退火温度对纳米TiO2薄膜微结构的影响

利用XRD、IR、UV-VIS、AFM、XPS等手段,研究了退火温度对溶胶–凝胶法制备的纳米TiO2薄膜微结构和表面形貌的影响。450~600℃退火处理的薄膜呈锐钛矿和金红石型混晶结构,700℃退火后为纯金红石相;水峰的吸收峰消失在300~500℃之间,至500℃有机基团完全消失,薄膜表面主要有C,Ti,O三种元素;改变退火温度,可以使薄膜的禁带宽度在3.26~3.58eV之间变化,可以在一定范围内,获得不同折射率的TiO2纳米薄膜;薄膜的表面粗糙度(RMS)为2~3nm。     

适用SAW器件的高C轴取向ZnO薄膜制备及性能分析

探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析。研究表明:在一定温度范围内随退火温度上升薄膜C轴取向性更优;同时O空位的填充、自由Zn原子的氧化使得薄膜电阻率提高至107Ω·cm数量级;600℃为最佳退火处理温度,600℃退火处理的ZnO薄膜粗糙度小(RMS为2.486nm),且晶粒均匀致密,表面平整,是适于制备声表面波(SAW)器件的高C轴取向、高电阻率及较平坦的ZnO薄膜。     

不同固体表面下激光多普勒测速的数值模拟

激光多普勒测速仪(LDV)的测量精度和应用受到光电探测器、环境状况、频谱加宽和信号处理等因素影响。本文根据条纹模型和散射机理建立了固体LDV的数学模型,并通过数值模拟详细分析了固体表面特性和测量精度之间的关系,实验结果和数值模拟结果符合得很好。LDV能够精确地测量出固体表面运动速度,但要求被测固体的表面粗糙度在一定范围内,而且这个范围由条纹间距和有效探测体宽度决定。     

用于平场光谱仪的非球面全息凹面光栅设计

基于全息凹面光栅理论和ZEMAX软件,设计了一种用于平场光谱仪的消象差平场非球面全息凹面光栅。与采用相同口径、相同相对孔径的全息凹球面光栅构成的平场光谱仪比较,在入射狭缝宽度相同的情况下,该光栅所构成的平场光谱仪的分辨率得到明显提高。同时,利用较大相对孔径非球面全息凹面光栅,可使平场光谱仪的结构更紧凑,从而可实现平场光谱仪的小型化。     

新型的化学镀锡在无铅焊接之运用

阐述线路板的绿色表面涂覆的化学镀锡工艺的有关理论和技术,化学镀锡应用是实现取代热风整平表面涂覆绿色化的最重要的手段之一。我司第三代化学镀锡应用是突破目前化学沉锡的供应商共拥硫脲作为电位改变剂配方此环节,是一种新型独特的科技。     

硅片纳米微粒清洗洁净新技术

随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽正在不断减小,对硅片表面质量处理的要求也就越来越高.传统的湿法清洗已经不能满足要求,故必须研发新的微粒清洗方法.简述了硅片表面污染物杂质的类型、传统的微粒湿法清洗法和干法清洗法,然后在此基础上分析了几种硅片制备工艺中纳米微粒的去除新技术,包括低温冷凝喷雾清洗工艺,N2O电子回旋加速共振等离子系统清洗技术,以及超细晶圆质量无危险的清洗方法等.     

基于反射光强度检测的棱镜SPR传感器

提出一种基于Kretschmann结构的新型棱镜表面等离子体波共振(SPR)传感方法.基于常规SPR角度检测系统,固定入射光角度,检测不同待测液体介质所对应的光强反射率,实现对液体相关性质的检测.通过建立理论模型和数值模拟,考察棱镜基体类型、金属薄膜介电常数和厚度、入射光波长等参数对SPR光强反射率的影响,进而提出耦合系数η用以衡量SPR效应强弱和变化趋势.此检测方法可省去常规角度调制系统中精密角度旋转装置,无需实时调整光探测器接收角度,并可根据需要动态调整检测范围.     

热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度

提出了一种热氧化的方法来改善干法刻蚀硅波导的表面质量.通过Suprem二维工艺模拟程序对氧化过程的物理模型进行了分析.用实验证实了该方法的可行性并与模拟结果进行了比较.实验中将硅波导的表面粗糙度由65.4nm降低到了8.8nm.另外讨论了分次氧化方法的利弊     

频率选择表面在节能玻璃中的应用研究

在现代建筑设计中,节能玻璃得到了越来越广泛的应用。节能玻璃表面镀上了一层阻性金属氧化物,这层金属氧化物能有效地屏蔽射向室内的红外线,同时将室内物体所辐射的长波保留在室内,能够起到很好的隔热作用并提高能量利用率,从而使建筑物冬暖夏凉。需要指出的是,阻性金属氧化物表面对移动信号、GPS等电磁波的衰减高达30dB。通过将金属氧化物层刻蚀出具有带通特性的频率选择表面（Frequency Selective Surface,FSS）单元,可以保证在阻隔红外线能量的情况下大大提高微波射频信号的透波率。本文在节能玻璃上设计了3种不同的带通FSS,与以往文献提出的十字形FSS相比,能够在保证900～2000MHz频段信号同等透波率的情况下,隔热效果更好。     

利用湿法刻蚀的方式制备黑硅

采用一种简便的方法制备出具有很好光吸收性能的黑硅材料,利用化学气象沉积和光刻的方式在硅片（100）表面形成圆形Si3N4掩膜,然后采用两种湿法刻蚀相结合方式来制备黑硅材料。首先采用碱刻蚀的方式对硅片进行各向异性刻蚀,刻蚀完成后在硅片表面形成尖锥形貌;后期利用金纳米颗粒作为催化剂,采用酸刻蚀的方式对硅片表面进行改性,在硅片表面形成多孔结构。这种黑硅材料在250～1000nm波段的光吸收率可以达到95％以上。