并联复合式电磁悬挂模型参考多模式切换控制研究

传统馈能悬挂难以平衡减振和馈能之间的矛盾关系,针对该问题提出由电磁作动器和磁流变减振器组成的并联复合式电磁悬挂结构方案。为提高并联复合式电磁悬挂对不同路况的适应能力,考虑其具备不同工作模式的特点,设计了模型参考多模式切换控制器,并以提高乘坐舒适性为目标确定了切换指标、阈值及相应的控制参数。针对切换指令的离散特性和悬挂系统状态变化的连续特性,基于Stateflow软件设计了多模式切换控制系统,并确定了相应的切换规则和切换流程。对模型参考多模式切换控制器的性能进行了仿真和试验验证。结果表明：该模型参考多模式切换控制器可有效地实现并联复合式电磁悬挂各工作模式之间的切换,提高了并联复合式电磁悬挂对不同路况和驾驶需求的适应性,有效平衡了减振及馈能之间的矛盾关系。     

Ni/TiO_2基电磁流变液的微粒质量分数对其性能、形貌的影响

研究不同微粒质量分数的电磁流变液的性能、形貌,分析性能与质量分数、剪切速率以及所加电、磁场强度的关系。研究表明:同成分电磁流变液在相同的外场作用下随质量分数的增加,其强度增加,最佳质量分数值为30%;在电、磁场作用下微粒的形貌随质量分数增加,微粒链逐渐变粗变多,随电磁场强度的增加其微粒链变粗变壮,并出现相互交织。     

行程敏感减振器阻尼特性仿真与试验

针对传统减振器的建模方法不能准确描述具有旁通槽的减振器模型问题,根据流体力学缝隙流动、管嘴流动及并联管路流量计算理论,建立了行程敏感减振器的详细数学模型.采用AMESim和MATLAB/Simulink的接口技术对模型进行仿真研究,仿真结果与试验结果符合较好,证明利用AMESim和Simulink对行程敏感减振器建立的...     

基于有限元分析的磁流变阻尼器动态响应

针对阻尼器特殊的结构特点,通过静态磁场仿真确定阻尼器的磁路结构。利用ANSYS 软件对阻尼器进 行瞬态磁场有限元仿真,获得阶跃电压作用下阻尼器的瞬态磁场响应过程,通过与简化数学模型的对比得出涡流对 阻尼器电磁响应时间的影响,并由磁场有限元仿真结果获得流道内磁流变液的剪切屈服应力时程曲线。通过阻尼器 动态响应时间测试实验获得激励电流作用下阻尼力的实测响应时间。结果表明：计算获得的剪切屈服应力时程曲线 与阻尼力的实测响应过程基本吻合,说明电磁响应是影响磁流变阻尼器动态响应的主要因素。     

小型抗振晶体振荡器设计

在现代通信系统中,晶体振荡器的振动性能变得越发重要。文中讨论了振动状态下晶体振荡器的相位噪声性能,并通过采用微型减振器,设计了一种小型抗振晶体振荡器,从而提高晶体振荡器在振动状态下的相位噪声性能。测试结果显示,小型抗振晶体振荡器在振动状态下相位噪声达到-147 dBc/Hz@1 kHz,而相位噪声性能的优化可达40 dB。     

日趋成熟的非球面加工技术

非球面的使用为光学设计者提供的一种以最少数量的透镜零件获得高性能光学系统的最佳设计方法。然而,采用传统加工方法加工高质量的非球面光学零件,其难度和费用相当高,因而其应用仅限于一些特殊的光学系统。最近几年,一种被称之为磁流变精加工的非球面加工技术正日趋成熟,该技术比传统加工技术更加优越。     

基于磁流变减震器的起落架着陆建模及仿真

磁流变减震器是一种半主动控制的阻尼装置,可显著改善起落架的减震效果。针对自行设计的多环形槽结构磁流变减震器,根据流变力学原理,建立了减震器力学模型,并据此建立基于Matlab的起落架系统动态力学模型。对于不同的机身质量和着陆垂直速度分量,得到励磁电流与振动幅值、频率及稳定时间等参数的关系。仿真结果表明,选用合适的励磁电流,可方便地控制振动参数,达到较理想的减震效果。     

机载惯导系统减振设计

为了保证机载惯导系统的性能和可靠性,减振系统的设计至关重要。本文根据机载惯导系统的使用环境,提出了系统对减振系统的要求,并针对平台式惯导系统和捷联惯导系统, 建立了相应的系统振动动力学模型。在总结减振系统设计指标的基础上,提出了机载惯导减振系统的设计方法,包括减振系统结构形式的选取、减振器材料和结构的确定、减振系统固有频率的确定以及阻尼特性设计等。按照设计方法,给出了一个平台惯导减振系统设计实例,该减振系统满足系统需要。     

磨料特性对InP晶片集群磁流变抛光效果的影响

对InP晶片进行了集群磁流变抛光实验,研究了抛光过程中磨料参数(类型、质量分数和粒径)对InP材料去除速率和表面粗糙度的影响。实验结果表明,InP晶片的去除速率随磨料硬度的增加而变大,表面粗糙度受磨料硬度和密度的综合影响;在选取的金刚石、SiC、Al2O3和SiO2等4种磨料中,使用金刚石磨料的InP去除速率最高,使用SiC磨料的InP抛光后的表面质量最好。随着SiC质量分数的增加,InP去除速率逐渐增加,但表面粗糙度先减小后增大。当使用质量分数4%、粒径3μm的SiC磨料对InP晶片进行抛光时,InP去除速率达到2.38μm/h,表面粗糙度从原始的33 nm降低到0.84 nm。     

热老化行为对磁流变脂流变学性能的影响

磁流变器件在工作过程中因耗能不可避免地出现温升现象,为研究热效应对介质磁流变脂(MRG)流变学性能的影响,通过静态热处理方式模拟磁流变脂热老化情况。将磁流变脂在温度120 ℃的环境中进行4、8和24 h的热老化后,分别进行傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、磁学性能及流变性能分析,以探究热老化行为对磁流变脂流变学性能的影响。结果表明：热老化对磁流变脂基载液润滑脂的皂纤维结构产生影响,进而影响磁流变脂性能。随着热老化时间的增加,磁流变脂出现剪切屈服现象的时间点不断提前,长时间高温条件下的热效应对磁流变脂微观结构破坏更大,更容易造成磁流变脂流变性能的显著变化。经过24 h热老化的磁流变脂在恒定剪切速率10 s^-1和温度85 ℃的测试条件下,磁场强度0 mT时磁流变脂的剪切应力为202.04 Pa,磁场强度440 mT时剪切应力可达1843.2 Pa。磁场在一定程度上降低了磁流变脂对温度的依赖性,但持续的热效应最终将会导致磁流变脂服役寿命缩短。