激光对抗用隐身材料

激光对抗是光电对抗的一种形式。随着高能激光武器的研究和发展,激光对抗措施的研究日益显得重要。本文从材料的角度介绍激光对抗的方法及其所用的激光隐身材料。     

晶能光电走出LED发展特色路

“拥有完整的自主知识产权，打破了日美等发达国家对半导体照明技术的垄断，其产业前景和战略意义不可限量。”这是国内外专家对晶能光电“硅衬底发光二极管”项目的高度评价。2007年2月1日．该项目在南昌高新区开工，走上了产业化发展之路。     

埃斯科光电致力研发精密半导体引线框架

半导体引线框架看似简单。要做精纽很难。宁波开发区埃斯科光电有限公司副总经理李永坚介绍说。经过几年的努力。埃斯科的产品质量已经被美国BOURNS、韩国AUK、首尔半导体等知名企业所认可。2007年，该公司的年产能将达到100亿只。产值约1.2亿元。2008年，随着一批新设备的投入运行。产能将达到200亿只。     

放射性同位素注入井中径向位置确定

放射性同位素注入井中径向位置确定是油田测试中的放射性测井方法。采用碘化钠晶体、光电倍增管组成的多级探测器与信号转换电路组成测井仪，其中，把各个碘化钠晶体外侧加装不同材质或不同厚度的材料，设置成对伽马射线具有不同吸收程度的结构，实现测井时对入射到仪器的伽马射线能量级别的识别。通过测井结果的对比分析，确定出同位素在油管及工具的内壁、油管及工具的外壁及套管的内壁、套管的外壁、水泥环外侧、同位素注入到地层的径向深度。本方法主要用于注液剖面测井和注液井找漏测井。     

深圳光电产业跻身世界最前列

世纪晶源科技有限公司暨化合物半导体产业基地首期项目1号厂房最近在深圳光明新区正式投产，“出品”化合物半导体产业链最上游的核心性尖端原材料——外延晶片。这一全球最大的化合物半导体产业基地启动投产，标志着代表21世纪未来的我国这一民族高科技新兴产业，从深圳起步、跨越，迅速站到了世界先进水平的最前列。     

佛山LED封装技术取得突破填补国内空白

由佛山国星光电科技有限公司承担的广东省关键重点招标项目“白光LED器件及应用产品关键技术研究和产业化”，最近通过了广东省经贸委组织的验收。     

线性模拟信号光电隔离器的实现

本文介绍了一种利用通用元器件组成的线性模拟信号光电隔离器，文中论述了电路的工作原理及保证线性度所采取的一些措施并给出简单的调试方法。     

Study on Effect of Compounding Sulfurized Isobutylene with Thisester

Oxygen is introduced into the sulfurized isobutylene by compounding the sulfurized isobutylene with thioester,This paper studies the synergistic effet of commingling the sulfurized isobutylene with thioester during testing in the four-ball maching and the hihg-speed Timken maching ,Tests in the four-ball machine and the high-speed Timken machine have revealed an improvement in EP perforance of sulfurized isobutylene in admixture with thiosester The interfacial tension test and electrochenical analysis of anodic polariztion have discovered increase of adsorptive force of the additive package on metal surface following compounding sulfrized isobutylene with thioester,The XPS and AES analyees indicate to the formation of FeS,Fe2O3 and FeSO4,on the metal surface.The sulfurized film formed by the additive package on the metal surface is thicker than that formed by simple sulfurized isobutylene.     

矩形光脉冲光电响应后沿拖曳性状研究

本文对矩形光脉冲光电响应后沿拖曳的形成机制进行了详尽的实验研究和理论分析，认为形成该光电响应时滞后曳的主要根源在于光生电子与空穴的多声子慢态复合．我们给出了削减后沿拖曳、提高光电响应速度的有效措施，从而促进解决宽带光通讯的速度瓶颈问题．