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随着集成电路加工工艺技术向0.18微米或更小尺寸的继续发展,设计高性能的SOC芯片面对越来越大的挑战。几何尺寸越来越小,时钟频率越来越高,电压越来越低,上市时间越来越紧迫,因此设计复杂性迅速增加,互连线和信号完整性问题已成为影响设计成功的主要因素。现有的设计方法遇到了许多新的挑战。为了应对这些挑战,人们展开了深入的研究,提出了许多方法。本文将分析物理设计的挑战,回顾物理设计的方法,比较它们的优缺点,指出它们的适用范围,最后展望深亚微米物理设计的发展方向。 相似文献
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1 双流县宽带网简介 自1996年我县广播电视局在全省首家将有线电视信号用光纤延伸到农村乡镇以来,经过7年的努力,已架设光缆干线300多公里,6000多芯公里,设计光节点为199个,已经开通143个,目前已连通全县所有乡镇和部分村社以及驻县各级企事业单位。 相似文献
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第二部份:尺寸、机械及物理特性8.尺寸及物理特性(图5至图8) 考虑光盘互换性和兼容性的要求,光盘从中心孔到外缘的各项尺寸,应符合下列规范要求。 光盘尺寸均以P平面及Q平面为基准平面。 P平面是第一基准平面,它是光盘夹持区的下平面。 Q平面是第二基准平面,它是光盘夹持区的上平面。 相似文献
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a-Si∶H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容,实验研究表明它并不能完全表征TFT的寄生效应,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在.从LCD的结构、材料、制备工艺等普遍性出发,依据交迭电力线建立了物理寄生效应模型并对其进行了详细的分析和计算,实验结果表明该方法是有效可行的,从而使LCD寄生效应有了一个较完美的理论表征和分析计算方法. 相似文献
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氧化钨物理特征的测量 总被引:2,自引:0,他引:2
对铵钨青铜(ATB)、氢钨青铜(HTB),紫色氧化钨(TVO)和蓝色氧化钨(TBO)四种氧化钨粉的氮气吸附/脱附等温线数据的分析。可以得出其表面积,微孔体积,微孔分布,中孔体积,平均孔径和分数维数。吸附/脱附等温线数据的分析表明,TVO粉末具有最大的中孔体积,最小的微孔体积,最窄的孔径分布,最小的分数维数和最大的平均孔径,其有利于氢还原制取超细钨粉,而不利于掺杂工艺,HTB粉末具有最大的微孔体积,最宽的孔径分布,最高的分数维数和最小的平均孔径,对于掺杂工艺来说是有利的,ATB和ABO的上述参数界于TVO和HTB之间。结果表明,利用吸附/脱附等温线来研究氧化物的物理特征是一个很好的方法;在氧化钨用于氢还原工艺和掺杂工艺之前必须研究其物理特征。 相似文献