便携式工业X射线探伤机曝光曲线制做

本文详细介绍便携式工业X射线探伤机曝光曲线的制做方法，使用试块精度高、设计新颖，为射线探伤机的使用提供了精确、方便的理论依据。     

超导体核辐射探测器的探测原理

一、引言对于某些核辐射探测器,降低它们的工作温度便可得到较好的探测器性能,例如硅和锗探测器,当工作温度为77K时,能量分辨可提高很多。一些金属和它们的氧化物在极低温度下成为超导体,利用这种超导现象有可能得到性能极好的探测器,也有可能比现在已实用的半导体(?)测器的能量分辨要提高一个量级。高分辨测量有可能在许多领域内得到应用。关于在极低温度下((?)IK)对超导体核辐射探测器已有一些评论,这里仅介绍超导体核辐射探测器的探测原理。     

GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器的光电流谱

测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器在零偏压、小偏流和大偏压等条件下的光电流谱，并结合理论计算的光跃迁能量讨论了光电流谱的多峰结构和异常增强特性。     

高纯锗探测器的快定时性能及其应用

为了将高纯锗（ＨＰＧｅ）探测器用于快定时的物理实验中，本实验研究厂影响高纯锗探测器定时谱仪时间性能的各种因素，找出了获得谱仪最小时间分辨的各种最佳参数。并建立了分辨时间为４．１９ｎｓ，能量分辨率为２０ｋｅＶ，微分非线性好于±２．０％，计效率可承受１２０×１０￣３ｓ￣（－１）的时间微分扰动角关联谱仪。利用此谱仪，以￣（２０４）Ｂｉ为探针核，研究了Ｂｉ系高温超导的微观机理，取得了较好的结果。     

CMOS兼容近红外Si0.7Ge0.3/Si p-i-n(SOI)光电探测器

报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7～1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值.     

利用线阵CCD实现宽波段、大视场短脉冲激光波长的远场测量

介绍了一种利用线阵ＣＣＤ实现宽波段、大视场脉冲激光波长及方向远场测量的原理和实验装置；对强烈背景下激光信号的提取与处理方法进行了理论分析和实验研究，给出了系统信噪比与探测器件工作频率的理论公式；最后简要介绍了远场实验和测试结果     

1.55μm Si基光电探测器的研究进展

从材料的生长、器件结构的选择等方面对1．55μm锗光电探测器的研究进展进行了综述，对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望。     

128×128红外焦平面阵列时序分析与温控电路设计

介绍了微测辐射热计的 12 8× 12 8凝视型非致冷红外热像仪的系统框图 ,论述了一种新型的红外焦平面阵列温控电路设计方案以及读出电路时序的FPGA实现方法 .该方案具有高集成度、高精度、低成本、布线简单等优点 ,为热像仪系统的研制开发提供了设计思想 .     

深圳西卡姆同位素有限公司

深圳西卡姆同位素有限公司是由中国同位素公司和英国QSA GLOBAL LIMITED（核能科技有限公司）合资经营的高技术企业，自1992年起，专业生产经营Am-241源片、组合源、电离室和离子感烟火灾探测器系列产品。