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991.
基于低功耗单片机的智能综合仪表设计 总被引:1,自引:0,他引:1
本文阐述了基于低功耗单片机的智能综合仪表的研究和开发.从硬件方面的通用信号调理、基于PWM的DAC的实现、点阵液晶显示、按键处理、串行FLASH存储、实时时钟、RS485通讯以及软件方面的数字滤波、数据处理、数字PID控制、系统运行显示、系统组态、数据存储追忆、实时时钟等等方面的技术要点进行了介绍.最后简单介绍了系统软件总体结构设计. 相似文献
992.
本文提出了一种基于F2812并使用液晶显示的监测系统的设计方案,给出了系统的总体硬件结构框图,并详细介绍了F2812与液晶显示屏的接口设计以及液晶显示的程序设计. 相似文献
993.
阐述了一个嵌入式磨削数控系统,包括系统硬件设计和软件设计.该系统以S3C44BOX为控制器,以uC/OS-Ⅱ为操作系统,以U盘进行加工信息的离线传输,以PWM方式进行电机控制,以LCD显示器进行显示,具有控制精度高,成本低,体积小,易于扩展和升级等特点,是传统机床的数控化改造和经济型数控机床开发的发展趋势. 相似文献
994.
995.
聚砜类原位复合材料加工流变性 总被引:3,自引:0,他引:3
合成了含4,4'-二羟基联苯和4,4'-二羟基二苯基甲烷结构的两种液晶共聚酯BP-LCP和BPM-LCP,将其与聚砜共混制备原位复合材料。探讨了共混物在Haake转矩流变仪中密炼时转矩的变化;通过毛细管挤出考察了液晶共聚酯分子结构、分子量及含量变化对原位复合材料流变性能的影响,由流动曲线获得这一类原位复合材料熔体大部分表现为假塑料性非牛顿型流体,但含低分子量BP-LCP20%和BPM-LCP30%的两种原位复合熔体均表现出特殊的流变性:较低剪切速率时为胀塑性流体,较高剪切速率时为假塑性流体。分析了这种现象与液晶共聚酯结构形态的关系。并讨论了增强组份和基体的相容性对原位复合材料流变性的影响。 相似文献
996.
研究了向列相液晶激光器件侧面激光辐射谱,并深入分析了激光辐射机制。分别制备了传统液晶盒和引入SU-8光栅结构的两种器件,并注入向列相液晶TEB30A和激光染料PM597的混合物。利用Nd:YAG固体脉冲激光器倍频出的532 nm激光作为泵浦源正面入射器件,侧面探测激光辐射谱。在传统液晶盒器件侧面,测得575~600 nm范围的随机激光辐射谱。而具有周期100μm和8μm的SU-8光栅结构器件侧面,获得了多波长激光辐射谱。随着泵浦能量增大,最高强度激光辐射峰波长位置出现在583~585 nm和588~592 nm附近,FWHM约0.3 nm。基于光波导理论结合器件结构分析得出,在传统液晶盒中引入SU-8光栅结构增强了液晶器件的光波导效应,是获得多波长激光辐射谱的主要原因。 相似文献
997.
998.
有机电致发光器件的发光颜色与色纯度在很大程度上受限于有机材料本身特性,而通过光学微腔效应可以从器件结构的改变来进行色纯度的调节。本文介绍了一种通过调节有机结构中空穴传输层和电子阻挡层厚度,从而改变器件微腔腔长,获得高纯度顶发射单色发光器件的方法。利用这种方法制作的有机顶发射绿色磷光器件结构为Si Substrate/Ag/ITO/ NPB: F16CuPc(10 nm, 3%)/NPB(x nm)/ TCTA(y nm)/ mCP: Ir(ppy)3(40 nm, 6%)/ Bphen: Liq(30 nm, 40%)/Mg: Ag(12 nm, 10%)/Alq3(35 nm),改变NPB和TCTA的厚度,获得了高色纯度发光器件,正向出射绿光的色坐标达到(0.2092,0.7167),接近标准绿光(0.21, 0.71)。 相似文献
999.
为了满足机载显示器图形生成系统的小尺寸、低功耗需求,提出了一种基于龙芯2K1000的全国产图形生成与处理方案。该方案以2K1000为核心构建硬件平台,使用2K1000内部集成的中央处理器、图形处理器、显示控制器,以及外部的内存实现图形的计算生成和双缓存显示,配合国产可编程逻辑器件实现图形与外视频的叠加显示及机载通信总线扩展。软件上采用航空专用的国产天脉操作系统,基于天脉操作系统设计了关键的图形显示驱动、帧存驱动、显示控制器驱动。实验结果表明,在输出1 024 pixel×768 pixel分辨率显示时,典型机载图形画面帧率达到35 frame/s,整体功耗约10 W。该方案扩展性强、功耗低,满足实时显示需求,在机载显示器领域有着广泛的应用空间。 相似文献
1000.
将热氧化与MOCVD工艺相结合,总结了一种在本征GaAs衬底上进行β-Ga2O3纳米点阵薄膜制备的工艺,该工艺不涉及金属催化剂与复杂刻蚀,工艺更为简单。使用扫描电子显微镜对所制备薄膜的形貌特征进行了表征与分析,发现所制备的纳米点阵薄膜呈现五方的柱状结构。对所制备样品进行了X射线衍射、拉曼振动、光致发光谱的测试,结果表明薄膜的晶体质量随着MOCVD生长温度与Ⅵ/Ⅲ比的提高而得到优化。使用有限元法(FEM)仿真验证了β-Ga2O3纳米点阵薄膜制备的高陷光特点。 相似文献