大功率LED驱动电路设计与仿真

本文设计了一款高效率,高输入电压,输出电流恒定的大功率白光LED驱动芯片。设计了芯片中的运算放大器电路、带隙基准电路、锯齿波发生器电路、比较器电路、误差放大器电路、输出过压保护电路、过热保护电路、功率管驱动电路、逻辑控制电路等,并给出了仿真结果。仿真结果表明设计的芯片达到了预期的要求。     

一种手机射频参数测试方案的设计与实现

手机射频参数是衡量手机质量的关键参数,也是手机参数的重要内容,文章针对手机质量监控部门的需求,设计了一种基于国内先进的ZY4923TD-SCD MA/GSM终端综合测试平台,设计手机射频参数的测试方案。阐述了手机射频参数测试的总体方案、测试手段和误差校正方法,利用科学的测试方法和手段,实现了通信终端——手机射频参数测试,测试参数准确,稳定,是一套在国内较完善的集手机射频测试标准、测试软硬件平台、测试手段方法为一体的测试方案,方案的设备总价格远远低于国际市场同类产品价格。     

一种低压CMOS亚阈型PTAT基准源

设计了一款工作在低电源电压且与绝对温度成正比(PTAT)的基准电路;采用衬底偏置技术、电阻分压作为PMOS放大器的输入和用工作在亚阈值区的NMOS管代替衬底PNP管三种方法,使得该电路可以在低电源电压下工作,且工作电流较小。该电路采用CSMC 0.6μm2P2 M工艺,电源电压为1.2 V、温度为0~100℃时,输出电压的温度系数为0.912 mV/K,电源电流为6.8μA;当电源电压在1.1~2.0 V变化时,室温下的输出电压是461.4±0.4 mV。     

一种新型偏置电路的CMOS亚阈型电压基准源

文章设计了一种工作在亚闽值状态下的CMOS电压基准源,分析了MOSFET工作在亚闽区的电压和电流限定条件。电压基准源可提供与工艺基本无关近似零温度系数的基准电压。为了提高电路的电源抑制比,该电路采用了共源共栅电流镜结构。该结构采用了一种新型的偏置电路．使得电流镜各级联管均工作在饱和区边缘而不脱离饱和区,提高输出电压摆幅,得到有较高恒流特性的基准电流。该电路采用0,6μmCMOS工艺,通过Spectra仿真,可工作在2V电压下,输出基准电压1.4V,温度系数为17×10^-6（V／℃）。     

摩托罗拉测试和认可一种无铅焊膏——Vahid Goudarzi．Circuits Assembly

摩托罗拉需要一种峰值回流温度较低、提供更宽的工艺窗口的焊膏，可用于各种产品，从基站、汽车应用到计算机和手机。摩托罗拉分析了七家制造商的十九种不同材料，最后认定了Henkel的MulticoreLF320材料。LF320的最低峰值回流温度为229℃，向摩托罗拉提供了所需的质量和可靠性，在产品灵活性方面有10℃的优势。本文说明由摩托罗拉开发的测试基准以及Multicore LF320焊膏的测试结果。     

DOTSEVEN:迈向0.7太赫兹硅锗的异质结(SiGe HBT)技术

正DOTSEVEN是一个欧盟财团非常雄心勃勃的3.5年研发项目,预算经费1.2亿元,目标是截止频率(FMAX)高达700 GHz的硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)技术的开发。特别值得注意的是,它展示了能在CMOS工艺上的制造和集成,以及展示了700GHz的SiGe HBT技术在0.1至1THz(太赫兹)范围内的基准电路和系统应用的功能和优点。     

使简单欧姆计具备千兆欧量程的积分器

德州仪器公司(TI)的IVC102精密积分器有高质量的内部电容.图1的电路可以用来测量非常高的Rx电阻值.一只精密差分放大器(TI的INA105)为Rx施加一个基准电压.积分期间,在IVC12的输出端产生一个负电压斜坡Vo.两只LM311将Vo的振幅与两个固定阈值作比较,产生两个数字信号:开始和停止.     

LDO降压转换器的稳定性分析

通过对LDO降压转换器的原理分析，并借助频域的傅里叶分析方法，对其稳定性和频率响应进行了深入的理论研究，得到了提高系统稳定性的补偿方法。频率响应和瞬态响应的仿真结果表明，这种方法显著改善了LDO降压转换器的频率响应，并极大地提高了其稳定性。     

对电源及温度不敏感的电流可调的CMOS电荷泵电路的设计

设计了一种电流可调的CMOS电荷泵电路 ,其中采用了带隙基准源、低drop out调压器及电容式直流 直流电压升压器为电荷泵电路提供电源电压 ,此电压不受外部供电电压及温度变化的影响 ;同时 ,电荷泵电路中的参考电流源本身也对温度变化不敏感 .电路设计采用 0 18μm 1 8V标准的数字CMOS工艺 .模拟结果表明电路性能令人满意.