B4C作为MgO—C砖防氧化剂的综合效果研究

Ｂ４Ｃ作为ＭｇＯ－Ｃ砖添加剂防氧化效果好，但同时存在降低ＭｇＯ－Ｃ砖抗渣性的弱点。通过采取严格控制Ｂ４Ｃ加入量，可达到保持 ＭｇＯ－Ｃ砖高温性能优良的目的。     

碳化硼锆合金可燃毒物中空芯块制备工艺研究

以氢化锆粉与碳化硼粉为原料,用橡胶模成型方法成型,真空烧结炉中脱氢;在800¹100℃下保温1 h,制得碳化硼锆合金可燃毒物中空芯块烧结体;用浸渍法测量芯块的致密度和开孔率,研究烧结温度和碳化硼含量对烧结体致密度的影响;用扫描电镜分析坯体与烧结体的微观结构。结果表明,碳化硼锆合金烧结体的致密度随烧结温度的升高而增加,随碳化硼含量的增加而降低,碳化硼颗粒在锆合金中分布比较均匀,当碳化硼质量分数为0.5%,烧结温度在1000℃以上时,烧结体致密度达到95%以上,开孔率低于1%。     

热压微晶碳化材料研磨面斑成因探析

热压微晶碳化硼材料是用于宇航控制系统的材料，对其可靠性要求极高。有些热压微晶休硼材料研磨面上有宏观可见的白色斑点，这是一种异常现象。通过对白色区形貌和成分的分析，认为白斑是在磨削过程中形成的基体表面剥落，剥落区凹凸不平造成反光强度不同，因而在宏观上呈现为白色。白斑区成分是正常的碳化硼相，并非夹杂有外来物质，并提出了消除这一现象的可能途径。     

碳化硼合成及其烧结体密度

直接合成了碳化硼粉，测定了其化学成分、点阵常数、平均粒径，确定了合成反应的最佳工艺参数。研究了热压烧结碳化硼体积密度的控制方法，测试了烧结体微观组织和性能。采用炉内限位法控制试样密度精度，最大偏差为理论密度（Ｔ．Ｄ．）的±２％。富碳或富硼相阻碍晶粒长大。碳化硼体积密度为９２％Ｔ．Ｄ．时，其各项性能达到或超过反应堆工作性能要求指标。从室温升到６００°Ｃ，其抗弯强度约下降１０％。     

用作气体动压轴承的微晶碳化硼材料

通过采用搅动高能球磨工艺制得粒度<1μm的微细B_4C粉;采用物理、化学方法提纯原始D_4C微细粉末,通过严格控制热压温度、压力与时间制得了密度为2.50～2.52g/cm~3,Knoop硬度为3300～4000,平均晶粒度<1.0μm的高性能微晶B_4C材料,该材料性能在原有基础上得到较大提高,可满足气体动压轴承苛刻的加工精度与装配精度要求。     

碳化硼粉末的真空热处理净化研究

研究真空热处理对工业碳化硼粉末中的游离碳含量及碳化硼颗粒尺寸的影响。用Ｘ－射线衍射分析方法对粉末中游离碳的净化机理进行了分析讨论。结果表明，真空热处理在降低粉末中游离碳的同时，增大了碳化硼颗粒尺寸。在１５００～１６００℃真空中处理得到的碳化硼粉末，其游离碳消失，平均颗粒尺寸增大为５．８～６．０μｍ。通过对碳化硼晶格常数分析测定表明，游离碳与Ｂ２Ｏ３、Ｂ之间的化学反应及其与碳化硼之间的扩散与固溶反应，是粉末中游离碳含量降低和消除的主要机制。     

碳化硼的氧化

本文介绍了碳化硼在空气中的氧化行为,用的是热重分析法,测定出碳化硼的最低氧化温度为 420±10℃,高于 560℃ 氧化加速。给出了氧化铝对碳化硼的氧化影响数据。全部试验数据说明,除了氧化硼之外,没有另外的生成物,碳化硼与氧化铝也不起任何反应.