中国水泥工业汞的排放管理及防治建议

汞污染已成为当前备受关注的全球性环境问题,水泥工业烟气排放是我国大气汞排放的重要来源之一。本文阐述了汞污染的危害和我国水泥工业烟气汞排放现状,介绍了烟气汞污染防治技术,并对水泥工业烟气汞污染防治存在的问题进行了分析和建议。     

基于图像观测的硬化水泥浆体孔径分析

硬化水泥浆体包含了混凝土最为重要的孔隙结构,对混凝土的耐久性和渗透性有着至关重要的作用.为了真实展现硬化水泥浆体的孔隙结构,分析其孔隙特征,研究采用聚焦离子束/扫描电镜方法(FIB/SEM)和三维重构软件,扫描并重构了硬化水泥浆体的真实孔隙结构;采用等面积法、连续孔径法和模拟压汞法对其孔隙结构进行研究,并与压汞试验结果进行对比.结果表明:FIB/SEM试件的观测尺寸能代表硬化水泥浆体的孔隙结构特征;等面积法获取硬化水泥浆体孔隙直径较大,主要集中在110～120 nm之间,而连续孔径法能够较好地模拟孔隙结构的复杂性,同时从内部"侵入",孔隙直径主要集中在40～100 nm;模拟压汞法基于孔隙结构图像模拟物理压汞过程,其孔隙最可几直径为50～60 nm且其结果与压汞试验相近.     

含汞废水处理工艺优化

甘肃银光聚银化工有限公司现有的一体化除汞技术和设备是按照原标准中水体中汞的排放<0.005 mg/L设计,不能满足国家环保部新颁布的《烧碱、聚氯乙烯工业污染物排放标准》(GB 15581-2016)中对水体中汞的排放50.003 mg/L的要求。1改造设想1.1技术方案含汞处理工艺优化是在原有工艺流程图基础上进行改进,选用的除汞技术为两级沉淀、两级过滤工艺,并采用新型的复合除汞剂。复合助剂的添加,有效减少Hgs与过量的硫离子的碰撞概率,保证汞的形态转化效果,避免可溶性汞离子生成,提高汞的分离效率。对产生的污泥采用板框压滤工艺方法,有利于含汞污泥的回收处理和压滤后废水的回用。     

高温处理—电感耦合等离子体发射光谱法测定铬矿中汞含量

该文研究铬矿中汞含量的检测,通过采用高温处理将铬矿中汞元素挥发出来,与大量金属元素分离,以氧气为载流,经过王水（1+1）和芬顿试剂的二级吸收,吸收液直接经过电感耦合等离子发射光谱仪测定。通过正交分析法确定了最佳实验条件。方法通过标准物质进行验证,测定值符合证书参数,方法加标回收率为96%～117%,样品进行多次检测,相对标准偏差为4.3%,方法用于铬矿中汞含量的测定,精密度高、准确性好,满足铬矿中汞含量的检测要求。     

云南普洱茶砷和汞的含量分析

采集云南省5个地区13个普洱茶主产地的150个茶叶样本,对普洱茶中砷和汞的含量进行分析。样品中砷的含量为0.026～0.37mg/kg(md);汞的含量为0.0014～0.020mg/kg(md),并有85.9%的样品未检出汞,砷和汞的检测结果符合农业部质量标准。结果表明,云南西双版纳、思茅、临沧、保山、大理普洱茶中砷、汞富集存在地区性差异,生茶和熟茶这两种不同加工工艺可以影响产品砷和汞的终含量,但均未影响普洱茶的质量安全,以云南五地区为代表的中国普洱茶目前砷、汞质量安全状况良好。     

苏州市地产大米重金属污染状况及人群膳食暴露风险评估

目的 研究苏州地产大米中铅、镉、总汞、总砷4种重金属污染状况, 并评估4种重金属对苏州居民的膳食暴露风险。方法 2019年从苏州市属9个区县采集本地产大米93份, 采用国标方法检测其中铅、镉、总汞、总砷4种重金属的含量, 依据GB2762-2017《食品安全国家标准 食品中污染物限量》对样品中重金属超标情况进行判定; 采用单因子污染指数法、内梅罗综合污染指数法评价大米中4种重金属的污染程度; 采用简单分布模型(确定性评估)的方法评价大米中重金属对苏州居民造成的膳食暴露风险。结果 全部大米样品中铅、镉、总汞、总砷4种重金属均未超过国家限量标准, 铅、镉、总汞和总砷污染水平均值分别为0.0208、0.0419、0.0027和0.0701 mg/kg, 各区县大米中重金属含量水平之间无统计学差别。大米中4种重金属单项污染指数均小于0.7, 污染程度处于优良水平; 综合污染指数小于0.7, 污染程度处于安全水平。苏州地产大米中铅的污染对苏州本地居民95%的儿童及所有成人均不会产生健康危害, 但可能对5%的儿童(高食物消费暴露者)产生潜在健康影响; 镉、总汞、总砷污染对成人和儿童均不会产生健康危害。结论 苏州市地产大米中重金属污染水平较低; 大米中铅的污染可能对高食物消费暴露儿童存在潜在健康危害。     

温度对碲镉汞光伏芯片Ⅰ-Ⅴ特性的影响

对室温工作的短波碲镉汞光伏芯片进行了步进温度烘烤实验.烘烤温度从60℃开始,步长为5℃,到120℃结束,每个温度下的烘烤时间一般为24 h.实验结果显示当烘烤温度达到95℃以上时,Ⅰ-Ⅴ测试结果中反偏部分的电流有明显增大.通过理论分析得到扩散电流和产生复合电流是实验芯片的主要电流机制;较高温度的烘烤在势垒区内产生大量的缺陷,从而降低芯片的少子寿命,使扩散电流增大;同时芯片表面钝化层内的缺陷数目也在温度作用下增加,引起芯片表面复合速度增加.