全文获取类型
收费全文 | 20359篇 |
免费 | 2334篇 |
国内免费 | 1985篇 |
专业分类
电工技术 | 475篇 |
综合类 | 2197篇 |
化学工业 | 921篇 |
金属工艺 | 4048篇 |
机械仪表 | 1872篇 |
建筑科学 | 4560篇 |
矿业工程 | 1710篇 |
能源动力 | 440篇 |
轻工业 | 236篇 |
水利工程 | 1747篇 |
石油天然气 | 622篇 |
武器工业 | 191篇 |
无线电 | 393篇 |
一般工业技术 | 2986篇 |
冶金工业 | 1480篇 |
原子能技术 | 77篇 |
自动化技术 | 723篇 |
出版年
2024年 | 107篇 |
2023年 | 335篇 |
2022年 | 555篇 |
2021年 | 735篇 |
2020年 | 758篇 |
2019年 | 619篇 |
2018年 | 627篇 |
2017年 | 782篇 |
2016年 | 873篇 |
2015年 | 896篇 |
2014年 | 1256篇 |
2013年 | 1251篇 |
2012年 | 1534篇 |
2011年 | 1693篇 |
2010年 | 1192篇 |
2009年 | 1208篇 |
2008年 | 1101篇 |
2007年 | 1361篇 |
2006年 | 1236篇 |
2005年 | 967篇 |
2004年 | 838篇 |
2003年 | 768篇 |
2002年 | 636篇 |
2001年 | 539篇 |
2000年 | 530篇 |
1999年 | 451篇 |
1998年 | 330篇 |
1997年 | 289篇 |
1996年 | 207篇 |
1995年 | 202篇 |
1994年 | 171篇 |
1993年 | 115篇 |
1992年 | 109篇 |
1991年 | 85篇 |
1990年 | 91篇 |
1989年 | 71篇 |
1988年 | 53篇 |
1987年 | 22篇 |
1986年 | 20篇 |
1985年 | 10篇 |
1984年 | 9篇 |
1983年 | 8篇 |
1982年 | 12篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 6篇 |
1979年 | 11篇 |
1975年 | 1篇 |
1959年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
81.
分析了机柜转笼下沉的原因,提出了几种防下沉方法。应用结果表明,这些方法可以解决转笼下沉问题,并可应用到各种转笼式结构的机柜中。 相似文献
82.
半导体激光器封装中热应力和变形的分析 总被引:2,自引:0,他引:2
为了解决半导体激光器封装的热应力和变形问题,利用有限元软件ANSYS对SnPb、In、AuSn三种焊料焊接激光器管芯的情况分别进行了模拟,得到了相应的热应力大小和变形情况,分析了焊料和热沉对激光器热应力和变形的影响.对比了这几种不同封装方法的激光器发光区图像的弯曲程度,验证了模拟结果.由模拟和实验结果可见,采用In焊料是减小激光器热应力和变形的最佳选择.另外,适当增加热沉厚度,选择热匹配的材料,焊接时进行预热,可减小激光器的热应力和变形.通过模拟和实验分析,提出了减小热应力和变形的方法,为优化激光器的封装设计提供了参考依据. 相似文献
83.
以解析热分析理论为基础,建立了平板Nd:LuVO4晶体在激光二极管阵列双侧泵抽运时的导热微分方程。通过方程求解,得到平板Nd:LuVO4晶体内部温度场分布的解析式及热形变分布。温度场和热形变场的数值模拟表明:当泵浦光平均功率Po=10 W、泵浦区域为1 mm×1 mm时,四组激光二极管阵列光源在三处不同位置的一维温度场、二维温度场分布和热形变量有很大差异;将三处泵浦光源位置所产生的温度分布和热形变量对比,得到了泵浦光源在位置1、2处所产生的温升和热形变量相对较小,位置3处最大。所得结论可为平板Nd:LuVO4激光器的设计及热效应消除提供理论依据。 相似文献
84.
形变铜中位错组态的电镜分析 总被引:1,自引:1,他引:1
本文用TEM衍射成像技术观察在室温下形变铜中位错胞结构的产生与发展,测定了胞壁厚及位错环尺寸等应变的变化规律,并探讨了胞尺寸与位错密度,流变应力之间定量关系的存在。 相似文献
85.
利用透射电子显微镜弱束成像技术金属间化合物FeAl超塑性变形后的位错组态,发现一种由「100」位错和「010」位错构成的倾侧小角度晶界,该晶界做了一定的迁移运动而形成一系列台阶,本文讨论了该晶界的台阶形成机制及其对FeAl金属间化合物超塑性变形的贡献。 相似文献
86.
Strain evolutions of SiGe film during Ge condensation processes of SiGe on silicon-on-insulator were studied in detail with assistance of X-ray diffraction. At the beginning of Ge condensation, SiGe on silicon-on-insulator with low Ge fraction was oxidized at higher temperature of 1150 °C, the strong plastic deformation of buried SiO2 and Si-Ge intermixing relieved most of the strain in SiGe with increasing Ge fraction. When temperature was reduced to 900 °C for oxidation of SiGe layer with higher Ge fraction, Ge accumulation overmatched Si-Ge inter-diffusion, resulting in non-uniform profile of Ge in SiGe layer. During this period, plastic deformation of buried SiO2 can be neglected and dislocation gliding plays a significant role in relieving strain in SiGe, which enlarges the surface roughness. The strain in SiGe increases gradually with condensation time for the thickness of SiGe layer reduces close to its critical thickness, even with higher Ge fraction. Intensive over-oxidation of germanium-on-insulator materials was suggested to be effective to fully relax the compressive strain but should be precisely controlled to avoid surface deterioration. 相似文献
87.
首先采用有限元法建立了双面粘贴压电元件的悬臂梁驱动装置的理论模型,并通过实验验证了理论分析的可行性。然后,利用有限元软件建模的方便性,计算分析了粘贴层和压电层性质(弹性性质和尺寸大小)对驱动器与结构材料之间变形传递关系的影响。 相似文献
88.
本文提出的基于长周期光纤光栅(LPFG)的全光纤宽阻带滤波器的制做方法,基本原理是在光纤纤芯中引入周期性的非对称形变,从而使光纤纤芯的折射率发生周期性变化;提出了两种实现光纤纤芯非对称形变的方法,进而制做出阻带中心波长分别为1310nm和1550nm的全光纤宽阻带滤波器插入损耗分别小于0.8dB和1.4dB,后向反射损耗小于-70dB。这样的器件可用于提高WDM系统的隔离度。 相似文献
89.
齿轮激光表面强化技术研究 总被引:9,自引:0,他引:9
提出了齿轮激光表面强化的偏置技术、变速扫描技术和辅助冷却技术 ,因而 ,获得了沿齿廓分布的均匀硬化层。检测结果表明 :齿轮激光淬火变形很小 ,不影响齿轮的精度等级。 相似文献
90.
优化设计是现代设计方法的重要组成部分,遗传算法是优化设计方法之一.根据薄壁铝合金件的加工变形量的经验公式,通过有限元分析软件Ansys 10.0对其变形量进行仿真,得出零件在不同加工参数下的变形量;再由优化设计中的遗传算法,用MATLAB7.0工具箱中的程序编程,得出在最小变形量时所需的加工参数和夹紧力,其对产品的生产加工有着现实的指导意义. 相似文献