合波的主要地层。因此,找准 C 界面深度是建立地震复合波与钻孔地层间有机联系的关键,对地震地质层位准确标定和利用地震剖面复合波波形信息进行岩性预测极为重要。文中的应用实例表明,用该方法在松辽盆地较好地建立了地震信息与地质信息间的对应关系,解决了一些疑难地质问题,取得了较好的勘探效果。     

微合金化高强度钢轧制采用的工艺技术

本文综述微合金化高强度钢轧制采用的工艺技术，其中包括热装热送、板坯加热、控轧控冷、快速冷却、采用的新设备等工艺技术。重点是生产低碳、高韧性、高强度、易焊接的造船用钢采用形变热处理技术，以提高产量和质量，节省昂贵的Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ等合金，降低生产成本。     

Thermal stability of interfaces between metals and InP-based materials

The thermal stability of interfaces between metals (Ni, Pt, Ti, Mo) and III-V compound semiconductors has been investigated by the application of Rutherford backscattering spectrometry. Metal diffusion and interfacial lattice disorder of the semiconductors were analyzed for various metal/semiconductor samples annealed at temperatures up to 500°C. The interfaces of Ni/GaAs and Ti/GaAs were found to be more stable than those of Ni/In-based semiconductors and Ti/ In-based semiconductors, respectively. Faster diffusion of Pt atoms was ob-served in In-and As-containing materials than in P-containing materials. Mo/ semiconductor interfaces were the most stable.