Integrated Survivability Strategies of IP／GMPLS／Opticai Multi——layer Network

In last decade,due to that the popularity of the internet, data--central traffic kept growing, some emerging networking requirements have been posed on the today‘s telecommunication networks,especially in the area of network survivability. Obviously, as a key networking problem, network reliability will be more and more important. The integration of different technologies such as ATM, SDH, and WDM in multilayer transport networks raises many questions regarding the coordination of the individual network layers.This problem is referred as multilayer network survivability. The integrated multilayer network survivability is investingated as well as the representation of an interworking strategy between different single layer survivability schemes in IP via generalized multiprotocol label switching over ootical netwnrk     

虚拟局域网技术与应用

本文通过实践经验,对虚拟局域网技术与应用进行了总结.并给出了构建虚拟局域办公网的实例,具有较强的实用性和参考性.     

基于第四层交换技术的负载均衡

本文介绍了第四层交换技术的概念,技术原理以及如何使用第四层交换技术实现远程教育系统中的应用服务器负载均衡。     

BC陶瓷基板附着力的研究

直接敷铜 (DBC)法陶瓷基板是新型的陶瓷 金属连接方法。附着力是这种基板的主要性能 ,结合生产实践中发现的问题 ,对影响附着力的一些主要工艺因素进行了分析研究 ,力求获得最佳的工艺状态 ,提高DBC基片的质量 ,拓宽应用领域。     

中兴ZXMSG 5200构筑四川电信接入层网络

1四川电信网络智能化状况 2004年四川电信开始启动全省网络智能化改造工作．中兴通讯承建了四川电信21个本地网中的15个．初步实现了网络智能化、PSTN和PHS融合。2006年四川电信在TDM网络智能化的基础上全面引入软交换．并推进NGN（下一代网络）在全省的部署．将全省21个本地网划分为5个软交换大区．其中中兴通讯承建了绵阳、南充、内江3个大区共14个本地网软交换和网络智能化建设工程。     

Fe3O4/PSt/TiO2多层包覆电磁响应微球的制备

首先采用分散聚合法将自制的Fe3O4磁流体和苯乙烯反应合成有磁核的Fe3O4/PSt磁性聚合物微球，然后，用非均匀成核水解反应在Fe3O4/PSt微球外包覆无定形二氧化钛，获得Fe3O4/PSt/TiO2复合微粒。用红外光谱、扫描电镜和热分析对粒子的形貌和结构进行了表征。并测试了微粒的介电性能和磁性，结果表明，所制得复合微粒有良好的电、磁响应性。     

WDM网络光层保护新算法的探讨

首先介绍了几种按照不同标准划分的WDM网络光层保护方法,然后提出了三种实现光层保护的新算法,对它们的内容和性能做了详细描述。按照提出的算法所求得的解,可以为WDM网络提供新的光层保护方式。     

元器件与组件

保持电流为550mA的保护器新的LVR系列PolySwitch可复位器件的最大保持电流额定值从400mA提高到了550mA,保护电子器件免受过电流和过热故障状态所引起的损坏。电压额定值为240VAC,最高允许电压可达265VAC,能够在电源和变压器的初级端同时提供对过流和过热故障的保护。分为直脚引线和弯脚引线结构,采用卷带式包装,通过了UL、TUV和CSA认证。Tycohttp://www.tycoelectronics.com具备高阻断电压特性的扩散二极管额定电压为600V的60APU06和60EPU06铂扩散超快恢复外延二极管的铂扩散工艺精确地控制了载流子寿命;设定或调整二极管恢复速…