有线和无线宽带接入产品技术

射频存储系统的目标市场有两个，一个是宽带网络，一个是无线局域网：下图介绍的是第一公里的无线宽带接入系统。图的中央有一个中枢（hub)，它的周围是一个分布网络。这是一个包括光和电的、数据和模拟结合的网络，这种系统在中国的大城市都有广泛的部署。圆圈是飞利浦开发的一些结点、中枢和分布网络，包括放大器和光电设备。     

液晶光阀光电导层光吸收系数的研究

用化学气相沉积法制备了液晶光阀中光电导层———非晶硅薄膜,从实验中得出最佳制备工艺的参数取值。给出了用包络线法测量非晶硅薄膜光吸收系数的原理,测量了样品的光吸收系数随波长的变化规律。得到样品在最佳工艺条件下的光吸收系数高于1×103cm-1。     

纳米通信技术的核心-纳米光电器代件

概述了纳米技术在光电子领域的应用,并着重介绍了国内外纳米光通信用纳米光电子器件的发展现状.     

FT1907型双道液体闪烁谱仪的检测与测量条件选择

液体闪烁谱仪是目前广泛用于医学、药理学、环保、农业、考古等方面的软β射线探测仪器。借助于液体闪烁谱仪不仅可以探测软β射线,还可以探测高能β辐射的契伦柯夫效应、低能γ射线、Χ射线、正电子等,因而应用前景十分乐观。 不仅要求液体闪烁谱仪的功能多、自动化程度高,而更重要的是仪器的探测效率及其     

半导体纳米材料及其光电极器件分解水制氢的研究进展

自1972年发现TiO2光电极在紫外光下能分解水制氢以来,一些国家在光催化材料的制备、改性、可见光利用及光催化理论等方面已取得了重大突破。但半导体纳米材料及其光电极膜器件应用于光解水制氢的研究仍处于起步阶段。本文述评了近几年国内外半导体纳米材料及其光电极膜器件在光解水制氢方面的研究进展。     

锗：从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片

锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来，在新型晶体管和光电应用方面，Ge又引起了人们的重视。     

美国SiGen开发出新型光电绝缘硅技术

美国绝缘硅 (SOI)晶圆技术开发商SiliconGenesisCorp .(SiGen)宣称已将单片光电器件集成到了称之为“NanoPhotonicSOI”的标准硅芯片工艺技术之中。该公司高级市场和销售总监LoriNye表示 ,SiGen已经获得了该技术的一揽子订单。Nye在一项声明中表示 :“SiGen开发这种新型衬底技术的原因是它可以与我们的核心层转移 (Layer transfer)能力相配合 ,具有在面向诸如下一代通信和计算的集成光处理应用领域中扮演关键角色的潜力”。他还表示 ,“SiGen与客户之间真诚合作 ,从而有能力实现一种全新的基础衬底 ,在光电子领域引发一场革命。我…