Realization of reconfigurable filtering horn antennas using active frequency selective surfaces for GSM and LTE signal filtering

Herein, it is aimed to design an Active Frequency Selective Surface (AFSS) based high performance reconfigurable filtering antenna (Filtenna). The proposed AFSS unit element is consist of a single PIN diode with a simple microstrip patch design which performance characteristics are varies with the state of the diodes. The proposed unit elements have been used to form an array that is placed at the aperture of a double ridge horn antenna. With the variation in state of diodes, the antenna acts as a Filtenna module to filtering the incoming electromagnetic waves in frequency band of 1.8 to 2.8 GHz. From the experimental results, it is shown that the proposed Filtenna achieves a signal attenuation of 7.3 dBi at 2.1 GHz.     

迭代学习控制用于StatCom阻尼区域间振荡的研究

ＳｔａｔＣｏｍ一般安装在长距离输电线路上,用于提高电力系统的稳定性,阻尼振荡,提高电压控制的精度及系统的传输能力。     

变压器绕组变形的综合诊断

通过对不同电压等级变压器运行情况的统计分析,发现变压器绕组的变形程度与绕组电容变化率密切相关,通过实例证明,变压器绕组电容变化量可以作为判断变压器绕组是否变形的辅助方法。     

射频电容液位计在海上溢油液位检测中的应用

简单介绍了射频电容液位计进行油水双液位检测的基本原理,阐述了海上溢油回收检测装置的基本构造及其工作过程。针对海上特殊应用环境的测量需求,提出分别按油、按水标定的液位检测方案。油水混合状态下,对2组实验测试数据进行误差和线性度的数值计算,通过曲线拟合对比分析,最终确定了海上溢油回收集油箱油位检测的最优化方案—按油标定检测。实验证明,该方案可以满足现场实际测量环境的要求,液位计的测量精度高、线性度好。     

倒棱机的自动控制与调速系统

倒棱机的自动控制与调速系统涉及可编程控制器、直流调速系统、变频器、电子凸轮开关等自动化设备 ,这些自动化设备之间协调配合非常重要。为使设备运行最佳化 ,修改了可编程控制器的程序、增加了辊道的变频调速 ,使设备性能大为改善 ,系统的稳定性显著提高     

选矿浓缩过程矿浆浓度的模糊控制

针对治金行业选矿浓缩过程的工艺特点,介绍了基于变频技术的矿浆浓度模糊控制,较好地控制了浓度指标,同时也稳定了矿浆流量并大幅度节能降耗。该设计已在宝钢、武钢等选矿厂中得到成功应用,效益显著。     

基于PLC和变频器的恒压供水系统研究

介绍了基于PLC和变频嚣技术的恒压供水系统的组成和工作原理,给出了控制系统的硬件组成和软件设计方案,实践结果表明该系统实现简单、运行稳定。     

磁性薄膜高频特性研究进展

对国内外近年来在磁性薄膜高频特性的研究进展进行了较为系统的总结.包括单层膜到多层膜的转变促进高频特性的改善;不同材料对(金属层/绝缘层)对多层膜高频特性的影响;一些特殊材料薄膜的高频特性;退火效应对磁性薄膜高频特性的影响;薄膜的微结构和薄膜特性的关系等几方面.     

基于故障暂态电流的无通信保护研究

对故障电流信号噪声的频谱特性进行仿真研究表明，窄频带的高频信号不易很好的表故障高频暂态分量的特征，利用多分辨分析和小分解快速算法对故障暂态电流进行分析，可以充分反映故障暂态电流不同频率成分的特点，以此构成的暂态电流保护递推新判据，可以准确区分区内，区外故障。EMTP仿真证明了新方案的有效性。     

A new extrinsic dc model for high speed lattice matched InAlAs/InGaAs/InP HEMT with a predicted 135 GHz cut-off frequency

Extrinsic lattice matched InAlAs/InGaAs/InP HEMT model, incorporating the parasitic source and drain resistance, for very high frequency application is developed. The current voltage characteristics and the transconductance have been evaluated and the influence of carrier concentration dependent mobility on frequency has also been analyzed. A cut-off frequency of 135 GHz is obtained.