基于气体热对流的微机械倾角传感器综述

针对MEMS技术和气体热对流倾角传感器技术的结合,介绍了基于气体热对流的微机械倾角传感器的国内外研究现状和发展趋势;着重分析该种传感器的原理和性能特点,特别是融合了MEMS技术和气体热对流敏感机理的优点:使传感器具有体积小、重量轻、功耗低、成本低、可靠性高、可批量生产、优良的抗振动和抗冲击能力等特性.对基于气体热对流的微机械倾角传感器的进一步研究将有益于提高倾角传感器的性能和扩大其使用范围.     

316不锈钢在高温钠中的腐蚀

文章报道了316 Ti不锈钢在650℃钠中浸泡10000h的初步腐蚀结果,该研究是在带有真空-惰气手套箱的热对流钠回路中进行的。获得了316 Ti不锈钢腐蚀性能的基本数据及钠工艺方面的实际经验,观察了钠腐蚀作用下的增重现象及显微组织的变化,并对相关参数进行了测定。     

单层织物湿态热防护性能测试与分析

为研究消防服用织物的湿态热防护性能,以4种适宜用作消防服装多层结构的面料为试样, 通过热辐射和热对流综合热防护性能实验（TPP实验）,测试织物在5种湿状态下热辐射和热对流综合热防护值TPP值和二级烧伤时间,比较不同层面料吸湿后热防护性能的变化。用SPSS软件研究分析了单层织物吸湿后含水率对二级烧伤时间和TPP值的影响。结果显示, 在高强度热流量短时间作用情况下,水分有助于提高单层织物的热防护性能。二级烧伤时间和TPP值均随面料含水率的增大而增大,含水率与二级烧伤时间和TPP值之间存在显著的线性正相关关系。并在TPP值、二级烧伤时间与含水率之间建立了一元线性回归方程。     

A spectral finite difference analysis of natural convection in a rectangular equilateral triangle cavity

~nonSpectral finite difference schemes are developedmainly to analyze partial differential equationsnumerically with boundary conditions andlor initial...din..,[i.2]. Its main feature lies in the fact that noerror is introduced in decomposing the original set ofpartial differential equations into spectral components.Thus, given a system of decomposed simultaneousdifferential equations, supplemented with decomposedboundary I initial conditions, mathematical features tothe original padal differe…     

热场分布对大直径CZSi单晶中氧含量的影响

为了降低大直径CZSi单晶生长过程中氧的引入,采用不同的热场,通过最优化方法,得到了适于大直径（154mm)晶体生长的热场温度分布,使熔体的纵向温度梯度下降,热对流减少,硅单晶中氧含量降低。     

用流温曲线确定产气量

用流温梯度曲线判断产气层段已在文献［1］中进行了分析，因流量是影响井筒流动温度曲线最主要的因素，所以可以利用流动温度曲线来确定产气层的产气量，从而进一步扩展流动温度曲线的应用。     

一次局地热对流降水天气分析

利用自动站温度和降水资料,分析了2009年8月3日营口东部山区发生午后局地热对流天气的温度特征及其产生的背景条件;并利用多普勒雷达资料产品分析了其对这次午后热对流降水的监测和预测能力.结果表明,由于营口地形是西低东高,且中东部地区有较高的植被覆盖率,所以当营口东部山区处于高压控制时,白天强烈的非均匀地表加热导致较高的午后地表温度以及地表温度与气温的巨大温差,是形成午后局地热对流降水的必要条件.多普勒天气雷达产品对午后局地热对流降水有很好的监测和预测能力,对未来半小时内的降水量估计有一定的指导作用.     

Lisec革命性的玻璃钢化新工艺

本文简要介绍了Lisec新的钢化技术，简述了非接触式平板系统，热空气喷嘴系统及配套电气系统及倾斜传输系统等3项技术革新，在这种新的钢化技术下钢化玻璃性能的提高及应用领域的拓展。为客户提供一种全新的玻璃钢化解决方案。     

用PMCZ法生长的单晶硅中氧和电阻率的均匀性

用永磁体环形磁场直拉（PMCZ）炉代替普通的MCZ炉生长了质量较高的单晶硅。在PMCZ炉中水平辐射状磁力线均匀分布，可有效地抑制熔体中不规则的对流和固液界面处的温度波动，降低以至消除微观生长速率的起伏。在用PCMCZ法生长的硅晶体中氧浓度较低，杂质的径向分布均匀性好。简单地讨论了PMCZ法控氧优于普通MCZ法的机理。