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992.
993.
研究了采用感应耦合等离子体-原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX-SOI材料过程中金属杂质污染的有效性.同时研究了采用强酸清洗、加SiO2膜覆盖等方法对降低污染程度的效果.利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样,检测结果是一种整体的平均效果.采用强流氧注入机进行高剂量氧注入,发现金属杂质污染元素主要是Al、Ar、Fe、Ni;注入后强酸清洗样品可有效降低Al污染;60nm厚的二氧化硅注入保护膜可阻挡一半的上述金属污染. 相似文献
994.
995.
姜秀溪 《济南纺织化纤科技》2003,(2):15-15,18
本文从产品的组织结构、生产工艺、半成品的后整理等方面对新型大棚蓬盖材料进行了技术开发探讨,提出了采用新型基布生产蓬盖材料的技术可行性和广阔性的应用前景。 相似文献
996.
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999.