WC对铜基和镍基喷焊覆层材料耐气蚀性能的影响

在CuNiSiB,NiCrSiB自熔合金粉末中添加WC陶瓷颗粒，利用氧乙炔焰粉末喷焊工艺制备覆层材料，用超声波振动气蚀仪对覆层材料进行耐气蚀性能研究，用扫描电子显微镜对覆层材料表面气蚀破坏形貌进行观察，结果表明：复合覆层材料的耐气蚀能力比基体强；提高CuNiSiB覆层材料耐气蚀能力的途径是强化晶界，还探讨了覆层材料的气蚀破坏机理。     

高性能IGBT模块的设计考虑

本文对ＩＧＢＴ模块中功率芯片（ＩＧＢＴ和续流二极管）的优化设计进行了讨论。通过优化几个重要的工艺参数并改进器件的结构，ＩＧＢＴ不仅有足够的短路容量，而且正向压降与电流下降时间之间可实现最佳折衷。另外，续流二极管的反向恢复特性也有明显改善。通过采用衬底控制技术，ＩＧＢＴ模块的输出特性不受温度的影响，输出电流更稳，输出阻抗更高。本文详细介绍了整个设计考虑。     

攀钢转炉炼钢用碳化硅提温的试验研究

低品位碳化硅是转炉炼钢的有效提高温剂。工业性试验结果表明，碳化硅加入８．０ｋｇ／ｔ钢水提温４０．３－７０．３℃（平均４８．４℃）；渣中ＴＦｅ降低１．３％；加提温剂有利于转炉内造渣脱硫和碱少炉渣对耐火砖的侵蚀。文中还给出了攀钢转炉半钢冶炼铸用钢不水时加与不加碳化硅的ｔλ，［Ｃ］λ区域。     

树脂热解炭制备碳化硅晶须

用自制的配合醛树脂热解和炭源，用ＳＩＯ２超细汾作原，根据碳热还原原理，利用常规加热和微波加热两种方式，分别制备了直径在纳米级的ＳｉＣ晶须，Ｘ射线衍射、透射电检测结果表明：制备工艺和条件对ＳｉＣ晶须的性质有较大的影响。     

碳热还原法制备氮化硅粉体的反应过程分析

对以碳热还原法制备氮化硅粉体的ＳｉＯ２－Ｃ－Ｎ２系统进行化学反应热力学和动力学的分析，从而发现在氮气氛不足的条件下，这一系统的反应产物将由氮化硅变为碳化硅；在氮气充足的情况下，随着温度的升高，生成物中碳化硅的量也会逐步增加，这一分析结果通过实验得到了验证。     

宁夏碳化硅出口同比大幅下降

今年1至2月宁夏对外贸易继续保持大幅增长，对外贸易总额已达到20106．1万美元，与去年同期相比增长了32．5％，其中，出口9551．2万美元；进口达10554．9万美元，同比增长103．1％。据介绍，今年前两个月宁夏对外贸易呈现出国有外贸企业、外商投资企业和私营企业进口增长强劲、出口增幅回升，集体企业进、出口双下滑；机电产品进、出两旺，高新技术产品进、出双下滑；欧盟、美国分列宁夏出口、进口市场首位等特点。     

自结合碳化硅

以碳化硅粉和石油焦粉为原料，通过硅熔融物浸润其混合物的方法制成了OTM-923型自结合碳化硅。这种十于料的特点是：在1400～1600℃时强度稳定，耐磨性、抗氧化性、化学稳定性及热稳定性均良好。它广泛用于机械制造、航空一航天技术等部门，其使用效果良好。     

薄膜光学起爆器

薄膜光学起爆器安装有一个透明的中性衬底、一个反应薄膜和一个反射薄膜。反应薄膜可以是炸药或烟火材料。合成的薄膜光学起爆器系统还包括一个连接到低功率激光源上的光纤、一个输出装药和一个起爆器壳。反应薄膜包括很薄的预埋层，它是一个用碳之类的光吸收材料制成的共沉积层。反应薄膜吸收入射激光后被整体加热，然后引爆输出炸药并提供比入射激光脉冲大5至20倍的能量输出。     

硅微机械平面电感的衬底效应

提出了一种品质因数(Q)的计算方法,分析了对于平面螺旋电感Q值产生决定性影响的各种因素.在微机械电感传统模型的基础上对涡流效应产生的寄生电阻和有损衬底电容进行了细致的研究,并且得到了理论结果.研究结果表明,Q值的大小与几何参数和工作频率均有关.通过理论分析和计算,可以得到结构优化的方法.