高温气冷堆控制棒B4C芯块的研制

阐述了用电弧炉碳热还原法制备核级B4C粉末、经热压烧结制备高温气冷堆控制棒B4C芯块的研制过程，研究了添加剂对制备B4C芯块的影响。     

B4C对铁—铜基摩擦材料组织和性能的影响

进行了碳化硼（Ｂ４Ｃ）粉末对铁铜基粉末冶金烧结摩擦材料组织和性能的影响的实验研究，结果表明，当Ｂ４Ｃ含量从０增至５×１０￣（－２）时，材料的晶粒逐渐细化，大块的珠光体逐渐减少，摩擦系数μ逐渐增至０．３５４，当Ｂ４Ｃ含量达６×１０￣（－２）时，μ值急剧降为０．３１６，在摩擦系数增大的同时，材料的磨损也增大。     

碳化硼粉末的真空热处理净化研究

研究真空热处理对工业碳化硼粉末中的游离碳含量及碳化硼颗粒尺寸的影响。用Ｘ－射线衍射分析方法对粉末中游离碳的净化机理进行了分析讨论。结果表明，真空热处理在降低粉末中游离碳的同时，增大了碳化硼颗粒尺寸。在１５００～１６００℃真空中处理得到的碳化硼粉末，其游离碳消失，平均颗粒尺寸增大为５．８～６．０μｍ。通过对碳化硼晶格常数分析测定表明，游离碳与Ｂ２Ｏ３、Ｂ之间的化学反应及其与碳化硼之间的扩散与固溶反应，是粉末中游离碳含量降低和消除的主要机制。     

Si掺杂B_4C半导体的热电性能

本文探讨了掺Ｓｉ对Ｂ４Ｃ半导体的热电性能（包括电导率、热导率及Ｓｅｅｂｅｃｋ系数）及显微结构的影响，应用小极化子跃迁机制，讨论了Ｓｉ掺杂Ｂ４Ｃ半导体的传输行为     

碳化硼的氧化

本文介绍了碳化硼在空气中的氧化行为,用的是热重分析法,测定出碳化硼的最低氧化温度为 420±10℃,高于 560℃ 氧化加速。给出了氧化铝对碳化硼的氧化影响数据。全部试验数据说明,除了氧化硼之外,没有另外的生成物,碳化硼与氧化铝也不起任何反应.     

碳化硼的氧化特性研究

研究了碳化硼在４００－８００℃空气中烧结时的氧化特性，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ对氧化后的碳化硼的相结构和表面形貌进行分析。观察。结果表明，碳化硼有６００℃左右开始氧化，氧化后部分生成玻璃态的Ｂ２Ｏ３，氧化过程为热激活过程，激活能Ｑ＝１７．１７ｋＪ／ｍｏｌ。     

GdB6对热压烧结B4C材料性能的影响

对热压烧结法制备的B4C-GdB6材料进行了性能测试.结果表明在GdB6添加量为2%～8%的范围内,随其添加量的增加,B4C-GdB6材料的硬度增加,比单一B4C材料增加了78%;抗弯强度降低;断裂韧性先减小后增大,但变化不大.B4C-GdB6材料的断口扫描电镜分析发现,GdB6的加入改变了单一B4C材料的烧结状态,随添加量的增加,B4C晶粒显著增大,晶粒间排列致密,使孔隙逐渐消失.     

不同B/C摩尔比碳化硼薄膜的光学性能

多层膜反射镜是X射线波段和极紫外波段的重要光学部件.碳化硼作为常见的反射膜材料,其薄膜成分及光学常数计算的准确性对反射镜的反射性能具有明显影响.本研究使用直流磁控溅射技术制备碳化硼薄膜,利用X射线光电子能谱(XPS)、X射线全反射(XRR)、原子力显微镜(AFM)和同步辐射光源等对试样进行了表征,利用改进的拟合函数拟合了基底和薄膜的反射率曲线.结果表明,非晶碳化硼薄膜的元素化学状态相同,其基本成分包含碳化硼和含氧碳化硼;在5～45 nm波段,薄膜B/C摩尔比为4.23时,反射性能最好,同时其基底与薄膜的电子密度差值最大,试样反射性能变化与试样电子密度差值变化基本一致;与原始拟合函数相比,改进的拟合函数提高了薄膜光学常数计算的准确性.     

添加碳化硼对低碳铝碳耐火材料显微结构和性能的影响EI北大核心CSCD

以板状刚玉和活性氧化铝微粉为主要原料、纳米炭黑为碳源、碳化硼(质量分数0、0.5%、1%)和单质硅粉为添加剂,制备了低碳铝碳耐火材料。利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜分别检测和观察了材料的物相组成和显微结构。采用三点弯曲法研究了材料的常温和高温力学性能,采用水淬冷法研究了材料的热震稳定性。结果表明:与空白试样相比,在1 000℃处理的含碳化硼的试样中发现碳纳米管(MWCNTs);温度高于1 200℃,在材料表面出现了明显的含氧化硼反应层,形成了外层Si C晶须较多、内层Si C晶须较少的分层结构。由于原位碳纳米管的形成,1 000℃处理后含碳化硼试样的抗折强度由空白试样的3.4 MPa提高到11.6 MPa;而1 200和1 400℃处理后,试样也因碳纳米管和Si C晶须协同作用,材料的抗折强度进一步提高至15~17和26~28 MPa。此外,引入碳化硼的铝碳材料高温抗折强度和热震稳定性也都大幅提升。