AlN基片的薄膜金属化

讨论了ＡｌＮ基片的薄膜金属化。通过试验,确定了有效的清洗方法及优化溅射参数。实验证明,ＴｉＷ－Ａｕ 是ＡｌＮ的优良金属化体系。ＡｌＮ材料经激光划片后出现导电物质, 经稀盐酸处理可去掉导电物质     

光学元件吸收测量

采用量热法测量了光学元件的吸收,分析了元件表面反射对测量的影响,并测量了GaAs基片和GaAs高反镜的吸收,分析了测量误差。     

无机薄膜电致发光研究进展

薄膜电致发光显示技术是主要的平板显示技术之一。文章综述了１９９６ 年以来在这一领域的研究进展,着重讨论了提高蓝光亮度的各种方案,并介绍了厚膜电致发光器件和 Ｚｎ Ｓ： Ｍｎ器件制备过程的优化及电致发光机理等方面的问题     

薄膜红外探测器的研究

介绍了薄膜热电偶探测器的研究,讨论了薄膜热电偶探测器的结构对探测器响应特性的影响.     

新型的形状记忆合金／硅薄膜微驱动器

介绍了一种用硅微加工技术制作的ＮｉＴｉ／Ｓｉ 薄膜结构的双向微驱动器。它利用ＮｉＴｉ 形状记忆合金薄膜（ＳＭＡ） 大的相变回复应力和Ｓｉ 衬底膜的反偏置力产生有一定位移量的双向运动。对ＮｉＴｉ 薄膜进行合理的图形化后使得驱动器位移量增大,双向效应显著,响应速度提高。同时图形化后的ＮｉＴｉ 膜也是加热电阻,使驱动结构简单,所需功率减少。驱动器实际驱动面积为３ ×３ｍ ｍ２ 厚度为２０μｍ 。可产生的最大位移为５０μｍ ,最高驱动频率可达１００Ｈｚ。驱动功率可减小到２００ｍ Ｗ。经过１０００ 万次振动后,驱动膜无开裂,性能正常。它已被成功的应用于压缩型微泵,该泵最大流量达３４０μＬ／ｍｉｎ 。     

Cu丝超声球焊及楔焊焊点可靠性及失效机理研究

Cu丝由于具有优良的导热性能、机械性能以及低成本等优点使得用铜丝替代传统的Au丝和Al丝已经成为半导体工艺发展的必然方向.综述了Cu丝超声球焊以及楔焊焊点可靠性问题,对焊点的各种失效模式与机理进行探讨.     

基于原位共角椭偏与反射谱的TiO2薄膜光学常数分析

为了分析溶胶-凝胶法制备的TiO₂薄膜的光学常数,采用旋涂法制备了多层TiO₂薄膜,利用扫描电镜对表面形貌进行了分析,利用椭圆偏振光谱对薄膜的折射率色散和孔隙率进行了拟合分析,并利用原位共角反射光谱对拟合结果进行了验证,得到了TiO₂薄膜厚度、孔隙率和折射率色散曲线。结果表明,TiO₂薄膜厚度与旋涂层数成线性关系,薄膜孔隙率约为15%且与旋涂层数无关,New Amorphous色散模型可以较好地拟合溶胶-凝胶旋涂方法制备的TiO₂薄膜在1.55eV~4.00eV波段的椭偏光谱。该研究为溶胶-凝胶法制备的TiO₂薄膜的光学常数测量提供了参考。     

脉冲激光沉积技术沉积温度对PZT/LSAT薄膜生长取向的影响

采用固相法分别制备了标准摩尔配比和铅过垦10%的两种靶材.并利用脉冲激光沉积技术(PLD)在镧锶铝钽(LaSrAlTaO3,LSAT)单晶衬底上成功制备了锆钛酸铅(Pb(Zr0.3Ti0.7)O3,PZT)铁电薄膜,在550～750℃沉积温度范围内研究了PZT薄膜的生长取向和铅含最对薄膜生长取向的影响.利用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)表征了薄膜生长取向和表面形貌.XRD测量表明在标准摩尔配比情况下薄膜牛长从550 C近似c轴取向逐渐过渡到750℃近似a轴取向,而在铅过量情况下薄膜生长取向无明显过渡性变化;AFM测量表明PZT薄膜在近似C轴和a轴生长情况下,表面均方根(RMS)粗糙度分别为16.9 nm和13.7 nm,而在混合生长无择优取向的情况下,薄膜表面均方根粗糙度达到68 nm,这可能是两种取向竞争生长的结果.     

FAFFA加速的PO-MM研究复杂金属载体上线天线电磁特性

本文提出了一种快速远场近似(FAFFA)加速的混合物理光学矩量法(POMM),利用FAFFA加速计算矩阵方程中的矩阵矢量积,明显提高了计算效率.对物体表面上的远场组之间的耦合作用推导出了一组简洁的计算公式,并分析了计算复杂度.复杂金属组合体上线天线输入导纳、互导纳和方向性图的计算结果与文献结果一致.利用该方法分析计算了一个舰船模型上线天线的电磁特性.数值结果表明了这种方法的正确性和工程应用中的有效性.     

对ADSL接入方式铜缆可用线对率的分析

指出了为发展ADSL而提高市话音频铜线电缆的传输质量和维护水平的必要性,分析了铜线电缆线对有关指标参数低劣的原因和对传输ADSL的影响,并提出了一些改进的意见。