基于球坐标的三维静电场曲边三角形边界元法

为了精确计算三维静电场中球形电极表面的电场强度,提出了基于球坐标变换的球面曲边三角形边界元法。该方法中积分的区域为球面,求解函数采用球面上球坐标线性插值,单元的外法线方向为严格的球面法线方向。计算结果表明,与平面直边单元相比,在网格剖分节点相同时,球面曲边三角形边界元法的计算精度明显提高。在计算精度要求相同时,球面曲边三角形边界元法节点数较少,具有计算速度快,占用计算机内存少等优点。     

多响应性聚合物微球的制备与光学性质研究

通过分散聚合法合成了形态规则、平均粒径在370nm左右、粒径分布均匀的聚（N-异丙基丙烯酰胺甜丙烯酸（P（NIAM-co-AAc））交联型聚合物微球．在，此基础上选择不同浓度的Tb（Ⅲ）离子与P（NIPAM-co-AAc）微球进行复配，制备了P（NIPAM-co-AAc）-Yb（Ⅲ）的复配微球．通过紫外光谱和荧光光谱对复配微球的表征发现：该复配微球具有温敏性和pH响应性：P（NIPAM-CO-AAc）微球和Tb（Ⅲ）之间发生了有效的能量传递，明显增强了Yb（Ⅲ）的特征荧光发射．     

乳化交联法制备壳聚糖微球粘连原因分析

乳化交联法是制备壳聚糖微球常用的工艺，但在制备过程中，常出现微球产物粘连的现象。分析了搅拌速度、油水体积比、表面活性剂添加量和交联剂用量等影响微球粘连的因素，优化出了分散性好，粒度均匀的壳聚糖微球制备工艺参数。结果表明，搅拌速度〉350r／min，油水体积比〉2．5，表面活性剂span80用量为水相的20％时，可获得分散性好的壳聚糖微球，微球的粒径可以控制在1～5μm之间。     

Fe3O4/聚苯乙烯中空微球磁性复合微粒的制备及其磁流变性能的研究

用共沉淀法在聚苯乙烯（PS）中空微球表面包覆Fe3O4，制备了Fe3O4/Ps中空微球磁性复合微粒，当磁性包覆层的厚度为30～50nm时，复合微粒的室温表现密度为1．5g/cm^3，为传统磁流变液（MRF）中所用铁粉等软磁性颗粒密度（约7．9g/cm^3）的1/5，更为接近MRF中载液的密度。复合颗粒的磁滞回线比较狭长，呈软磁性，其磁性能和Fe3O4纳米颗粒相差不大。与Fe3O4颗粒相比，Fe3O4/PS中空磁性复合微粒在水载液中的沉降稳定性大大提高，复合微粒含量越高，其沉降稳定性越好。在磁性微粒含量相同的条件下，基于Fe3O4/PS中空磁性复合微粒的MRF的磁流变性能明显优于基于Fe3O4纳米微粒的MRF。     

当前和未来重要的封装技术

本文重点探讨了当前和未来重要的微电子封装技术的特性、应用情况、技术难点。最后分析预测了未来微电子封装的发展趋势。     

BGA焊点的质量控制

BGA是现代组装技术的新概念,它的出现促进SMT(表面贴装技术)与SMD(表面贴装元器件)的发展和革新,并将成为高密度、高性能、多功能及高I/O数封装的最佳选择。本文将结合实际工作中的一些体会和经验,就BGA焊点的接收标准、缺陷表现及可靠性等问题展开论述,特别对有争议的一种缺陷空洞进行较为详细透彻的分析,并提出一些改善BGA焊点质量的工艺改进的建议。     

槽沉法制备长余辉发光玻璃微球

选择铝硼硅酸盐玻璃体系，高温熔融法制备了Eu，Dy掺杂的铝硼酸盐基质透明玻璃，并采用槽沉法制备了透明玻璃微球．利用XRD、SEM和荧光光谱对样品进行分析．结果表明：该玻璃微球粒径分布范围窄，光学性能好，其折射率为1．690；单掺杂和双掺杂玻璃微球均具有长余辉发光性能，单掺杂Eu^2＋发光峰位于460nm，而双掺杂Eu^2＋、Dy^3＋的发光峰分别位于456和452nm，并且样品的发光时间达到15h以上。     

全球硅紧缺 夏普加大薄膜硅太阳能电池产量

世界第一大太阳能电池厂商夏普近日表示，受全球硅产量吃紧的影响，夏普计划从明年开始扩大位于日本的工厂生产薄膜硅太阳能电池的产量。     

Kinetic Equation for Internal Oxidation of Cu-Al Alloy Spheres

The kinetics of internal oxidation of Cu-Al alloy spheres, containing up to 2.214% mole fraction Al was investigated in the temperature range 1 023 K to 1 273 K, and the depth of internal oxidation was measured in the microscopy. A kinetic equation was derived to describe the internal oxidation of Cu-A1 alloy spheres, which was checked experimentally by means of oxidation depth measurements. The results show that the derived equation is exact enough to describe the kinetics of internal oxidation of Cu-Al alloy spheres. Based on this equation and the oxidation depth measurements, the permeability of oxygen in solid copper has been obtained. Investigation also shows that in the process of internal oxidation, there is no evidence for preferential diffusion along grain boundaries.     

晶片级CSP应用温度解析

晶片级芯片尺寸封装形式在半导体行业中长期以来占有非常重要的地位．这一封装形式被成功应用到满足不同温度要求的新型WLCSP封装，用以实现热量转换及信号保护，满足电子业界不断增加的热量密度要求。该篇文章聚焦温度对晶片级封装器件板上装联的影响．包括1．）焊接-锡铅焊接与无铅焊接：2．）底部填充一温度对填充材料性能的影响：3．）焊接失效模拟分析-温度与表面贴装工艺如何影响焊点可靠性．帮助工程师分析、解决WLCSP在生产应用中可能出现的各类问题：实验过程中红外摄像监控仪用于监控不同规格WLCSP不同焊接工艺下焊点温度特性．[编者按]