全文获取类型
收费全文 | 3997篇 |
免费 | 162篇 |
国内免费 | 158篇 |
专业分类
电工技术 | 53篇 |
综合类 | 191篇 |
化学工业 | 588篇 |
金属工艺 | 745篇 |
机械仪表 | 1079篇 |
建筑科学 | 169篇 |
矿业工程 | 51篇 |
能源动力 | 35篇 |
轻工业 | 382篇 |
水利工程 | 17篇 |
石油天然气 | 36篇 |
武器工业 | 25篇 |
无线电 | 383篇 |
一般工业技术 | 295篇 |
冶金工业 | 138篇 |
原子能技术 | 12篇 |
自动化技术 | 118篇 |
出版年
2024年 | 40篇 |
2023年 | 126篇 |
2022年 | 170篇 |
2021年 | 190篇 |
2020年 | 147篇 |
2019年 | 118篇 |
2018年 | 70篇 |
2017年 | 84篇 |
2016年 | 91篇 |
2015年 | 100篇 |
2014年 | 218篇 |
2013年 | 188篇 |
2012年 | 188篇 |
2011年 | 185篇 |
2010年 | 191篇 |
2009年 | 218篇 |
2008年 | 219篇 |
2007年 | 212篇 |
2006年 | 192篇 |
2005年 | 188篇 |
2004年 | 159篇 |
2003年 | 124篇 |
2002年 | 119篇 |
2001年 | 108篇 |
2000年 | 79篇 |
1999年 | 72篇 |
1998年 | 73篇 |
1997年 | 67篇 |
1996年 | 60篇 |
1995年 | 57篇 |
1994年 | 38篇 |
1993年 | 48篇 |
1992年 | 46篇 |
1991年 | 40篇 |
1990年 | 42篇 |
1989年 | 45篇 |
1988年 | 4篇 |
1981年 | 1篇 |
排序方式: 共有4317条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
面向等残余面形误差的分层修形模具气囊抛光轨迹规划方法 总被引:1,自引:0,他引:1
气囊抛光方法可成功应用于模具自由曲面,实现自动化抛光。提出一种面向等残余面形误差的分层修形模具气囊抛光轨迹规划新方法,该方法可用于等残余面形误差工件的整个面形修正过程或非等残余面形误差状态下气囊抛光工艺中的某一阶段。针对光栅型抛光轨迹给出一种基于一次去除深度函数数值仿真的驻留点间距优选方法,并设计了对比性实验进行验证。实验结果表明,以X方向为进给方向的光栅型轨迹中,驻留点间距值选择去除模型中最大去除量1/2处对应Y值的两倍是合理的。 相似文献
42.
本文采用振动抛光制备EBSD试样,研究了振动幅度,加载重量和抛光时间3个变量对EBSD衍射花样质量的影响。试验结果表明,对于镍基高温合金来说,振幅对于抛光结果的影响最大,抛光时间的影响最小。 相似文献
43.
《电子工业专用设备》2011,40(7):66-67
1产品用途本机是手机视窗玻璃、计算机触摸屏、光学玻璃等非金属硬脆材料的高精度双面研磨/抛光加工专用设备,也可用于半导体硅片、陶瓷、计算机支架零件等金属与非金属硬脆材料异形平行平面材料的双面研磨/抛光加工。 相似文献
44.
45.
46.
论述了用于激光陀螺仪、旋光片抛光的MPM-700光学零件抛光平台的主要结构及特点。介绍了该设备在传动方式、台面选型优化、抛光头装载结构方面较原PG-710抛光设备的技术改进;并通过运用有限元软件对该抛光平台架进行受载情况仿真,消除了抛光过程中抛光盘变形对抛光效果的影响,进而在理论和实践两个方面确定了该设备已达到设计要求。 相似文献
47.
48.
49.
在激光抛光金属材料时,材料表面的粗糙度是评判抛光效果的主要指标。采用正交试验及响应面法进行了激光抛光表面粗糙度试验设计。为了研究离焦量、激光功率、重复频率、扫描速度这四个因素对表面粗糙度的影响,设计了四因素三水平正交试验,对结果进行了极差分析和对比选优。之后利用响应面法设计了四因素三水平的Box-Behnken Design(BBD)试验,建立了表面粗糙度的数值模型,同时得到了优化的抛光工艺参数。正交试验极差优化得到的最低粗糙度为0.1178μm,略高于响应曲面优化得到的0.1112μm。当离焦量为3 mm,激光功率为29.825 W,重复频率为91.451 kHz,扫描速度为1749.794 mm/s时,TC4合金经过激光微抛光后,表面粗糙度由0.3247μm降低至0.1112μm。合适的工艺参数有助于获得良好的激光抛光效果及较低的表面粗糙度。 相似文献
50.
介绍了LOCOS隔离技术的原理,研究了应用于LOCOS工艺的反刻平坦化技术,通过调整刻蚀中反应气体流量等工艺参数,在CHF3流量50 mL/min、O2流量2 mL/min条件下,获得了较好的平坦化表面。研究了应用于LOCOS工艺的CMP平坦化技术,通过调整CMP压力、转速、流量等工艺参数,控制了抛光速率和精度,提高平坦化的均匀性,在工艺条件为压力1psi(1 psi=6.89×103 Pa),转速25 r/min,流量120 mL/min时,获得了良好的平坦化形貌。通过实验对比发现,CMP平坦化效果优于反刻平坦化,适合于实际生产应用。 相似文献