快中子探测器的效率刻度

本文叙述了用n-p散射方法刻度快中子探测器效率的基本原理、实验方法和测量结果。400 keV氘束轰击T-Ti靶,由T(d,n)~He反应得到15.2 MeV的中子,散射体是一个圆柱塑料闪烁体(φ2.2×3cm),飞行距离2m,时间分辨率约1.5ns,效率测量的能区范围为1—14MeV,对多次散射和几何条件作了修正,总的误差约2%。     

PVInSb红外探测器的阻抗——频率特性分析

通过理论计算和实际测试，给出了ＰＶＩｎＳｂ红外探测器的低频阻抗－频率特性曲线，结合检测阻抗／动态电阻的方法和阻抗－频率特性曲线的变化规律，分析讨论了ＰＶＩｎＳｂ红外探测器的阻抗与动态电阻的异同，从而说明在涉及ＰＶＩｎＳｂ红外探测器的阻抗／动态电阻时，即使在低频范围也要具体考虑频率因素的影响。     

20μm高灵敏浸没型碲镉汞红外探测器

报道了一种新型高灵敏浸没型ＨｇＣｄＴｅ红外探测器的研制，获得了Ｄ＾＊＝１．４６×１０＾１１ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，Ｒ＝６０８Ｖ／Ｗ，λｃ（２０％）－２０μ，灵敏元面积Ａ＝０．１２×０．１２ｍｍ＾２，和有效通光孔径ψ＝６ｍｍ的浸没型器件。     

光导器件及其背景限探测度

本文就ＭＣＴ光导型探测器作一总结性的讨论，对光导器件的扫出问题作了更详尽的阐述，并定义了扫出因子。关于背景限探测度提出了新的见解，认为背景限探测度不是不可逾越。     

实用型5GHz带宽InGaAs／InP PIN光电探测器

设计并研制成功了实用型５ＧＨｚ带宽ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＰＩＮ光电探测器，介绍了限制探测器响应速度的主要因素，微波封装的理论依据，以及所研制器件频率响应的测试结果。     

高温区Hg1—xCdTe光导器件的温度—电阻关系

在２００～３００Ｋ范围内测量了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ的电学参数，并推导了载流子浓度，迁移率，电阻和组分的关系表达式，所得结果与红外光谱测量数据符合，利用ＨｇＣｄＴｅ光导器件的电阻－温度特性确定组分，不需要电阻的精确值，是一种判断器件均匀性和性能的有效方法。     

金刚石光电导探测器研制及在软X光测量中的初步应用

介绍了我们自己设计制造的天然Ⅱａ型金刚石光导探测器的结构，原理，制造工艺，实验标定及其在ＩＣＦ实验中软Ｘ光测量中的应用等。     

物料动态在线水分测量装置和测量方法

本发明涉及一种利用中子及了射线技术进行物料动态在线水分测量的装置和方法。装置上由于增加了了射线电离室探测器，使原来对皮带输送机中部物料一点测量变为对物料整个横断面测量，更有利于矫正物料形状对水分测量的影响，同时将慢中子探测器与快中子发生器放在同一平面上，变已有的透射式为散射式，提高探测区域慢中子通量，提高水分测量的准确度及灵敏度；在测量方法上合理的探测器布局及数学模型可使得水分测量不受物料密度、厚度、形状变化的影响，提高测量精确度。检测水分误差小于0．5％。利用检测到的水分值去控制生产设备，实现生产过程中物料水分的自动调节，可以保证产品质量，提高生产效率，给用户带来显著的经济效益。