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基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。 相似文献
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93.
退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用铟锡合金靶(铟-锡,90-10),通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出ITO薄膜,并在大气环境下高温退火处理。研究了退火温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。研究表明,随着退火温度升高薄膜的电学特性得到很大提高。 相似文献
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通过对相变增韧陶瓷及一种可切削玻璃-陶瓷动态疲劳(恒应力速率)试验中高应力速率区断裂应力下降现象的理论分析,发现这种现象与材料的阻力特性(R-curve)密切相关。确立的σ_f-σ理论关系能够很好地描述整个应力速率区间内的动态疲劳试验结果。高应力速率区σ_f-σ在双对数坐标下为负斜率直线,直线斜率为(m为阻力曲线KR=k(△a)~m的指数),断裂主要由材料阻力行为控制;低应力速率区,σ_f-σ在双对数坐标下为正斜率直线,直线斜率为 (n为应力腐蚀指数),断裂主要由材料应力腐蚀行为控制。建立了测定材料阻力特性的一种新方法,分别用这种方法及压痕/弯曲方法对一种可切削玻璃-陶瓷的阻力特性进行了实验测定,两种方法所得结果有很好的一致性。 相似文献
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本文在液相合成(SrPb)TiO3粉的基础上,研究了升温速率、保温时间、烧结温度及降温方式对(SrPb)TiO3基陶瓷的V型PTC热敏特性的影响。实验表明:升温速率对其热敏特性影响不大,保温时间和烧结温度的作用是一致的,具有一最佳范围。而降浊方式对材料的热敏特性影响较大。综合各因素的影响,本配方中,样品的烧结制度定为:以200℃/h的速率升温,在1250℃保温1h,炉冷至950℃,保温0.5h,再 相似文献
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采用数字化仪输入和处理水轮机转轮综合特性曲线数据 总被引:3,自引:0,他引:3
本文论述了采用数字化仪将水轮机转轮综合特性曲线输入计算机、计算机自动处理和转换曲线数据的方法。本法彻底避免了在曲线建模时人工输入和处理数据的麻烦。 相似文献
99.
SnO2超微粒子薄膜的气敏特性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
作者用自行设计的直流气体放电活化反应蒸发装置制备出平均粒径约为40nm的SnO_2超微粒子薄膜.研究了不同氧分压下所得SnO_2超微粒膜的形貌、结构和组成等特性,以及不同样品对各种易燃气体的气敏特性,得出了灵敏度随氧分压及灵敏度随工作温度的变化曲线. 相似文献
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