PBGA焊点热疲劳寿命的正交试验及回归分析

通过对ＰＢＧＡ焊点形态参数与焊点热疲劳寿命的正交试验,利用大型统计分析软件进行多元线性回归分析,建立起ＰＢＧＡ焊点高度固定,芯片在上焊点高度不固定及芯片在下焊 度不固定三种不同工作条件下形态参数与热疲劳寿命之间的回归多项表式,即ＰＢＧＡ焊点形参数与热疲劳寿命的关系表达式。     

HEMT器件小信号模型研究

提出一种AlGaAs/GaAs HEMT器件沟道电荷新模型,该模型用一个通用解析函数中系数的不同值来描述二维电子气(2DEG)和AlGaAs层中的电子浓度。在小信号特性上,除考虑了2DEG层外,又在考虑了AlGaAs层、速度饱和、饱和区沟道长度调制效应和源、漏串联电阻RS和RD等效应的基础上,推导出直流特性、跨导、输出电导和栅电容的解析表达式。仿真说明,在较大的栅、漏压范围内,该模型的理论值与实验结果符合良好。     

一种新的小波阈值去噪方法研究

本文研究用组合小波对含噪信号的去噪问题,对均方根误差、信噪比、平滑度等信号指标进行多指标融合作为去噪效果的评价参数,根据评价参数确定最佳小波分解尺度、小波去噪最佳小波基和最佳阈值。新的去噪方法与传统的去噪方法相比,克服了硬阈值不连续的缺点,还克服了软阈值中估计小波系数与分解小波系数之间的恒定偏差的缺点。MATLAB仿真结果表明,新的阈值函数的去噪效果在各指标上都优于传统的阈值去噪方法。     

一种多径线性调频信号的参数估计方法

基于循环互相关变换，提出了一种结合循环频率域的信号分离技术的多径LFM信号参数估计方法。该方法首先利用信号循环相关变换，估计出源信号的特征参数，根据估计出的参数重构出源信号，并将其和观测信号作循环互相关变换，再根据信号循环频率域上的多径信号特征，估计出最强路径信号分量的时延和衰减因子参数，然后重构最强路径分量，最后将其从观测信号中滤去，这样逐次分离出各径信号，从而有效地抑制了强路径信号分量对弱路径信号分量的影响。最后运用计算机进行了仿真实验。     

快速时域有限差分方法计算矩形缺陷接地结构

Courant-Friedrich-Levy(CFL)稳定性条件会限制传统时域有限差分(FDTD)时间步长的选择,因此,采用传统FDTD对矩形缺陷接地结构(RDGS)传输系数(S₂₁)进行计算,需要耗费大量的计算时间。为了节省计算时间,提高计算效率,采用无条件稳定的Crank-Nicolson格式FDTD(CN-FDTD)对RDGS传输系数进行计算,详细讨论了CN-FDTD时间步长与计算效率和计算精度的关系。数值结果表明:当CN-FDTD时间步长取值远大于CFL时间步长时,其计算结果与传统FDTD计算结果仍然吻合,同时计算效率能提高77.2%。比较了CN-FDTD和ADI-FDTD的计算误差,在时间步长取值相同的情况下,CN-FDTD的计算误差要远小于ADI-FDTD。     

浅析FFU参数选择和实际应用

FFU的核心参数在实际中的选择和应用。     

旋波媒质基本参数的一种测试方法

本文提出了直接利用旋波材料板的Ｓ参数获得其基本参数的方法。通过自由空间测量旋波材料板的反射场和透射场，可以反演得到媒质的复介电常数、复磁导率、旋波量以及透射场的轴比和旋转角，测试程序简单，结果精度高。     

Structural,optical, and photocatalytic properties of the spray deposited nanoporous CdS thin films; influence of copper doping,annealing, and deposition parameters

Nanoporous thin films of Cd_1−xCu_xS (0≤x≤0.06) were grown on a heated glass substrate employing a home-made spray pyrolysis technique. The influences of [Cu]/[Cd] and the annealing in the range 300–500 °C on the structural and morphological properties of the films were investigated by X-ray diffraction (XRD), Fourier transformation infrared spectroscopy (FTIR), field emission scanning electron microscope (FE-SEM) and atomic force microscopy (AFM). The influences of Cu doping ratio, solution flow rate, and the deposition time on the optical properties and photocatalytic activity of these films are also reported. The films are of polycrystalline nature and hexagonal structure. Increasing the Cu doping ratio and annealing temperature improve the (1 0 1) preferential orientation. The crystallite size is ranged from 23.82 to 32.11 nm. XRD and FTIR reveal the formation of CdO in the 6% Cu-doped CdS film annealed at 400 °C and in all films annealed at 500 °C. The pure CdS film is of a porous structure and the close-packing and porosity of the films increase with increasing Cu%. Also, the pore diameter can be controlled from 50 to 15 nm with the increase of Cu content. The films showed transmittance below 70%. The optical band gap of the films is decreased from 2.43 to 1.82 eV with increasing Cu% and flow rate/deposition time. Additionally, the refractive indices and dispersion parameters of the films are also affected by the deposition conditions. Cu doping enhanced the films' photostability as well as the photocatalytic removal of methylene blue (MB).     

基于四值脉冲参数模型的单粒子瞬态传播机理与软错误率分析方法

随着工艺尺寸的不断缩小,由单粒子瞬态(Single Event Transient, SET)效应引起的软错误已经成为影响宇航用深亚微米VLSI电路可靠性的主要威胁,而SET脉冲的产生和传播也成为电路软错误研究的热点问题。通过研究SET脉冲在逻辑链路中的传播发现：脉冲上升时间和下降时间的差异能够引起输出脉冲宽度的展宽或衰减;脉冲的宽度和幅度可决定其是否会被门的电气效应所屏蔽。该文提出一种四值脉冲参数模型可准确模拟SET脉冲形状,并采用结合查找表和经验公式的方法来模拟SET脉冲在电路中的传播过程。该文提出的四值脉冲参数模型可模拟SET脉冲在传播过程中的展宽和衰减效应,与单参数脉冲模型相比计算精度提高了2.4%。该文应用基于图的故障传播概率算法模拟SET脉冲传播过程中的逻辑屏蔽,可快速计算电路的软错误率。对ISCAS89及ISCAS85电路进行分析的实验结果表明：该方法与HSPICE仿真方法的平均偏差为4.12%,计算速度提升10000倍。该文方法可对大规模集成电路的软错误率进行快速分析。     

用偏光显微镜解析界面层分子有序度

阐述了用偏光显微镜测量液晶盒中分子有序度分布的方法。采用楔形液盒获得了仅有十几个ｎｍ的界面层信息,并提出具有创意性的偏光解析方法。通过这一工作得出以下结论：在高分子膜表面通过摩擦过程获得的液晶取向排列,其界面子有序度为体内部序度的６０％以下,有序度远低于体内部;由于固体界面对液晶排列的影响,产生一个有序度连续变化的界面层,其厚度大约于体内部;由于固体界面对液晶排列的影响,产生一个有序度连续变化的界