碳化硼合成及其烧结体密度

直接合成了碳化硼粉，测定了其化学成分、点阵常数、平均粒径，确定了合成反应的最佳工艺参数。研究了热压烧结碳化硼体积密度的控制方法，测试了烧结体微观组织和性能。采用炉内限位法控制试样密度精度，最大偏差为理论密度（Ｔ．Ｄ．）的±２％。富碳或富硼相阻碍晶粒长大。碳化硼体积密度为９２％Ｔ．Ｄ．时，其各项性能达到或超过反应堆工作性能要求指标。从室温升到６００°Ｃ，其抗弯强度约下降１０％。     

用作气体动压轴承的微晶碳化硼材料

通过采用搅动高能球磨工艺制得粒度<1μm的微细B_4C粉;采用物理、化学方法提纯原始D_4C微细粉末,通过严格控制热压温度、压力与时间制得了密度为2.50～2.52g/cm~3,Knoop硬度为3300～4000,平均晶粒度<1.0μm的高性能微晶B_4C材料,该材料性能在原有基础上得到较大提高,可满足气体动压轴承苛刻的加工精度与装配精度要求。     

碳化硼基复合材料制备研究进展

碳化硼断裂韧性低、烧结温度高、抗氧化能力差、对金属的稳定性差,限制了其在工程上的进一步应用。综述了碳化硼粉末的成型方法以及碳化硼基复合材料的烧结方法,总结了碳化硼陶瓷的增韧及烧结过程中的氧化行为。     

碱洗处理对B4C粉末在Mg—Li基体中分散效果的影响

通过碱液清洗粉末净化B4C颗粒,以改善其在Mg—Li基体中的分散特性。结果表明：经过预处理后粉末中超细颗粒明显减少,B2O3含量减少,B4C粉末颗粒表面更加洁净。采用经碱洗处理后的B4C粉末制备出的高锂低熔点预混合金拉伸强度与密度均有提高。最后按Mg-15Li-2A1—6B4C成分配比制备的B4C／Mg—Li复合材料金...     

碳化硼的结构理论计算

碳化硼陶瓷是性能优良的陶瓷之一,已在民用、航天和军事等诸多领域都得到了重要应用,但对于碳化硼的微观结构尚有争论,大多研究只是通过X-射线分析、核磁共振等实验手段测得其多种可能的同分异构体结构。因此,搞清其原子结构对我们进一步应用这一优良材料非常有必要。在本文中,将建立两种碳化硼的理论模型,利用量子力学计算的方法,通过MS软件计算出优化后的碳化硼的能带结构、态密度分布以及弹性模量和泊松比并加以分析,从理论上论证碳化硼微观结构。     

B4C/Ni多孔复合材料的制备及性能

采用粉末冶金法制备了B4C/Ni多孔复合材料。对制得的试样进行了扫描电镜（SEM）观察和抗压强度的测试，并摘要计算得出了试样的孔隙度。分析结果表明，复合材料的孔隙度随烧结温度的升高而下降；抗压强度随孔隙度的下降而增大；并且复合材料中镍含量越高材料抗压强度越大。根据后续浸渗金属液体的要求，此多孔复合材料要达到高孔隙度、较高强度和较高硼含量等指标。所以综合分析结果和后续要求最终确定了最佳体积百分含量为碳化硼15%、镍55%、造孔剂碳酸钠30%和最佳烧结温度800℃。     

用于保护托卡马克第一壁和偏滤器的厚碳化硼涂层

本文评述了用于保护受到高能热通量的托卡马克内表面的候选材料的各种碳化硼涂层的特性。这样的涂层可用各种方法生成：借助于氯化物和氟化物技术的化学气相沉积、气体转换、等离子体喷涂及反应－烧结。与纯碳材料相反，B4C具有低得多的化学和高温溅射，能够吸附氧和降低氢再循环。与薄的硼化膜相比，厚涂层能经受住象托卡马克偏滤器中那样的高热通量。比较分析表明，由扩散法（比如氟化物CVD和气体转换）形成的涂层更加能耐受热负载，而且最有前途的候选涂层之一是氟化物CVD涂层。     

不同冶炼工艺生产的碳化硼粉末对其陶瓷性能的影响

本文阐述了立式冶炼炉（以下简称A)和卧式冶炼炉(以下简称B)两种冶炼方式冶炼的碳化硼粉未的不同性能，以及利用粉末热压烧结制成的碳化硼陶瓷间性能对比；通过分析和验证，得出影响陶瓷性能的主要因素．得出A冶炼的碳化硼粉末热压烧结的碳化硼陶瓷硬度高，致密性高，其他性能优越于B冶炼的碳化硼粉末热压烧结的碳化硼陶瓷；立式冶炼炉冶炼的碳化硼粉束制得的碳化瑚喷砂嘴使用寿命达800—1000小时以上。