荷能束辐照致使Cu/Ag表面偏析的研究

本文研究了金属(Cu)/金属(Ag衬底)系统的荷能束辐照引起的表面偏析现象。观察到Cu在多晶Ag衬底上溅射淀积过程中,Ag原子在Cu膜表面的偏析,且淀积Cu原子能量越大,Ag原子偏析程度越大,即观察到了淀积Cu原子10~(-1)～1eV量级的平均能量差异对膜层表面偏析行为的影响。对溅射淀积所得膜层进行keV量级的离子束辐照,Ag原子的表面偏析程度更甚。     

机械产品漆膜早期失效研究及防治对策

通过对机械产品漆膜早期失效的因素分析以及对产品表面处理情况、设备施工条件、环境质量监测等进行跟踪观察，从轧制铁鳞或夹层，焊接区缺陷，锐边、棱边、尖角，孔隙和蚀点，缝隙等5个方面提出漆膜质量潜在缺陷之症结，并提出消除缺陷因素的防治对策。     

纯物质汽液相变中ΔHV/RTC和ΔZV的比例性及其实际应用

众所周知,Clapegron蒸汽压方程是根据假设"数组ΔHV/RTC/ΔΖV为常数,而与温度无关"推导得来的.为了阐述以上给出的假设的理由,本文提出如下论点:"ΔHV/RTC和ΔZV函数实际上是和温度有关,而它们之间却存在一个简单的比例关系,即ΔHV/RTC∝ΔZV.1997年我们曾根据分子聚集理论导出汽化热方程ΔHV/RTC=h(1-pr/Tmr)1/2;另外,Haggenmacher于1946年曾提出ΔZV方程:ΔZV=h(1-pr/T3r)1/2.显然,上述两个方程表明,Clapeyron假设基本上是正确的.另外,本文还基于上述的比例规律导出一些有用的蒸汽压方程和汽化热方程.     

中厚板表面质量分析

在对济钢中厚板各种表面缺陷产生原因和几率进行综合分析的基础上 ,将缺陷分为 3类 :A类(折叠、麻点、划伤等 )、B类 (夹杂、结疤、分层 )、C类 (裂纹 ) ,重点对裂纹缺陷进行探讨 ,并提出了相应的改进措施。     

SMT测试技术

主要介绍了当前用于检测组装后PCB的缺陷和故障的一些常见测试技术 ,并对未来的发展趋势进行了初步探讨     

基于刻蚀工艺的IC关键面积计算模型与实现方法

在IC的制造过程中,由于工艺的随机扰动,过刻蚀和欠刻蚀造成了导线条的宽度和线间距的变化.论文在分析过刻蚀和欠刻蚀对IC版图影响的基础上,提出了基于工艺偏差影响的IC关键面积计算新模型和实现方法.模拟实验表明模拟结果与理论分析是一致的.     

关于我校人事分配制度改革的几点思考

近几年来，高等学校改革和发展不断深入，高等学校合并重组之势不可阻挡，出现这种形势的主要原因是：一方面因为原有的高等学校结构布局不合理，原各部委都有自己的所属院校，造成高等学校政出多门，既有部门的，也有地方的，造成管理上的重叠，也造成管理上的混乱，即所谓的“高等学校的婆婆多”；     

分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片

报道了用分子束外延的方法制备3英寸HgCdTe薄膜的研究结果,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好,在直径70mm圆内,组份标准偏差率为1.2%,对应80K截止波长偏差仅为0.1μm.经过生长条件的改进,表面形貌获得了大幅度改善,缺陷密刃∮00cm-2,缺陷尺寸小于10μm,可以满足大规模HgCdTe焦平面列阵的应用需求.抖