全文获取类型
收费全文 | 10839篇 |
免费 | 412篇 |
国内免费 | 179篇 |
专业分类
电工技术 | 152篇 |
综合类 | 413篇 |
化学工业 | 3989篇 |
金属工艺 | 518篇 |
机械仪表 | 291篇 |
建筑科学 | 645篇 |
矿业工程 | 287篇 |
能源动力 | 118篇 |
轻工业 | 2322篇 |
水利工程 | 241篇 |
石油天然气 | 429篇 |
武器工业 | 68篇 |
无线电 | 262篇 |
一般工业技术 | 1019篇 |
冶金工业 | 472篇 |
原子能技术 | 39篇 |
自动化技术 | 165篇 |
出版年
2024年 | 107篇 |
2023年 | 389篇 |
2022年 | 556篇 |
2021年 | 611篇 |
2020年 | 437篇 |
2019年 | 406篇 |
2018年 | 166篇 |
2017年 | 283篇 |
2016年 | 311篇 |
2015年 | 353篇 |
2014年 | 635篇 |
2013年 | 519篇 |
2012年 | 684篇 |
2011年 | 699篇 |
2010年 | 509篇 |
2009年 | 471篇 |
2008年 | 979篇 |
2007年 | 440篇 |
2006年 | 309篇 |
2005年 | 420篇 |
2004年 | 307篇 |
2003年 | 647篇 |
2002年 | 682篇 |
2001年 | 254篇 |
2000年 | 68篇 |
1999年 | 72篇 |
1998年 | 31篇 |
1997年 | 16篇 |
1996年 | 22篇 |
1995年 | 18篇 |
1994年 | 15篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 3篇 |
1989年 | 2篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
中国典型叠合盆地油气成藏研究新进展(之二)——以塔里木盆地为例 总被引:10,自引:11,他引:10
金之钧 《石油与天然气地质》2006,27(3):281-288
近年来,中国西部典型叠合盆地油气成藏研究获得重大进展。成盆方面:1)地球物理综合剖面揭示了塔里木盆地与天山造山带的深、浅层耦合特征具有走向分段性,大致以羊布拉克为界,以东表现为近东西向斜向伸展的特征;以西,主要表现为近南北向垂直于地层走向的伸展状态;2)揭示了塔里木盆地的翘倾式叠合演化的特点,自寒武纪到第四纪,盆地沉降中心经历了由东向西向周缘的迁移过程。成烃方面:1)建立了海相碳酸盐岩优质烃源岩发育的环境指标及发育的盆地类型,高丰度烃源岩仅发育于被动大陆边缘背景下的裂谷、克拉通内坳陷盆地和活动大陆边缘背景下的前缘斜坡、挠曲类前陆坳陷中;2)确立了有效碳酸盐岩烃源岩的有机质丰度下限为0.25%~0.30%。成藏方面:1)轮南地区早古生代碳酸盐岩储层中发育3期烃类包裹体,与区域性油气充注事件有关,分别形成于晚志留世-早泥盆世、晚白垩世及新近纪;2)通过油源对比分析,指出轮南、塔河地区的原油可能源于中、上奥陶统源岩;3)同位素示踪研究及包裹体测温揭示了塔中地区流体具有深部来源特征。而且,萤石交代灰岩对储层物性具有显著改善作用。并指出塔里木盆地近期油气勘探中,在台盆区碳酸盐岩勘探领域不断有新层系和新类型油气的发现,台盆区碎屑岩勘探领域于志留系和泥盆系也连获突破,展示了塔里木盆地良好的勘探前景。 相似文献
102.
103.
104.
光学材料的激光微加工研究进展与应用前景 总被引:1,自引:1,他引:1
综述了国内外在光学材料激光微加工方面的研究成果和应用状况,并展望了其发展前景。 相似文献
105.
106.
时间反演电磁波具有时-空同步聚焦、空间超分辨率聚焦等特性,据此可以构建大容量无线通信、超分辨率成像等新型电磁波应用系统。文章对时间反演电磁波应用系统的研究进展进行了综述,并对后续研究给出了建议。 相似文献
107.
108.
109.
无源光网络技术及其应用市场(本期优秀论文) 总被引:2,自引:0,他引:2
着重介绍国内外的APON、EPON和GPON三种PON(passive optical network)技术的研发进展情况,并提及用于未来全光接入网的两种新型PON技术:WDM-PON和WDM/OCDMA-PON技术,以便使人们展望未来的PON技术的发展方向.同时,文章还介绍国内外对APON,EPON和GPON三种PON技术的应用市场开发情况.最后介绍如何结合我国国情来开发PON技术应用市场,并列举了一些有借鉴意义的应用开发实例. 相似文献
110.
宽禁带半导体材料技术 总被引:1,自引:0,他引:1
李宝珠 《电子工业专用设备》2010,39(8):5-10,56
宽禁带半导体材料是一种新型材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成电子器件;利用其特有的禁带宽度,还可以制作蓝光、绿光、紫外光器件和光探测器件,能够适应更为苛刻的生存和工作环境。在宽禁带半导体材料中,具有代表性的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、金刚石以及氧化锌(ZnO),综合叙述了这些材料的特性、发展现状和趋势;并介绍了SiC、GaN、ZnO材料的应用情况和代表性器件的研究进展。 相似文献