西部地区深井井身结构设计技术探讨

科学合理地确定井身结构及钻井液密度是深井超深井钻井的关键环节之一，其基础是准确建立地层孔隙压力、地应力、破裂压力、坍塌压力的钻前预测剖面。分析了西部地区目前深井井身结构的缺点和进行井身结构应考虑的问题，介绍了深探井井身结构的设计方法，并针对西部复杂地区的地层特点，建议采用3种增加技术套管的井身结构方案。塔河油田钻井实践表明，采用这3种井身结构方案后，深井机械钻速得到提高，钻井周期缩短，而且降低了钻井成本。     

砂岩酸化中水化硅沉淀的影响因素分析

讨论了砂岩酸化中产生水化硅沉淀的反应机理。使高岭土与1.0%HF和多种配比的HCl HF在不同温度(20-90℃)反应不同时间(10-300分钟),用等离子吸收光谱法(ICP)测定酸液中可溶性硅的浓度(mg/L),取某时段测定值的减小量为该时段水化硅沉淀生成量,讨论了多种因素的影响,得到了如下结果和结论。反应温度越高,则高岭土与HF之间的反应越快,形成水化硅沉淀的时间越短,最终生成的沉淀量越大;在HF中加入HCl(使用土酸体系)、减小土酸中HF质量分数、加大土酸中HCl、HF质量分数比,均可使生成沉淀时间延后,使最终生成沉淀量减少。60℃时300分钟沉淀量,在1.0%HF、5.0%HCl 1.0%HF、9.0%HCl 1.0%HF中分别为482、321、201mg/L。提出了在酸化设计与施工中可以采取的6条简便易行的减少水化硅沉淀量的措施。图4表1参6。     

互联网有一条长长的尾巴

两周前，我想给我的手机买个硅胶套。花了两天时间，跑遍了重庆市的IT卖场，竞没有找到一款合适的。一气之下决定在网上购买。从开始找卖家到下单，只花了一个小时，隔了一天，快递就为我们手机送来了新衣服。仔细算了一下，我四处寻找硅胶套那两天，劳累不说，花的车费钱，就比快递费多得多。     

妥帖呵护与众不同--屏幕贴与硅胶套

现在手机的“面子”越来越大，屏幕被硬物划伤的可能性也随着增大。尤其是一些触摸屏手机，就算不发生意外，每天的手写、触控也会让屏幕上积累出诸多划痕。于是，手机屏幕贴开始流行起来，小小一张贴纸，就能最大限度地保护手机屏幕不受损伤。对那些大屏幕、触控操作的PDA手机来说，还能凭借完好无损的屏幕在以后出手时卖个好价钱！ 硅胶套则是随着iPod的流行而兴起的一种保护用具，强调时尚的用户能更喜欢花样百出的手机皮套，布套。硅胶套则是另一个极端——所有的硅胶套都是半透明的，没有什么花样，但这是手机的另一个外壳，一旦套上就无须取下，也基本上不会对正常使用造成不利影响。 硅胶套与屏幕贴，内外相济，为手机提供最妥帖的呵护。希望自己的手机用上一年半载之后还完整如新吗？那就快去选择合适的屏幕贴与硅胶套吧！[编者按]     

福禄克推出安全型压力校准器

~~福禄克推出安全型压力校准器     

单光纤传输光推动便携式压力测量仪的研究

介绍了用单根光纤传输测量信号和功率信号的光功率推动液体压力测量仪及其工作原理。该仪器以电容式压力传感器的δ元件作为压力检测元件，采用低功耗前置器电路和简单直杆结构，实现了便携式测量。测量范围为O～100kPa，精度为O．01kPa。     

泵入／回流测试有效降低水平地层应力的评估

本列举了在挪威近海不同井位进行的泵入／回流测试的现场数据，解释了致密地层中标准扩展滤失测试(XLOTs)在2000m相应的0．1s．g处至少过高估计了最小水平地层应力20bar的原因。泵入／回流测试是一个XLOT的简单改进。在关井以后，压裂液允许通过一个固定油咀回流。压力和回流量被记录为一个时间函数。我们把一些泵入／回流测试的结果与XLOTs所使用的常规泵入／回流测试的结果进行了比较。由于现有的测试是在致密地层内进行的，因此实际裂缝闭合压力显示出比从标准的XLOT传统解释推断的测试结果最多低于20bar。业已证明，在大多数的情况下，泵入／回流测试是直接的解释，因而它也应该是用于测量最小水平地层应力的最优方法。     

马朗凹陷油气成藏流体动力系统分析

应用油气成藏流体动力系统分析的思路，通过研究三塘湖盆地马朗凹陷地层格架内流体动力学、化学特征、地温分布特征以及它们之间的相互关系规律，同时对凹陷区域流体动力系统沉积和构造演化过程进行了分析，马朗凹陷在纵向上可划分为侏罗系侧向弱开放性和二叠系垂向开放-弱开放性二个油气成藏流体动力系统，并按各个系统的类型分析了它们的成藏条件，为马朗凹陷的进一步勘探提出了重点关注的区域。     

硅微机械梳齿静电谐振器的建模与分析

基于参数化的计算机辅助设计（CAD）软件，对硅微机械梳齿静电谐振器进行了实体建模，以有限元分析软件为工具，进行了谐振器的模态分析，静态分析和谐响应分析，初步揭示了谐振器的静、动态特性，有助于改善设计效率和质量，展示了计算机辅助工程（CAE）技术在微机电系统（MEMS）研究中的重要作用。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.