电瓷成型刀具电镀碳化硼粉的探讨

<正> 随着电瓷产品产量的增加,电瓷坯件成型刀具的改进也越来越引起有关生产工人和工艺人员的重视。人们总希望有一种既耐磨又经济的成型刀具投入到生产中。为此,我们从1987年底开始,对电瓷坯件成型刀具电镀碳化硼粉进行试验。经过一年多的努力,研制出了耐磨性是原来4倍以上的电镀成型刀具。     

Al2O3—B4C弥散芯块烧结过程中硼含量的控制

研究了在氢气氛下烧结Ａｌ２Ｏ３－Ｂ４Ｃ芯块中硼含量的控制。研究结果表明，在特定填料保护下，芯块料中加入适量的碳，能使烧结后的芯块中硼烧失减少到０，达到硼含量的精确控制。     

各种碳结合碱性耐火材料的相演变

结果表明,在中温下,铝的作用是由中间相Al_4C_3的形成和消失的速率所控制,也被MgAl_2O_4形成速率所控制Al_4C_3和MgAl_2O_4的存在证实了铝的作用是被Al-C和Al-MgO局部接触而密切控制的。在低于1400℃温度下,     

碳化硼陶瓷材料试样分解方法探讨

碳化硼陶瓷材料被应用于航空航天、核工业和工程陶瓷等方面。鉴于化学成分检测结果的准确性与分解方法不可分割,有合理高效的分解方法才能得出真实的化学成分含量。本文对碳化硼陶瓷材料的分解方法进行对比,以碳酸钙为熔剂在高温下对碳化硼进行分解。结果表明,碳酸钙熔样方法测得的碳化硼结果更稳定,熔样方式更简单。     

碳化硼涂层显微结构和性能研究

本文研究了碳化硼等离子喷涂涂层的显微结构和电导率．发现涂层中存在多种显微结构,颗粒状和板状的碳化硼相为主相;涂层中金属Ｆｅ杂质相的存在是涂层电导率出现异常的决定因素;碳化硼涂层中还发现了由Ｂ、Ｏ和Ｆｅ三种元素组成的杂质相,其显微硬度比碳化硼低,这是碳化硼涂层显微硬度同碳化硼陶瓷相比要低的一个重要原因．     

真空等离子喷涂碳化硼涂层制备与抗激光辐照性能研究

采用真空等离子喷涂技术,在不锈钢基体上制备碳化硼(B₄C)涂层,并对涂层的组成、结构、沉积效率、结合强度以及抗激光辐照性能进行了表征.结果显示,真空等离子喷涂B₄C涂层中没有出现明显的B₂O₃相,表明真空等离子喷涂可有效避免B₄C氧化现象.采用较细的粉末制备的B₄C涂层较为致密.较高的喷涂功率和较大的氢气流量,有助于改善粉末的熔化程度,从而提高涂层的沉积效率和结合强度.在适宜的工艺参数下,涂层的沉积效率与结合强度可分别达72%与49MPa.激光辐照试验表明,在不锈钢表面沉积B₄C涂层,可以明显改善其抗激光辐照性能.     

(Ti,Zr,Hf)B2粉体的制备及B4C含量对中熵陶瓷高温弯曲强度的影响

高熵陶瓷是陶瓷领域近几年的研究热点,过渡金属硼化物中熵、高熵陶瓷以其优异的性能、化学反应惰性和极高的熔点,成为耐极端环境的重要候选材料。本工作首次研究了B₄C过量含量对中熵硼化物粉体合成、陶瓷致密化、微结构演变和高温弯曲强度的影响,确定了低氧含量、高烧结活性(Ti,Zr,Hf)B₂粉体的制备工艺。采用热压烧结工艺在1800℃制备的(Ti,Zr,Hf)B₂中熵陶瓷致密度高达99%以上。B₄C过量15wt%的(Ti,Zr,Hf)B₂陶瓷晶粒尺寸为5.0±2.1μm,随着B₄C过量含量增加到25wt%,晶粒尺寸明显细化至2.4±0.7μm。过量的B₄C一部分与球磨引入的Si₃N₄原位反应生成BN相,另一部分B₄C以第二相形式存在,BN和B₄C相的引入可以有效抑制中熵陶瓷烧结过程中的晶粒生长,同时也提升了材料的高温弯曲强度。B₄C过量...     

更正

2020年第12期《陶瓷》,位于第21~25页,题名为《碳化硼基复合陶瓷制备工艺与研究进展》一文中,第二作者为茹红强,特此声明。