微纳级双极晶体管的热耗散研究

对于双极性晶体管,由于自身存在的自加热现象,严重地影响着器件的特性。基于热电流方程、泊松方程及电流密度方程,在二维器件仿真环境下,进行了微纳级小尺寸npn双极性晶体管热现象的器件物理特性分析。重点研究了器件的集电极电流IC与晶格温度T的因变关系。研究结果显示,随着IC的增加,器件的晶格温度逐渐升高,VCE保持在3.0V、VBE达到最大值0.735V时,随器件晶格温度的升高VBE将减小。最后,笔者给出了描述晶体管温变关系的三维曲线。     

乳化型轧制液的质量标准研究

对国内目前所使用的冷轧薄钢板(汽车钢板)轧制液母液和乳化液的质量指标及常用试验评定方法进行了考察，并对产品的性能要求进行了研究与分析，制订出一套标准以供参考，包括乳化液稳定性、润滑性、防锈性、抗泡性、使用周期及粘度、闪点等性能。     

控轧技术在H型钢生产中的应用

根据钢板的控轧经验，结合H型钢轧制的特点分析控轧在轧制中运用的具体问题，制定H型钢控轧工艺方案。介绍了实际应用情况，并提出改进的措施。     

Plasma Sprayed Hydroxyapatite Coatings with Nano-hydroxyapatite Prepared by Ultrasonic Precipitation Process

Nano-particle hydroxyapatite （ HA ） was prepared with a novel ultrasonic precipitation process and the as-prepared nanopowder was used to produce hydroxyapatite （ HA ） coatings on titanium substrate via plasma spraying. The phase and the microstructare of the coating were characterized by X- ray diffraction （XRD） and scanning electron microscopy （SEM）. Results showed that spherical particles could be prepared by ultrasonic precipitation process; and a corresponding dense HA coating with molten surface and low-porosity cross-section structure was acquired. During the plasma spraying process, new phases of Ca3 （ PO4 ）2 and Ca2 P2O7 were generated. After heat-treating at 800℃ for 1 h, the contents of Ca3 （ PO4 ）2 and Ca2 P2O7 decreased while HA content increased. Tensile adhesion tests showed that the plasma sprayed coating prepared with the spherical nanoparticles exhibited high tensile bond strength.     

C2 用于声化学研究的大功率超声系统的研制

根据声化学反应的特殊要求，我们研制了上前用于声化学研究的大功率超声系统，由参数可调节的超声发生器配合不同频率的换能器工作，并用它组合成杯式幅杆结构声化学反应器，解决了有关声化学设备的一些技术问题。为声化学技术从实验室规模向工业应用过渡做了必要的准备。     

邯钢轧钢工艺结构优化及发展方向

叙述了邯钢轧钢生产工艺结构及优化概况，指出了今后发展方向。     

粉末材料中微夹杂缺陷的超声波检验

介绍了用超声波方法检测微夹杂缺陷的一些试验结果，比较了不同频率、不同试验方法检测能力的差异，并通过解剖试验对检出缺陷的性质、尺寸作了比较。     

超声波在金属凝固中的应用与发展

简要介绍了超声波及其基本特性，综述了高能超声对金属凝固过程作用方面的研究和应用状况，提出超声处理是改善金属凝固组织，提高力学性能的有效方法，并对21世纪超声凝固细晶技术的前景进行了展望。     

光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作

随着器件尺寸的缩小，细线条的制作成为很关键的工艺，普通光学光刻已接近其分辨率的极限，而电子束光刻和Ｘ射线光刻技术复杂、费用昂贵。本文对光刻胶灰化工艺进行了分析和研究，并应用此工艺进行了深亚微米线条的制作，在普通光学光刻机上制作出宽度小于０．２５μｍ细线条。我们已将此工艺成功地应用在深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的制作中。