高精度微型CMOS运算放大器

日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布推出一款新型表面贴装Power Metal Strip电阻器，该器件是业界首款采用超小型1206封装的1W电流感应电阻器。WSLP1206电阻器具有2mΩ-50mΩ的超低电阻值范围，并且能够耐170℃的高温。     

军用内调式四象限精密乘法器电路的设计

介绍内调式四象限精密乘法器电路的线路设计、版图设计、工艺设计及关键技术。着重介绍线路设计和版图设计的特点及四象限乘法器的功能。     

PTC热敏电阻的现状与发展趋势(续一)

基于对1995年以来,国内外PTC热敏电阻的研究,介绍了PTC热敏电阻用原料(BaCO3、TiO2、BaTiO3、SrCO3、PbO、Pb3O4、SrTiO3、PbTiO3、Y2O3、Nb2O5、CaCO3、SiO2等);材料(BaTiO3系、V2O3系及高分子);生产技术(瓷粉制造、烧成、芯片制造、质量评定、理化分析、片式PTC生产);重点产品(消磁、马达启动、限流及加热等用)以及基础研究(相变应力模型、表面势垒模型)等方面的现状及今后的发展趋势。     

产业资讯：电子信息材料

国内外新材料领域技术、产业、企业、市场、应用等最新发展动态。信息来自我刊特约通讯员、国内外各主要报纸、期刊、网站、以及政府部门、信息机构、相关企业、科研单位等。     

BaTiO_3系PTCR热敏电阻器用烧结助剂的研究

研究了烧结助剂的作用，实验结果表明：如只引入半导化元素，不引入烧结助剂，则室温电阻率ρ２５很大，甚至是绝缘体。由于烧结助剂的加入，既改善了ＰＴＣＲ热敏电阻陶瓷的烧结性，又改善了其ρ２５、耐电压Ｖｂ、ＰＴＣ效应等特性，从而使产品的各种特性易于重复。烧结助剂昔日多用ＡＳＴ，现在常用ＳｉＯ２，其加入量ｘ宜小于２％。ＳｉＯ２的纯度、杂质等化学特性，与粒子形状、粒度分布、晶系等物理特性，对ＰＴＣＲ热敏电阻器的电性能有很大的影响。据此提出了ＢａＴｉＯ３系ＰＴＣＲ热敏电阻器用ＳｉＯ２的技术标准。     

高性能片式多层氧化锌压敏电阻器材料研究

对非Bi系氧化锌压敏电阻材料进行了系统研究。研究结果表明:在ZnO基体材料中,添加适量PbO、Co2O3、Cr2O3、MnO2、ZrO2、TiO2、Sb2O3 、B2O3等非Bi系添加剂,采用传统陶瓷制备工艺和合适烧结工艺,可获得a >50、IL<1 mA、烧结温度低于1 100℃的实用非Bi系氧化锌电阻瓷料。采用该瓷料,利用MLC工艺,选用Pd30/Ag70电极浆料,制作出V1mA<30 V、a >30、IL<1 mA的片式多层压敏电阻器。     

哈蒙电阻网络的基本理论（下）

五、节点的取向在赖利和戈里尼分别发表了用瑟尔节点等值网络(图3)研究过渡电阻器误差的文章后,佩奇用节点特性的全新概念而完全避开等值网络研究了哈蒙节点引起的误差.当今     

熔断电阻器及其应用

扼要介绍在电子线路中既起保护作用，又具有电阻器功能的熔断电阻器的类型、特性及其应用。