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31.
介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁敏元件制成的准全方位振动传感器.它由两对对称轴方向互相垂直的InSb-In磁敏元件构成,可将检测方位范围由一维扩展到现在的二维平面,并用单片机P87LPC760对传感器信号进行处理,应用中可提高检测信号的准确性.经实测, 在机械振动的中低频率检测范围内,传感器的有效频带不窄于4~760Hz,其通频带内信噪比为30~32dB,经换算得灵敏度为16mV/gn.同时,得到传感器振动强度大小与磁敏电阻器输出信号关系曲线.  相似文献   
32.
从熔断电阻器化学沉积膜的工艺原理、工艺过程到五种不同成膜液的配方,分析了不同的配方所形成的化学沉积膜的性质差异,指出影响熔断电阻器化学沉积膜工艺的主要因素有镀液的配方、PH值、温度及镀膜工艺等,从而为我们进一步研究熔断电阻器的化学沉积工艺,提高熔断电阻器的质量有一定的指导意义。  相似文献   
33.
阐述了电阻器设计的基本原则,提出根据给定的电阻允差,求出电阻的偏差值,再根据偏差值及材料尺寸偏差,得出材料的加工偏差的方法;此外,电阻器的热耗散可根据本文提供的值进行计算,然后对比一些成熟的产品再作修正,通过多次反复,取得经验,就可以设计出合乎要求的电阻器。  相似文献   
34.
提出并分析了统一电能质量控制器UPQC(Unified Power Quality Controller)的一种新型保护方法。配电系统中发生短路故障时,该方法可以很有效地保护统一电能质量控制器串联部分中的辽变电路。保护的核心元件是与电流互感器二次侧并联的压敏电阻器及反并联晶闸管支路,通过对晶闸管门板信号的控制使电流互感器二次侧的电压箝位在逆变电路所允许的范围内,从而实现对UPQC的有效保护。该方法通过Matlab对380V配电线路进行了数字仿真,证明了其有效性。  相似文献   
35.
36.
李黎 《电工技术》1997,(8):45-49
介绍氧化锌压敏电阻器的基本原理及应用方法,并给出了在过压保护和浪涌吸收应用方面的参考电路。  相似文献   
37.
ZnO压敏电阻器生产工艺的改进   总被引:4,自引:0,他引:4  
压敏电阻器的生产工艺是影响产品质量的重要因素之一。通过试验,对生产工艺中,影响ZnO压敏电阻器直流老化性能的因素,如原材料细度、烧成气氛、成型密度、热处理温度和时间、掺杂等进行了研究,并据此确定了最佳工艺条件。  相似文献   
38.
在介绍浪涌的危害和以压敏电阻器(MOV)构成的浪涌保护器特性的基础上,较详细地介绍了它在保护电子仪器仪表和三相交流电气设备中的应用;给出了被保护调节仪和被保护稳压器中安装浪涌保护器的输入电路,并为一实际工程提供了一种有效的解决方案。  相似文献   
39.
ZnO压敏电阻器对所用银浆附着力要求较高,通过对ZnO压敏电阻器用银浆料中玻璃粉的研究,提出了用复合玻璃粉制备ZnO压敏电阻器用银浆料。浆料经不同温度烧成后,测得了烧成膜与基体附着力的数据,复合玻璃粉S2:S5的最佳质量比为1:2.5,复合玻璃粉添加量(质量分数)为3.5%时,可显著提高浆料对基体的附着力。结果表明:可采用适合于480~580℃烧成温度的复合玻璃粉来提高烧成膜的致密性及对基体的附着力。并对其机理进行了探讨。  相似文献   
40.
近几十年来,国内外有关ZnO压敏电阻器低压化的研究报道很多。本文对低压化的方法作了较为系统的归类及评述,并对其发展趋势作了初步探讨。  相似文献   
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