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991.
低比转速离心泵内部流场数值模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
采用三维定常雷诺时均Navier-Stokes方程和Spalart—Allmaras湍流模型,对复合叶轮离心泵内部三维流场进行整机定常数值模拟,得到了复合叶轮离心泵内部流场的速度分布和压力分布。分析在不同流量点下复合叶轮和蜗壳内部流场,揭示离心泵内部的重要流动特征,证实了过流部件间相互作用引起的离心泵内部流场的不对称性。数值模拟结果表明,复合叶轮离心泵的整机数值模拟分析能够较准确地预测出离心泵内部的流场结构及性能参数。 相似文献
992.
为了揭示低可容空间河流三角洲沉积背景下层序发育及聚煤特征,以鲁西南二叠系山西组为例进行了层序地层和聚煤作用研究.识别出强制海退(BFSR)造成的陆表侵蚀不整合面(SU)及其对应的整合面(CC*)、河流侵蚀面(RES)、古土壤层(PSS)、最大海退面(MRS)、海泛面(FS)、最大海泛面(MFS)7种层序界面,将煤系划分为12个准层序(2种准层序类型)、2个四级层序、1个三级层序,提出了低可容空间沉积背景下河流三角洲沉积体系聚煤模式.结果表明:低可容空间河流三角洲沉积背景下基准面与沉积界面基本一致,准层序以侵蚀面和海泛面为界并主要沉积于基准面上升半旋回;绝对海平面下降速率超过基底沉降速率是层序边界形成的主要驱动力;平面上聚煤中心位于下三角洲平原和间湾湖泊环境,指出剩余可容空间大小及新增可容空间产生速率是泥炭沉积的关键因素. 相似文献
993.
低渗透气藏产能方程的改进 总被引:1,自引:0,他引:1
低渗透气藏在成藏机理上与中高渗透气藏存在较大差别,若将中高渗透储层的开发理论和技术应用于低渗透储层必将产生较大误差.通过分析致密气藏成因、储层特征及渗流机理,考虑影响低渗透气藏渗透率的因素,将低渗透气藏低速渗流的指数式方程简化为达西渗流方程,建立改进的低渗透气藏产能方程,并给出该方程的求解方法.通过实例分析论证了此方法的可靠性和实用性. 相似文献
994.
实验室研究和实际开发效果证明低渗透气藏在成藏机理上与中高渗透气藏存在较大差别,在储层内部,流体的渗流规律也与中高渗透气藏有较大差别.因此,提出一个新的非线性渗流模型,并建立相应的非线性渗流数学模型.该模型包括了储层中由于液相的存在而形成的边界层以及启动压力的影响,认为在低渗透气藏中流体的流动大部分属于非线性流动,储层中液相的存在对气相的影响是不能忽略的. 相似文献
995.
以顶底不渗透边界的低渗透气藏为例,在直井基础上推导出低渗透气藏的斜度井稳产产能方程.分析启动压力梯度、井斜角、储层损害引起的真表皮系数等因素对斜井产能的影响,绘出相应的流入动态关系曲线,同时将斜井与直井进行产能对比. 相似文献
996.
通过浸胶时间与附胶率及H抽出力关系的分析得到:涤纶帘子线的最佳预浸胶时间120s,最佳RFL浸胶时间180s。进而采用正交试验对涤纶帘子线二次浸胶工艺进行研究。结果表明,各因素对帘子线/橡胶粘合性能的影响大小顺序为:解封温度〉定型温度〉定型时间〉解封时间〉w(环氧):w(水)(质量比)。同时方差分析显示,解封温度、定型温度及定型时间对试验结果有显著影响。SEM结果显示二次浸胶处理后胶液明显附着在了帘子线表面,H抽出表明为典型的内聚破坏。 相似文献
997.
为实现多种能源端口集成,提高逆变器的功率密度,提出了一种四端口高频逆变器电路结构和控制策略.该逆变器通过DC/HFAC/LFAC两级变换,采用脉冲密度调制(PDM)技术,消除了高频脉冲电压低次谐波,并实现了零电压开关.首先提出了逆变器电路结构,分析了PDM控制工作原理和电路工作模态,然后给出了逆变器电路控制实现方法,最后进行了Matlab/Simulink仿真验证.仿真结果证明了该逆变器控制策略的正确性 相似文献
998.
为了获得低相位噪声和高集成度频率源,设计了基于锁相环的频率合成器。利用ADS射频仿真软件,对锁定时间和相位噪声进行仿真,确定设计满足指标要求。用集成VCO的锁相环芯片ADF4360-7进行硬件测试,锁定频率在434MHz,功率达到1dBm,相位噪声为-87dBc/Hz@10kHz。此频率源指标满足大多数测量和通信系统要求,可在射频电路中推广使用。 相似文献
999.
萍钢降低高炉燃料比措施分析 总被引:2,自引:2,他引:0
针对萍乡钢铁公司高炉炼铁燃料比高的现状,从原料冶金性能与粒度组成、炉料结构、合理冶炼强度、造渣制度、多环布料、适宜煤粉喷吹量、低硅生铁冶炼等方面,分析了降低高炉燃料比的技术措施。研究表明:改善焦炭质量,加强筛分与整粒,选择适宜冶炼强度,选择适宜MgO的渣系.缩小加权平均角差,避免过度中心加焦,根据原燃料条件选择煤比,稳定生铁的含硅量是降低高炉燃料比的关键技术措施。 相似文献
1000.
二滩水电站发变组保护系统改造后,为满足规范所要求的低励限制能优先于失磁保护动作,提出将失磁保护的机端低电压判据、定子侧静稳极限阻抗圆判据和转子侧电压判据与低励限制曲线绘制在同一P-Q坐标系中,以验证保护装置失磁保护与低励限制的配合关系.计算结果验证了失磁保护整定值的正确性,同时证明了失磁保护动作区与低励限制之间存在一定的稳定裕度,满足低励限制优先于失磁保护动作的关系. 相似文献