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评述了智能功率技术最近的进展及市场动向,虽然目前的电力半导体芯片都是硅制成的,但最近的分析表明,SiC等其他的半导体材料也可能将来会代替硅。 相似文献
53.
管内覆丝网强化对流换热及阻力特性的实验研究 总被引:1,自引:1,他引:0
通过实验对管内覆丝网管进行了强迫对流换热和阻力特性研究。结果表明:管内覆丝网使换热明显增强,阻力也相应增长。菱形丝网对角线距离与平行边距离之比对换热效果有决定作用,丝网厚度对换热的影响比较小,而丝网网格的大小对换热几乎没有影响,在相同的泵功率和几何条件下,换热系数最大增加21%。 相似文献
54.
直接斜率波前复原算法的控制效果分析 总被引:7,自引:0,他引:7
建立自适应光学系统功率谱抑制函数的概念,分析了采用直接斜率波前复原算法的自适应当光学系统的控制效果,理论分析与61单元自适应光学系统上的实验结果表明,直接斜率波前复原算法将导致控制效果下降。 相似文献
55.
LDMOS (Lateral Double Diffused MOS)是1972年由H.J.Sing等人首先提出来的,是目前所有功率MOS器件的基础.与双根型器件相比,它具有普通MOS器件的优点,如输入 相似文献
56.
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Daniel Seng 《电源世界》2007,(12):75-76
光电行业目前正经历着一个持续的增长时期。2006年,欧洲的太阳热能利用装置销售上升了35%以上,使得太阳热能总容量约为1900ZE瓦(MW)。在过去的15年间,国际太阳能的需求每年增长25%左右。越来越多的新电子电路以及芯片技术正应用于太阳能逆变器,以提高逆变器的效率,从而提高整个系统的效率。由此,电力电子模块必须要高效,灵活并且同时和环境相容。[编者按] 相似文献
58.
59.
硅/硅键合是硅功率器件,功率集成电路以及集成传感器衬底制备新技术之一。键合界面的缺陷直接影响器件性能。我们采用正电子湮没技术对N/N~+硅键合片界面缺陷进行了研究。由正电子湮没谱可知:键合引入了界面缺陷,但其缺陷密度小于热扩散形成的N~-/N~+片而引入的缺陷。界面缺陷主要是一些复杂的空位团和微型空洞组成。而且在不同的退火温度下,缺陷状态不同,在高于键合温度下退火。可使键合片具有与原始硅片相近的特性。 相似文献
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